半導(dǎo)體物理習(xí)題一(參考版)

【摘要】半導(dǎo)體物理習(xí)題姓名學(xué)號習(xí)題請直接做在此頁面上，完成后發(fā)往：@習(xí)題一2011年9月21日1，指出下述各種結(jié)構(gòu)是不是布拉伐格子，如是，請給出三個(gè)原基矢量；如不是，請找出相應(yīng)的布拉伐格子和盡可能小的基元。(1)底心立方(在立方單胞水平表面的中心有附加點(diǎn)的簡立方)；(2)側(cè)面心立方(在立方單

2025-06-10 16:47

半導(dǎo)體物理習(xí)題解答(參考版)

【摘要】半導(dǎo)體物理習(xí)題解答（河北大學(xué)電子信息工程學(xué)院席礪莼）1－1．（P32）設(shè)晶格常數(shù)為a的一維晶格，導(dǎo)帶極小值附近能量Ec（k）和價(jià)帶極大值附近能量Ev（k）分別為：Ec(k)=+和Ev(k)=－；m0為電子慣性質(zhì)量，k1＝1/2a；a＝。試求：①禁帶寬度；②導(dǎo)帶底電子有效質(zhì)量；③價(jià)帶頂電子有效質(zhì)量；④價(jià)帶頂電子躍遷到導(dǎo)帶底時(shí)準(zhǔn)動量的變化。[解]①禁帶寬度

2025-01-17 18:50

半導(dǎo)體物理學(xué)習(xí)題答案(參考版)

【摘要】半導(dǎo)體物理習(xí)題解答1－1．（P43）設(shè)晶格常數(shù)為a的一維晶格，導(dǎo)帶極小值附近能量Ec（k）和價(jià)帶極大值附近能量Ev（k）分別為：Ec(k)=+和Ev(k)=－；m0為電子慣性質(zhì)量，k1＝1/2a；a＝。試求：①禁帶寬度；②導(dǎo)帶底電子有效質(zhì)量；③價(jià)帶頂電子有效質(zhì)量；④價(jià)帶頂電子躍遷到導(dǎo)帶底時(shí)準(zhǔn)動量的變化。[解]①禁帶寬度Eg根據(jù)＝＋＝0；可求出對應(yīng)導(dǎo)帶能量

2025-06-22 17:55

半導(dǎo)體物理進(jìn)程(參考版)

【摘要】南京工業(yè)大學(xué)課程教學(xué)進(jìn)程表課程半導(dǎo)體物理學(xué)時(shí)56院（系）別理專業(yè)應(yīng)物年級20082010—2011學(xué)年第二學(xué)期教師陳愛平日期2011/2/21教研室負(fù)責(zé)人蔡永明日期2011/2/21周次及起訖日期講課

2025-06-12 23:36

半導(dǎo)體器件與物理一(參考版)

【摘要】上海電子信息職業(yè)技術(shù)學(xué)院半導(dǎo)體器件物理第一章半導(dǎo)體特性上海電子信息職業(yè)技術(shù)學(xué)院第1章半導(dǎo)體特性半導(dǎo)體的晶格結(jié)構(gòu)半導(dǎo)體的導(dǎo)電性半導(dǎo)體中的電子狀態(tài)和能帶半導(dǎo)體中的雜質(zhì)與缺陷載流子的運(yùn)動非平衡載流子習(xí)題上海電子信息職業(yè)

2025-01-16 12:12

半導(dǎo)體物理復(fù)試指導(dǎo)(參考版)

【摘要】注：結(jié)合《半導(dǎo)體物理》季振國編著浙江大學(xué)出版社重點(diǎn)看第二章半導(dǎo)體材料的成分與結(jié)構(gòu)第三章晶體中電子的能帶第一章量子力學(xué)初步1、光電效應(yīng)、康普頓散射證明電磁波除了具有波動性外，還具有性，即光具有。2、受愛因斯坦光量子的啟發(fā)，德布羅意提出實(shí)物粒子具有性，德布羅意波長公式為。3、寫出光子的

2025-06-10 16:56

半導(dǎo)體物理基礎(chǔ)(參考版)

【摘要】三、pn結(jié)在前面幾結(jié)中我們了解了本征半導(dǎo)體和雜質(zhì)半導(dǎo)體，根據(jù)對導(dǎo)電性的影響，雜質(zhì)半導(dǎo)體又分為n型半導(dǎo)體和p型半導(dǎo)體。如果把一塊n型半導(dǎo)體和p型半導(dǎo)體結(jié)合在一起，在兩者的交界面就形成了所謂的pn結(jié)，在這一結(jié)我們就是要了解pn結(jié)的一些性質(zhì)。1、pn結(jié)的形成和雜質(zhì)分布在一塊n型（或p型）半導(dǎo)體單晶上，

2025-07-28 02:12

半導(dǎo)體物理的發(fā)展(參考版)

【摘要】半導(dǎo)體的發(fā)現(xiàn)與起源（~1900）在二十世紀(jì)的近代科學(xué)，特別是量子力學(xué)發(fā)展知道金屬材料擁有良好的導(dǎo)電與導(dǎo)熱特性，而陶瓷材料則否，性質(zhì)出來之前，人們對于四周物體的認(rèn)識仍然屬于較為巨觀的瞭解，那時(shí)已經(jīng)介于這兩者之間的，就是半導(dǎo)體材料。英國科學(xué)家法拉第(MIChaelFaraday，1791~1867)，在電磁學(xué)方面擁有許多貢獻(xiàn)，為人所知的，則是他在1833年發(fā)現(xiàn)的其中一種半

2025-04-07 02:20

半導(dǎo)體習(xí)題和解答(參考版)

【摘要】第一篇半導(dǎo)體中的電子狀態(tài)習(xí)題1-1、什么叫本征激發(fā)？溫度越高，本征激發(fā)的載流子越多，為什么？試定性說明之。1-2、1-2、????試定性說明Ge、Si的禁帶寬度具有負(fù)溫度系數(shù)的原因。1-3、????試指出空穴的主要特征。1-4、簡述Ge、Si和GaAS的能帶結(jié)構(gòu)的主要特征。1-5

2025-03-27 23:10

半導(dǎo)體物理究極版(參考版)

【摘要】試卷結(jié)構(gòu)：一、選擇題（每小題2分，共30分）二、填空題（每空2分，共20分）三、簡答題（每小題10分，共20分）四、證明題(10分)（第六章）五、計(jì)算題（20分）（第五章）§鍺和硅的晶體結(jié)構(gòu)特征金剛石結(jié)構(gòu)的基本特征（重點(diǎn)）§半導(dǎo)體中的電子狀態(tài)和能帶電子共有化運(yùn)動概念：原子組成晶體后，由于電子殼層的交疊，電子不再完全局限在某一

2025-06-10 16:48

半導(dǎo)體物理復(fù)習(xí)要點(diǎn)答案(參考版)

【摘要】一、填充題1.兩種不同半導(dǎo)體接觸后,?費(fèi)米能級較高的半導(dǎo)體界面一側(cè)帶正電達(dá)到熱平衡后兩者的費(fèi)米能級相等。2.半導(dǎo)體硅的價(jià)帶極大值位于空間第一布里淵區(qū)的中央，其導(dǎo)帶極小值位于【100】，因此屬于間接帶隙半導(dǎo)體。3.晶體中缺陷一般可分為三類：點(diǎn)缺陷，如空位間

2025-01-17 18:45

半導(dǎo)體物理復(fù)習(xí)要點(diǎn)答案(參考版)

【摘要】一、填充題1.兩種不同半導(dǎo)體接觸后,?費(fèi)米能級較高的半導(dǎo)體界面一側(cè)帶正電達(dá)到熱平衡后兩者的費(fèi)米能級相等。2.半導(dǎo)體硅的價(jià)帶極大值位于空間第一布里淵區(qū)的中央，其導(dǎo)帶極小值位于【100】，因此屬于間接帶隙半導(dǎo)體。3.晶體中缺陷一般可分為三類：點(diǎn)缺陷，如空位間

2025-06-10 17:02

半導(dǎo)體物理semiconductorphysics(參考版)

【摘要】SchoolofMicroelectronics半導(dǎo)體物理SEMICONDUCTORPHYSICS西安電子科技大學(xué)微電子學(xué)院SchoolofMicroelectronics半導(dǎo)體表面和表面能級Si-SiO2系統(tǒng)中的表面態(tài)與表面處理表面能帶彎曲與反型表面復(fù)合第五章半導(dǎo)體表面Schoo

2025-07-21 13:44

半導(dǎo)體物理學(xué)-(參考版)

【摘要】SemiconductorPhysicsChapter1上海交通大學(xué)成教院電子科學(xué)與技術(shù)專業(yè)半導(dǎo)體物理學(xué)SemiconductorPhysicsSemiconductorPhysicsChapter1電話：36033332（H)13482657996（M）上海交通大學(xué)微納科學(xué)技術(shù)

2024-08-12 14:52

半導(dǎo)體器件物理(1)(參考版)

【摘要】現(xiàn)代半導(dǎo)體器件物理天津工業(yè)大學(xué)雙極型晶體管及相關(guān)器件1雙極型晶體管及相關(guān)器件現(xiàn)代半導(dǎo)體器件物理PhysicsofModernSemiconductorDevices2022,7,30現(xiàn)代半導(dǎo)體器件物理天津工業(yè)大學(xué)雙極型晶體管及相關(guān)器件2本章內(nèi)容?雙極型晶體管的工作原理?雙極型晶體管的靜態(tài)特性

2025-01-16 12:25

半導(dǎo)體物理習(xí)題一-免費(fèi)閱讀

半導(dǎo)體物理習(xí)題一(存儲版)

半導(dǎo)體物理習(xí)題一-文庫吧在線文庫

半導(dǎo)體物理習(xí)題一(完整版)

半導(dǎo)體物理習(xí)題一(更新版)