光刻與刻蝕工藝流程(參考版)
2025-05-15 20:20本頁面
【正文】 ?氫氧化鈉溶液 退 膠 正膠工藝 負膠工藝 基板處理 涂膠 + 烘烤 曝光 顯影、光刻 。 Mask制作 ！??！ 注意：正圖 / 反圖 ?。?！ 曝光劑量 ?曝光劑量是指光刻膠所吸收紫外光的總和，曝光劑量可用下式來表示： ( ) ( )E x I x t???式中 Ex為光刻膠的曝光劑量 （ mJ/cm2） ， Ix為曝光燈發(fā)出的光強（ mW/cm2）， t為曝光時間 (s)。 滴膠旋轉(zhuǎn)基片旋涂結果預 烘（前烘） ?目的 ：促使膠膜內(nèi)溶劑充分地揮發(fā)，使膠膜干燥，以提高光刻膠在基片上的粘附性和均勻性，以及提高膠膜的耐磨性而不玷污 mask； ?前烘溫度過高或時間太長： 會導致光刻膠中的樹脂分子發(fā)生光聚合或交聯(lián)，造成顯影困難，圖形邊緣鋸齒嚴重。光刻膠涂布的厚度與轉(zhuǎn)速、時間、膠的特性有關系，此外旋轉(zhuǎn)時產(chǎn)生的氣流也會有一定的影響。 光刻膠涂布 旋轉(zhuǎn)涂布法 旋轉(zhuǎn)涂布也稱為甩膠，用轉(zhuǎn)速和旋轉(zhuǎn)時間可自由設定的甩膠機來進行，是利用高速旋轉(zhuǎn)的離心力作用，將光刻膠在基片表面均勻地展開，多余的光刻膠被甩掉，最終獲得一定厚度的光刻膠膜，光刻膠的膜厚是由光刻
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