變頻器的發(fā)展史ppt課件(參考版)
2025-05-09 18:07本頁(yè)面
【正文】 。當(dāng)今的運(yùn)動(dòng)控制系統(tǒng)是包含多種學(xué)科的技術(shù)領(lǐng)域，總的發(fā)展趨勢(shì)是：驅(qū)動(dòng)的交流化，功率變換器的高頻化，控制的數(shù)字化、智能化和網(wǎng)絡(luò)化。因此，變頻器作為系統(tǒng)的重要功率變換部件，提供可控的高性能變壓變頻的交流電源而得到迅猛發(fā)展。 四、國(guó)產(chǎn)變頻器發(fā)展與現(xiàn)狀 ?國(guó)內(nèi)變頻器市場(chǎng) 2022年品牌市場(chǎng)占有率如右表： 四、國(guó)產(chǎn)變頻器發(fā)展與現(xiàn)狀 ?國(guó)產(chǎn)變頻器發(fā)展總趨勢(shì) 變頻器是運(yùn)動(dòng)控制系統(tǒng)中的功率變換器。按照這樣的發(fā)展速度和中國(guó)市場(chǎng)的需求計(jì)算，至少在10年以后市場(chǎng)才能飽和并逐漸成熟。據(jù)統(tǒng)計(jì)，在過(guò)去的幾年內(nèi)中國(guó)變頻器的市場(chǎng)保持著 12％－ 15％的增長(zhǎng)率，這個(gè)速度已經(jīng)遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過(guò)了近幾年的 GDP增長(zhǎng)水平，而且至少在未來(lái)的 5年內(nèi)保持著 10％以上的增長(zhǎng)率。 電力電子模塊化更為成熟。 三、電力電子器件發(fā)展與現(xiàn)狀 具有寄生晶體管的 IGBT等效電路 IGBT的等效電路和符號(hào) 三、電力電子器件發(fā)展與現(xiàn)狀 ? 第四代產(chǎn)品 主要標(biāo)志是集性能優(yōu)異的復(fù)合型、高壓、集成電路及智能型的綜合功能的功率器件。 MOSFET驅(qū)動(dòng)功率小，開關(guān)速度快，但導(dǎo)通壓降大，載流密度小。 IGBT是 Insulated Gate Bipolar transistor的縮寫。 ? 品質(zhì)因數(shù)的主要標(biāo)準(zhǔn)是容量、開關(guān)速度、驅(qū)動(dòng)功率、通態(tài)壓降、芯片利用率等。 靜電感應(yīng)晶閘管（ SITH) Satic Induction Thyristor SITH特性和 GTO類似，但是開關(guān)速度比 GTO高得多，是大容 量的快速器件。 普通晶閘管 4000V/3000A 光控晶閘管 8000V/3000A 快速晶閘管 1200V/1500A 逆導(dǎo)晶閘管 2500V/1000A 雙向晶閘管 1200V/300A 三、電力電子器件發(fā)展與現(xiàn)狀 第二代產(chǎn)品 主要標(biāo)志是器件本身有關(guān)斷能力 品質(zhì)因數(shù)的標(biāo)準(zhǔn)是功率 *頻率 大功率晶體管（ BJT) 可關(guān)斷晶閘管（ GTO） Gate Turn Off Thyristor 功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管（ POWER MOSFET) 靜電感應(yīng)晶體管（ SIT) Satic Induction Transistor SIT實(shí)際上是一種結(jié)型電力場(chǎng)效應(yīng)晶體管，其電壓、電流容量 都比 MOSFET大，適用于高頻大功率的場(chǎng)合。 ? 第三代產(chǎn)品 主要標(biāo)志是一些性能優(yōu)異的復(fù)合型器件和功率集成電路 。電力電子學(xué)的形成如下圖： 三、電
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