半導體物理學課程教學大綱(參考版)
2025-06-10 17:11本頁面
【正文】 制定人：賀德衍審定人：批準人：日 期：7。 本章的重點包括非晶態(tài)半導體的能帶結(jié)構(gòu)，遷移率邊，帶隙態(tài)與摻雜效應，非晶態(tài)半導體的導電機制和光電導，SW效應等。（二）內(nèi)容及基本要求 本章主要討論非晶態(tài)半導體的基本特性。難點為量子化霍耳效應。通過學習，要求掌握半導體霍耳效應物理機制和應用；了解磁阻效應、磁光效應、量子化霍耳效應、熱磁效應、光磁電效應、壓阻效應等。限于學時，第37節(jié)可不講授，學生可自學。難點為溫差電動勢率。通過學習，要求了解半導體的熱電效應的種類、應用和物理機制；掌握半導體溫差電動勢率的計算和影響因素。第十一章 半導體的熱電性質(zhì)第一節(jié) 熱電效應的一般描述第二節(jié) 半導體的溫差電動勢率第三節(jié) 半導體的珀爾帖效應第四節(jié) 半導體的湯姆遜效應第五節(jié) 半導體的熱導率第六節(jié) 半導體熱電效應的應用（一）教學方法與學時分配限于學時，本章可不講授，學生可自學。 本章的重點包括半導體的光吸收及發(fā)光現(xiàn)象，半導體光電導，光生伏特效應，半導體激光等。（二）內(nèi)容及基本要求 本章主要討論光和半導體相互作用的一般規(guī)律，重點討論光的吸收、光電導和發(fā)光等效應。第十章 半導體的光學性質(zhì)和光電與發(fā)光現(xiàn)象第一節(jié) 半導體的光學常數(shù)第二節(jié) 半導體的光吸收第三節(jié) 半導體的光電導第四節(jié) 半導體的光生伏特效應第五節(jié) 半導體發(fā)光第六節(jié) 半導體激光第七節(jié) 半導體異質(zhì)結(jié)在光電子器件中的應用（一）教學方法與學時分配課堂講授，大約78學時。 本章的重點是理想異質(zhì)結(jié)能帶結(jié)構(gòu)及其畫法，半導體量子阱和超晶格結(jié)構(gòu)的特性及其在現(xiàn)代半導體器件中的應用。（二）內(nèi)容及基本要求 本章主要討論半導體異質(zhì)結(jié)的能帶結(jié)構(gòu)、異質(zhì)pn結(jié)的IV特性與注入特性及各種半導體量子阱結(jié)構(gòu)及其電子能態(tài)等。第九章 半導體異質(zhì)結(jié)構(gòu)第一節(jié) 半導體異質(zhì)結(jié)及其能帶圖第二節(jié) 半導體異質(zhì)pn結(jié)的電流電壓特性及注入特性第三節(jié) 半導體異質(zhì)結(jié)量子阱結(jié)構(gòu)及其電子能態(tài)與特性第四節(jié) 半導體應變異質(zhì)結(jié)構(gòu)第五節(jié) GaN基半導體異質(zhì)結(jié)構(gòu)第六節(jié) 半導體超晶格（一）教學方法與學時分配課堂講授，大約56學時。本章的重點包括半導體表面電場效應，MIS結(jié)構(gòu)的CV特性。（二）內(nèi)容及基本要求本章主要討論半導體的表面現(xiàn)象及其相關的
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