計(jì)算機(jī)維修技術(shù)第3版第05章內(nèi)存系統(tǒng)結(jié)構(gòu)與故障維修(參考版)
2025-05-06 06:36本頁面
【正文】 【 本章結(jié)束 】 。 （ 2） 內(nèi)存 容量越大越好嗎 ？ （ 3） 虛擬 內(nèi)存可以無限大嗎 。 FBDIMM通過 AMB（ 高級(jí)內(nèi)存緩沖器 ） 芯片 ，將并行傳送轉(zhuǎn)化為串行傳送 ， 以提升內(nèi)存?zhèn)鬏斔俾?。 內(nèi)存常見故障分析 1．內(nèi)存故障原因分析 （ 1）金手指氧化 故障 （ 2）金手指脫落 故障 （ 3）接觸不良 故障 （ 4）內(nèi)存槽異物 故障 （ 5）電信號(hào) 故障 （ 6）帶電拔插 內(nèi)存條 內(nèi)存條信號(hào)測(cè)試點(diǎn) 2．內(nèi)存常見故障現(xiàn)象 故障現(xiàn)象 故 障 主 要 原 因 分 析 死機(jī) ， 無任何報(bào)警信號(hào) 內(nèi)存條與主板接觸不良；內(nèi)存條損壞等 隨機(jī)性死機(jī) 內(nèi)存質(zhì)量不佳；金手指氧化； BIOS中內(nèi)存參數(shù)設(shè)置過高等 運(yùn)行程序中斷 內(nèi)存條性能下降；金手指氧化； BIOS中內(nèi)存參數(shù)設(shè)置過高等 頻繁自動(dòng)重新啟動(dòng) 內(nèi)存條質(zhì)量不佳；金手指接觸不良等 不識(shí)別內(nèi)存條 兼容性問題；主板 BIOS限制；金手指接觸不良等 內(nèi)存容量減少 主板兼容性不好；接觸不良；內(nèi)存條損壞；病毒破壞等 自動(dòng)進(jìn)入安全模式 內(nèi)存質(zhì)量不佳； BIOS中內(nèi)存參數(shù)設(shè)置過高等 進(jìn)入桌面后自動(dòng)關(guān)機(jī) 內(nèi)存質(zhì)量不佳； BIOS中內(nèi)存參數(shù)設(shè)置過高等 加大內(nèi)存后系統(tǒng)資源反而降低 內(nèi)存條兼容性不好等 安裝 Windows時(shí)錯(cuò)誤 內(nèi)存條質(zhì)量不佳；金手指接觸不良等 經(jīng)常報(bào)告注冊(cè)表錯(cuò)誤 內(nèi)存條質(zhì)量不佳；金手指接觸不良等 【 補(bǔ)充 】 FBDIMM服務(wù)器內(nèi)存 FBDIMM（ 全緩沖內(nèi)存模組 ） 是 Intel公司在DDR2基礎(chǔ)上開發(fā)的一種新型內(nèi)存條結(jié)構(gòu) 。 內(nèi)存時(shí)鐘信號(hào)如果不穩(wěn)定，會(huì)導(dǎo)致內(nèi)存工作不正常。 服務(wù)器 內(nèi)存 廣泛采用奇偶校驗(yàn)進(jìn)行檢錯(cuò)。 這個(gè)工作由北橋芯片中的硬件電路自動(dòng)完成。 內(nèi)存數(shù)據(jù)出錯(cuò)校驗(yàn) 奇校驗(yàn)的基本方法 如果一個(gè)字節(jié)中 “1”的個(gè)數(shù)為偶數(shù)個(gè)，則奇校驗(yàn)電路產(chǎn)生一個(gè) “1”，并且將它存儲(chǔ)在校驗(yàn)位中（第 9位），使全部 9位數(shù)據(jù)為奇數(shù)個(gè)。 目前微機(jī)一般 不支持奇偶校驗(yàn)的內(nèi)存條。 內(nèi)存數(shù)據(jù)出錯(cuò)校驗(yàn) 2．奇偶校驗(yàn) 早期內(nèi)存條都設(shè)計(jì)有奇偶校驗(yàn)芯片。 內(nèi)存 故障分析與處理 內(nèi)存數(shù)據(jù)出錯(cuò)校驗(yàn) 1．存儲(chǔ)器引發(fā)的故障 內(nèi)存芯片出錯(cuò)的原因 電源中的尖峰電壓 ； 高頻脈沖干擾信號(hào) ； 電源噪聲 ； 不正確的內(nèi)存速率 ； 無線電射頻干擾 ； 靜電影響等。 相同顏色插槽上安裝內(nèi)存條，只能工作在單通道模式。 單內(nèi)存條無法達(dá)到雙通道的性能。 雙通道 內(nèi)存技術(shù) 可以 使數(shù)據(jù) 等待時(shí)間減少 50%。 多通道技術(shù)： 內(nèi)存控制器在多個(gè)不同數(shù)據(jù)通道上分別尋址、讀寫數(shù)據(jù)。 DDR3的突發(fā)長度 BL=8。 （ 2）尋址時(shí)序 ： DDR2的 CL在 2～ 5， DDR3在 5～ 11。 DDR3的延遲值高于 DDR2。 tRP（ 行預(yù)充電有效周期 ） ： 決定在同一 Bank中不同工作行轉(zhuǎn)換的時(shí)間 。 CL（ 列地址選通潛伏期 ） ： 決定列尋址到數(shù)據(jù)被讀取所花費(fèi)的時(shí)間 。 以上延遲參數(shù)以 tCK（ 內(nèi)存時(shí)鐘周期 ） 為單位 ； 它們的 延遲 時(shí)間為：延遲周期數(shù) tCK的時(shí)間 假設(shè) tCK=5ns時(shí)， “444”的延遲時(shí)間為： 202020（ ns）。 1600是指內(nèi)存數(shù)據(jù)傳輸頻率 ， 內(nèi)存總線位寬為 64bit； 內(nèi)存帶寬 =1600MHz 64bit/8=12800MB/s= 內(nèi)存主要技術(shù)參數(shù) 內(nèi)存條 技術(shù) 規(guī)格 技術(shù)指標(biāo) 技 術(shù) 參 數(shù) 內(nèi)存類型 DDR31600 DDR31333 DDR31066 DDR3800 DDR2400 DDR200 核心頻率 (MHz) 400 333 266 200 100 100 I/O頻率 (MHz) 800 666 533 400 200 100 傳輸頻率 (MHz) 1600 1333 1066 800 400 200 總線位寬 (bit) 64 64 64 64 64 64 最高帶寬 (MB/s) 12800 10664 8528 6400 3200 800 插座類型 DIMM DIMM DIMM DIMM DIMM DIMM 信號(hào)引腳（個(gè)） 240 240 240 240 240 184 長 高（ mm） 133 30 133 30 133 30 133 30 133 30 133 30 適應(yīng) CPU Core i系列 Core i系列 Core i系列 Core i系列 Core 2 Pentium4 工作電壓（ V） 市場(chǎng)應(yīng)用 高端 主流 主流 主流 淘汰 淘汰 內(nèi)存主要技術(shù)參數(shù) 【 補(bǔ)充 】 實(shí)際 捕獲的 DDR2數(shù)據(jù)傳輸信號(hào) 注： DQ=數(shù)據(jù)； DQS=數(shù)據(jù)選取脈沖 內(nèi)存主要技術(shù)參數(shù) 2． DDR內(nèi)存的主要技術(shù)參數(shù) 內(nèi)存數(shù)據(jù)讀寫延遲用 “CLtRCDtRP ” 參數(shù)形式表示。 內(nèi)存主要技術(shù)參數(shù) DDR3內(nèi)存數(shù)據(jù)傳輸 DDR內(nèi)存在時(shí)鐘脈沖的上升和下降沿都可以傳輸數(shù)據(jù) ； DDR3核心 時(shí)鐘頻率 在 200MHz以上； DDR3的 I/O傳輸頻率為 400MHz以上； 因此 DDR3的數(shù)據(jù)傳輸頻率達(dá)到了 800MHz以上 。 內(nèi)存條接口形式與信號(hào) 3． DDR3內(nèi)存條 主要 信號(hào)引腳 數(shù)據(jù) 總線（ DQ0–DQ63）： 64 地址總線 （ A0–A13 ）： 14 Bank地址選擇 （ BA0–BA2 ） ： 3 Rank地址選擇 （ S0–S1）： 2 行地址選通（ RAS） ； 1 列地址選通（ CAS） ： 1 寫允許（ WE ） ； 1 數(shù)據(jù)掩碼（ DM0–DM7） ： 8 電源（ VDD） ： 24 地線 （ VSS） ： 59 時(shí)鐘： 4 共計(jì) 240根信號(hào)線 。 177。 內(nèi)存條接口形式與信號(hào) DDR內(nèi)存技術(shù)參數(shù) 技術(shù)指標(biāo) 技 術(shù) 參 數(shù)
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