光刻工藝bppt課件(參考版)
2025-05-09 03:51本頁面
【正文】 1. 為什么光刻間通常采用 黃光照明 而洗印 照片的暗室中只能點 小紅燈 ？ 2. 與掩膜版圖形相比較，對正性光刻膠過 度曝光會使產生的圖形尺寸有何變化？負 性光刻膠呢？ 請結合圖加以說明。 國際先進的光刻膠加 工系統(tǒng)包括片盒式 供 片 、 卸片 、 涂膠 、 烘 烤 、 顯影臺 等。 (2)影響顯影速率的因素： 顯影液的濃度、溫度，光刻膠的前 烘條件和曝光量。 : 顯影液： 二甲苯和抑制顯影速率的緩沖劑。 (2)典型 PEB條件： 110~130℃ ，熱板時間約 幾十秒 — 2分鐘 (1) PEB的作用： 顯影 (1)顯影 :用溶劑去除曝光部分（正膠）或未曝光部分（負 膠）的光刻膠，在硅片上形成所需的光刻膠圖形。 (3)最佳曝光量的選擇： ? 負膠 ： D0 ? 正膠： Df (1)對準 : 與前面工藝形成的圖形進行 套準 曝光后烘烤（ PEB） a. 在 G線 和 I線 光刻中， PEB的作用 是 減小駐波效應 。 (1)前烘： 曝光前的烘烤 II 前烘時間越短或溫度越低， 感光度 ↑ ，溶解度 ↑ ，但對比度 ↓ 。 (2) 膠越厚，分辨率就越低。 (3)涂覆方法： 蒸氣涂布法 和 旋轉涂布法 。 (2) 清洗方法 ： 刷片、化學清洗 增黏處理 (1)原因 ： 絕大多數光刻膠所含的高分子聚合物是 疏水的 ，而氧 化物表面的羥基是 親水的 ，兩者表面粘附性不好。 ■ 減小駐波的解決辦法： 五、典型的光刻工藝流程 表面清洗和脫水烘烤 (1) 原因： 清潔、干燥的硅片表面能與光刻膠保持良好的 粘附并有利于獲得平坦均勻的光刻膠涂層。 ? 在 g, i line膠中， 加吸收染料 ； 或曝光后烘烤，使光敏化合 物分子擴散； ? 在 DUV中， 曝光后烘烤 ，光敏 產酸物分子擴散。由于入射光與反射光是相干光，在界面處又存在 180度的相移，在光刻膠內相長與相消變形成 駐波 。 ■ 如果在光刻膠下面有一 高反射金屬層 ，并且表面高低不平， 線寬控制能力將下降。 2） 問題 ■ 解決方法 表面平坦化 (2) 表面反射造成的二次曝光 ■ 穿過光刻膠的光會從園片表面反射出來，從而改變了對光 刻膠的曝光劑量。 a. 圖形 完整性好 b. 尺寸準確 c. 邊緣整齊 ，線條陡直； d. 圖形內 無針孔 ,圖形外 無小島 e. 硅片 表面清潔
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