otdr基礎(chǔ)知識(shí)-ch-v(參考版)
2025-05-06 18:46本頁(yè)面
【正文】 ADate。 正確放置標(biāo)識(shí) 3Date ShinewayTech174。 正確放置標(biāo)識(shí) 2Date 為測(cè)量?jī)蓚€(gè)事件間的距離，將標(biāo)識(shí) A 放到第一個(gè)事件 前面 ，將標(biāo)識(shí) B 放到第二個(gè)事件 前面 。斷裂的位置出現(xiàn)在下降沿的開(kāi)始處。 事件盲區(qū) 3 第二個(gè)反射事件出現(xiàn)在 EDZ之后，OTDR能測(cè)試出這兩個(gè)事件。 事件盲區(qū) 2Date 事件盲區(qū)是兩個(gè)連續(xù)的反射事件仍然可以被區(qū)分的最小距離。Date 對(duì)于一個(gè)反射事件，事件盲區(qū)被定義為低于一個(gè)反射事件的不飽和峰值 dB（或者 FWHM）的兩個(gè)點(diǎn)之間的距離。 衰減盲區(qū) 1Date 連接器和熔接點(diǎn)的距離比 ADZ短，OTDR不能測(cè)試到熔接點(diǎn)。 盲區(qū)Date 它通常是指在一個(gè)反射事件后，能夠測(cè)試到一個(gè)非反射事件的最小距離。在這一時(shí)間內(nèi)，它將不會(huì)精確地檢測(cè)后向散射信號(hào)。動(dòng)態(tài)范圍越大，就能獲得更好的信噪比，更好的曲線(xiàn)效果，更好的事件探測(cè)效果。 u 測(cè)試時(shí)間越長(zhǎng)，噪聲電平越接近最小值，信噪比越高。注意：Date 平均時(shí)間 平均時(shí)間 測(cè)試時(shí)所設(shè)置儀表的檢測(cè)時(shí)間。Date 測(cè)量范圍 測(cè)量范圍 指 OTDR獲取數(shù)據(jù)取樣的最大距離。u 脈沖越長(zhǎng) ，距離分辨率越低，盲區(qū)越大，測(cè)試距離越長(zhǎng)。短 長(zhǎng) 脈沖寬度u 脈沖越短 ，距離分辨率越高，盲區(qū)越小，測(cè)試距離越短。由于折射率不準(zhǔn)確所造成的誤差通常大于儀器的誤差。 折射率的變化會(huì)導(dǎo)致計(jì)算出的距離發(fā)生變化。這一邊界可能會(huì)出現(xiàn)在一個(gè)接頭點(diǎn)（連接器或者機(jī)械接頭）、一個(gè)非端接的光纖端面或者一個(gè)斷點(diǎn)處。 (1m + 5105距離 (m)+ 最小取 樣間 距 )數(shù)據(jù)存 儲(chǔ) 300 條存 儲(chǔ) 方式 USB/RS232可 見(jiàn) 光故障定位 僅 S20B/N和 S20C/N
教學(xué)課件相關(guān)推薦
鄂ICP備17016276號(hào)-1