計(jì)算機(jī)維修技術(shù)第3版第05章內(nèi)存系統(tǒng)結(jié)構(gòu)與故障維修(參考版)
2025-05-06 06:36本頁(yè)面
【正文】 【 本章結(jié)束 】 。 （ 2） 內(nèi)存 容量越大越好嗎 ？ （ 3） 虛擬 內(nèi)存可以無(wú)限大嗎 。 FBDIMM通過(guò) AMB（ 高級(jí)內(nèi)存緩沖器 ） 芯片 ，將并行傳送轉(zhuǎn)化為串行傳送 ， 以提升內(nèi)存?zhèn)鬏斔俾?。 內(nèi)存常見(jiàn)故障分析 1．內(nèi)存故障原因分析 （ 1）金手指氧化 故障 （ 2）金手指脫落 故障 （ 3）接觸不良 故障 （ 4）內(nèi)存槽異物 故障 （ 5）電信號(hào) 故障 （ 6）帶電拔插 內(nèi)存條 內(nèi)存條信號(hào)測(cè)試點(diǎn) 2．內(nèi)存常見(jiàn)故障現(xiàn)象 故障現(xiàn)象 故 障 主 要 原 因 分 析 死機(jī) ， 無(wú)任何報(bào)警信號(hào) 內(nèi)存條與主板接觸不良；內(nèi)存條損壞等 隨機(jī)性死機(jī) 內(nèi)存質(zhì)量不佳；金手指氧化； BIOS中內(nèi)存參數(shù)設(shè)置過(guò)高等 運(yùn)行程序中斷 內(nèi)存條性能下降；金手指氧化； BIOS中內(nèi)存參數(shù)設(shè)置過(guò)高等 頻繁自動(dòng)重新啟動(dòng) 內(nèi)存條質(zhì)量不佳；金手指接觸不良等 不識(shí)別內(nèi)存條 兼容性問(wèn)題；主板 BIOS限制；金手指接觸不良等 內(nèi)存容量減少 主板兼容性不好；接觸不良；內(nèi)存條損壞；病毒破壞等 自動(dòng)進(jìn)入安全模式 內(nèi)存質(zhì)量不佳； BIOS中內(nèi)存參數(shù)設(shè)置過(guò)高等 進(jìn)入桌面后自動(dòng)關(guān)機(jī) 內(nèi)存質(zhì)量不佳； BIOS中內(nèi)存參數(shù)設(shè)置過(guò)高等 加大內(nèi)存后系統(tǒng)資源反而降低 內(nèi)存條兼容性不好等 安裝 Windows時(shí)錯(cuò)誤 內(nèi)存條質(zhì)量不佳；金手指接觸不良等 經(jīng)常報(bào)告注冊(cè)表錯(cuò)誤 內(nèi)存條質(zhì)量不佳；金手指接觸不良等 【 補(bǔ)充 】 FBDIMM服務(wù)器內(nèi)存 FBDIMM（ 全緩沖內(nèi)存模組 ） 是 Intel公司在DDR2基礎(chǔ)上開(kāi)發(fā)的一種新型內(nèi)存條結(jié)構(gòu) 。 內(nèi)存時(shí)鐘信號(hào)如果不穩(wěn)定，會(huì)導(dǎo)致內(nèi)存工作不正常。 服務(wù)器 內(nèi)存 廣泛采用奇偶校驗(yàn)進(jìn)行檢錯(cuò)。 這個(gè)工作由北橋芯片中的硬件電路自動(dòng)完成。 內(nèi)存數(shù)據(jù)出錯(cuò)校驗(yàn) 奇校驗(yàn)的基本方法 如果一個(gè)字節(jié)中 “1”的個(gè)數(shù)為偶數(shù)個(gè)，則奇校驗(yàn)電路產(chǎn)生一個(gè) “1”，并且將它存儲(chǔ)在校驗(yàn)位中（第 9位），使全部 9位數(shù)據(jù)為奇數(shù)個(gè)。 目前微機(jī)一般 不支持奇偶校驗(yàn)的內(nèi)存條。 內(nèi)存數(shù)據(jù)出錯(cuò)校驗(yàn) 2．奇偶校驗(yàn) 早期內(nèi)存條都設(shè)計(jì)有奇偶校驗(yàn)芯片。 內(nèi)存 故障分析與處理 內(nèi)存數(shù)據(jù)出錯(cuò)校驗(yàn) 1．存儲(chǔ)器引發(fā)的故障 內(nèi)存芯片出錯(cuò)的原因 電源中的尖峰電壓 ； 高頻脈沖干擾信號(hào) ； 電源噪聲 ； 不正確的內(nèi)存速率 ； 無(wú)線電射頻干擾 ； 靜電影響等。 相同顏色插槽上安裝內(nèi)存條，只能工作在單通道模式。 單內(nèi)存條無(wú)法達(dá)到雙通道的性能。 雙通道 內(nèi)存技術(shù) 可以 使數(shù)據(jù) 等待時(shí)間減少 50%。 多通道技術(shù)： 內(nèi)存控制器在多個(gè)不同數(shù)據(jù)通道上分別尋址、讀寫(xiě)數(shù)據(jù)。 DDR3的突發(fā)長(zhǎng)度 BL=8。 （ 2）尋址時(shí)序 ： DDR2的 CL在 2～ 5， DDR3在 5～ 11。 DDR3的延遲值高于 DDR2。 tRP（ 行預(yù)充電有效周期 ） ： 決定在同一 Bank中不同工作行轉(zhuǎn)換的時(shí)間 。 CL（ 列地址選通潛伏期 ） ： 決定列尋址到數(shù)據(jù)被讀取所花費(fèi)的時(shí)間 。 以上延遲參數(shù)以 tCK（ 內(nèi)存時(shí)鐘周期 ） 為單位 ； 它們的 延遲 時(shí)間為：延遲周期數(shù) tCK的時(shí)間 假設(shè) tCK=5ns時(shí)， “444”的延遲時(shí)間為： 202020（ ns）。 1600是指內(nèi)存數(shù)據(jù)傳輸頻率 ， 內(nèi)存總線位寬為 64bit； 內(nèi)存帶寬 =1600MHz 64bit/8=12800MB/s= 內(nèi)存主要技術(shù)參數(shù) 內(nèi)存條 技術(shù) 規(guī)格 技術(shù)指標(biāo) 技 術(shù) 參 數(shù) 內(nèi)存類(lèi)型 DDR31600 DDR31333 DDR31066 DDR3800 DDR2400 DDR200 核心頻率 (MHz) 400 333 266 200 100 100 I/O頻率 (MHz) 800 666 533 400 200 100 傳輸頻率 (MHz) 1600 1333 1066 800 400 200 總線位寬 (bit) 64 64 64 64 64 64 最高帶寬 (MB/s) 12800 10664 8528 6400 3200 800 插座類(lèi)型 DIMM DIMM DIMM DIMM DIMM DIMM 信號(hào)引腳（個(gè)） 240 240 240 240 240 184 長(zhǎng) 高（ mm） 133 30 133 30 133 30 133 30 133 30 133 30 適應(yīng) CPU Core i系列 Core i系列 Core i系列 Core i系列 Core 2 Pentium4 工作電壓（ V） 市場(chǎng)應(yīng)用 高端 主流 主流 主流 淘汰 淘汰 內(nèi)存主要技術(shù)參數(shù) 【 補(bǔ)充 】 實(shí)際 捕獲的 DDR2數(shù)據(jù)傳輸信號(hào) 注： DQ=數(shù)據(jù)； DQS=數(shù)據(jù)選取脈沖 內(nèi)存主要技術(shù)參數(shù) 2． DDR內(nèi)存的主要技術(shù)參數(shù) 內(nèi)存數(shù)據(jù)讀寫(xiě)延遲用 “CLtRCDtRP ” 參數(shù)形式表示。 內(nèi)存主要技術(shù)參數(shù) DDR3內(nèi)存數(shù)據(jù)傳輸 DDR內(nèi)存在時(shí)鐘脈沖的上升和下降沿都可以傳輸數(shù)據(jù) ； DDR3核心 時(shí)鐘頻率 在 200MHz以上； DDR3的 I/O傳輸頻率為 400MHz以上； 因此 DDR3的數(shù)據(jù)傳輸頻率達(dá)到了 800MHz以上 。 內(nèi)存條接口形式與信號(hào) 3． DDR3內(nèi)存條 主要 信號(hào)引腳 數(shù)據(jù) 總線（ DQ0–DQ63）： 64 地址總線 （ A0–A13 ）： 14 Bank地址選擇 （ BA0–BA2 ） ： 3 Rank地址選擇 （ S0–S1）： 2 行地址選通（ RAS） ； 1 列地址選通（ CAS） ： 1 寫(xiě)允許（ WE ） ； 1 數(shù)據(jù)掩碼（ DM0–DM7） ： 8 電源（ VDD） ： 24 地線 （ VSS） ： 59 時(shí)鐘： 4 共計(jì) 240根信號(hào)線 。 177。 內(nèi)存條接口形式與信號(hào) DDR內(nèi)存技術(shù)參數(shù) 技術(shù)指標(biāo) 技 術(shù) 參 數(shù)
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