紅外成像陣列與系統(tǒng)(參考版)
2025-05-15 22:05本頁面
【正文】 ?2 . 電阻型測輻射熱計 。 1992年 ， Loral Inc描述了 192 128元陣列 (Butter Iwasa,1992)， 該陣列使用了鋰化鉭 ， 工作在真實的熱電模式下 ， 對基底沒有熱穩(wěn)定裝置 。在F/1光學(xué)系統(tǒng)下陣列的性能改善到 ℃ 。 1989年， Watton提出， TI陣列使用雙模式探測 ， 即是一個復(fù)合的介電 熱電工作模式，其極化和介電常數(shù)都隨溫度發(fā)生變化以產(chǎn)生輸出信號。 245 328元陣列使用 XY 尋址裝置(Hanson et al,1992)， 工作在 BST探測器材料相位轉(zhuǎn)變之處 ， 使用一個機械斬波器做場差分處理 。 ? 1987年，在 DARPA贊助下，美國軍隊夜視實驗室開展了高密度成像陣列 (HIDAD)項目，在 1990年出現(xiàn)了第一個 HIDAD試驗性成像儀并且做出了評估。 在1987年演示了第一個 100 100元的非致冷成像陣列 ， 使用了 BST晶體切片倒裝焊接在 ROIC上， 其 NETD值為 ℃ 。 1992年， TI公司于又推出了 245 328單元陣列 (Honson et )，具有更好的性能。 XY尋址的計算結(jié)果表明一個非常薄 ,10μm厚的TGS切片 ,在 200μ m中心 上面有 100μ m大小的單元 ,其分辨率可以達到 ℃ .但是 ,這是個折中的方法 ,因為使空間分辨率減半會使溫度分辨率提高四倍多 . Plessey Ltd制造了 固態(tài)陣列的實物模型 ： 在 250μ m大小的片子上放了 32個分立的TGS探測器，固定在一個旋轉(zhuǎn)的裝配線上，相關(guān)的放大電路驅(qū)動一個相似的 LED陣列。該項目在硅 ROIC上使用了 TGS,同時考慮了 XY尋址陣列和一個電荷耦合陣列。 使用硅讀出電路的非致冷型成像陣列 ? Tompsett(1969b,c)第一個提出使用 FET陣列作為讀出電路 ,并將熱電材料與 FET的柵極接觸但保持熱隔離 .在此以后研究發(fā)展了很多種的使用固態(tài)的非電子束掃描技術(shù)的非致冷成像陣列。 在現(xiàn)代的制作裝置中已經(jīng)將 Pt和 VO和在一起 ， 其比探測率為 109cmHz1/2W1。 VO有很高的電阻溫度系數(shù) (Moffatt et al.,1986，Umadevi et al.,1991， Jeraminek et al。 1946年 Brattain和 Becker用各種氧化物的焦結(jié)物制成了熱敏電阻輻射計 。在 1901年
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