介質(zhì)阻擋放電zzppt課件(參考版)
2025-05-08 22:47本頁(yè)面
【正文】 )c os (2*2 ?? ??? tVVV pd)c o s( tVV p ??)c os ()( 2*2 ?? ???? tVVCVCtQ pdddUSTC ABCD Lab 計(jì)算橢圓的面積，可以得到有功功率。此時(shí)的電壓 電荷李撒如圖形為橢圓 橢圓與電壓軸的交點(diǎn)對(duì)應(yīng)的電壓是電荷為零時(shí)的放電電流，此時(shí)介質(zhì)層上沒(méi)有電壓，只是氣體隙上由于導(dǎo)電電阻產(chǎn)生的電壓。那么放電回路相當(dāng)于一個(gè)電容電阻串聯(lián)電路。 3. 電壓變化和電荷量變化是同頻率的，因此李撒如圖形是單區(qū)域的。但前提也是必須首先實(shí)驗(yàn)得到李撒如圖形。因?yàn)闊o(wú)法直接依據(jù)理論分析得到可靠的伏安特性。 測(cè)量放電電路的李撒如圖形就可以計(jì)算放電的有功功率 USTC ABCD Lab 介質(zhì)阻擋放電的李撒如圖形 對(duì)于低頻介質(zhì)阻擋放電，利用簡(jiǎn)化的放電伏安特性曲線，得到了計(jì)算放電有功功率的方法?？梢詼y(cè)量放電外加電壓與回路電荷量的關(guān)系，即總放電李撒如圖形。 bg VCttQ 2)( 10 ??半個(gè)周期內(nèi)，放電擊穿傳導(dǎo)的電量為 bgbpd VCVVCttQttQttQ2)(2)()()( 102021????????USTC ABCD Lab 半個(gè)周期內(nèi)，放電電場(chǎng)所做的功為 bbgbpdbVVCVVCttQVW])([2)( 21??????一個(gè)周期內(nèi)，放電電場(chǎng)所做的功為半周期的兩倍，因?yàn)檎?fù)半周期的放電是相似的，只是電場(chǎng)變向 bbgbpdbTVVCVVCttQVW])([4)(2 21?????bbdgdpdbbgbpdbVVCCCVfCVVCVVCfttQfVP)(4])([4)(2 21????????USTC ABCD Lab 考慮到串聯(lián)電容電路的特點(diǎn) bbdgd VVVCCC )1(* ?????V*是放電開(kāi)始時(shí)刻的外加電壓值， ?是電容比 ** )(114 VVVfCPpd ??? ?放電功率的分析： 1，放電位型確定，功率與頻率乘正比，與放電面積成正比 2，擊穿電壓和峰值電壓是決定放電功率的主要因素 USTC ABCD Lab )(2)( 20 bpd VVCttQ ???引入放電間隙內(nèi)的平均電流強(qiáng)度 )(4)(42/)( 20bpdbpd VVfCTVVCTttQI ??????放電間隙內(nèi)的平均位移電流強(qiáng)度 VfCTVCTttQIgbg 442/)( 100 ????bbbgbpd VIIVVCVVCfP )(])([4 0?????USTC ABCD Lab 上述分析是在比較簡(jiǎn)單情況下進(jìn)行的，如果放電擊穿階段，氣體間隙電壓也是變化的，那么怎么處理呢？一個(gè)周期內(nèi)的放電做功如下： ??Tg dQVW0如果能夠得到放電氣體間隙上的電壓與放電量的關(guān)系曲線，那么一個(gè)周期內(nèi)的放電做功就是這條曲線圍成的面積。在未放電階段，介質(zhì)部分也在充電，此時(shí)氣體間隙部分同樣也在充電，而且充電量相同，因?yàn)槭请娙荽?lián)。電場(chǎng)對(duì)這些電荷所做的功就是放電消耗的有功功率。氣體間隙電壓在放電擊穿后維持不變，而且放電電流也遠(yuǎn)大于位移電流。根據(jù)伏安曲線可以計(jì)算平均功率。 USTC ABCD Lab gd VVV ??
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