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計(jì)算機(jī)維修技術(shù)第3版第05章內(nèi)存系統(tǒng)結(jié)構(gòu)與故障維修(參考版)

2025-05-06 06:36本頁面
  

【正文】 【 本章結(jié)束 】 。 ( 2) 內(nèi)存 容量越大越好嗎 ? ( 3) 虛擬 內(nèi)存可以無限大嗎 。 FBDIMM通過 AMB( 高級內(nèi)存緩沖器 ) 芯片 ,將并行傳送轉(zhuǎn)化為串行傳送 , 以提升內(nèi)存?zhèn)鬏斔俾?。 內(nèi)存常見故障分析 1.內(nèi)存故障原因分析 ( 1)金手指氧化 故障 ( 2)金手指脫落 故障 ( 3)接觸不良 故障 ( 4)內(nèi)存槽異物 故障 ( 5)電信號 故障 ( 6)帶電拔插 內(nèi)存條 內(nèi)存條信號測試點(diǎn) 2.內(nèi)存常見故障現(xiàn)象 故障現(xiàn)象 故 障 主 要 原 因 分 析 死機(jī) , 無任何報(bào)警信號 內(nèi)存條與主板接觸不良;內(nèi)存條損壞等 隨機(jī)性死機(jī) 內(nèi)存質(zhì)量不佳;金手指氧化; BIOS中內(nèi)存參數(shù)設(shè)置過高等 運(yùn)行程序中斷 內(nèi)存條性能下降;金手指氧化; BIOS中內(nèi)存參數(shù)設(shè)置過高等 頻繁自動重新啟動 內(nèi)存條質(zhì)量不佳;金手指接觸不良等 不識別內(nèi)存條 兼容性問題;主板 BIOS限制;金手指接觸不良等 內(nèi)存容量減少 主板兼容性不好;接觸不良;內(nèi)存條損壞;病毒破壞等 自動進(jìn)入安全模式 內(nèi)存質(zhì)量不佳; BIOS中內(nèi)存參數(shù)設(shè)置過高等 進(jìn)入桌面后自動關(guān)機(jī) 內(nèi)存質(zhì)量不佳; BIOS中內(nèi)存參數(shù)設(shè)置過高等 加大內(nèi)存后系統(tǒng)資源反而降低 內(nèi)存條兼容性不好等 安裝 Windows時(shí)錯(cuò)誤 內(nèi)存條質(zhì)量不佳;金手指接觸不良等 經(jīng)常報(bào)告注冊表錯(cuò)誤 內(nèi)存條質(zhì)量不佳;金手指接觸不良等 【 補(bǔ)充 】 FBDIMM服務(wù)器內(nèi)存 FBDIMM( 全緩沖內(nèi)存模組 ) 是 Intel公司在DDR2基礎(chǔ)上開發(fā)的一種新型內(nèi)存條結(jié)構(gòu) 。 內(nèi)存時(shí)鐘信號如果不穩(wěn)定,會導(dǎo)致內(nèi)存工作不正常。 服務(wù)器 內(nèi)存 廣泛采用奇偶校驗(yàn)進(jìn)行檢錯(cuò)。 這個(gè)工作由北橋芯片中的硬件電路自動完成。 內(nèi)存數(shù)據(jù)出錯(cuò)校驗(yàn) 奇校驗(yàn)的基本方法 如果一個(gè)字節(jié)中 “1”的個(gè)數(shù)為偶數(shù)個(gè),則奇校驗(yàn)電路產(chǎn)生一個(gè) “1”,并且將它存儲在校驗(yàn)位中(第 9位),使全部 9位數(shù)據(jù)為奇數(shù)個(gè)。 目前微機(jī)一般 不支持奇偶校驗(yàn)的內(nèi)存條。 內(nèi)存數(shù)據(jù)出錯(cuò)校驗(yàn) 2.奇偶校驗(yàn) 早期內(nèi)存條都設(shè)計(jì)有奇偶校驗(yàn)芯片。 內(nèi)存 故障分析與處理 內(nèi)存數(shù)據(jù)出錯(cuò)校驗(yàn) 1.存儲器引發(fā)的故障 內(nèi)存芯片出錯(cuò)的原因 電源中的尖峰電壓 ; 高頻脈沖干擾信號 ; 電源噪聲 ; 不正確的內(nèi)存速率 ; 無線電射頻干擾 ; 靜電影響等。 相同顏色插槽上安裝內(nèi)存條,只能工作在單通道模式。 單內(nèi)存條無法達(dá)到雙通道的性能。 雙通道 內(nèi)存技術(shù) 可以 使數(shù)據(jù) 等待時(shí)間減少 50%。 多通道技術(shù): 內(nèi)存控制器在多個(gè)不同數(shù)據(jù)通道上分別尋址、讀寫數(shù)據(jù)。 DDR3的突發(fā)長度 BL=8。 ( 2)尋址時(shí)序 : DDR2的 CL在 2~ 5, DDR3在 5~ 11。 DDR3的延遲值高于 DDR2。 tRP( 行預(yù)充電有效周期 ) : 決定在同一 Bank中不同工作行轉(zhuǎn)換的時(shí)間 。 CL( 列地址選通潛伏期 ) : 決定列尋址到數(shù)據(jù)被讀取所花費(fèi)的時(shí)間 。 以上延遲參數(shù)以 tCK( 內(nèi)存時(shí)鐘周期 ) 為單位 ; 它們的 延遲 時(shí)間為:延遲周期數(shù) tCK的時(shí)間 假設(shè) tCK=5ns時(shí), “444”的延遲時(shí)間為: 202020( ns)。 1600是指內(nèi)存數(shù)據(jù)傳輸頻率 , 內(nèi)存總線位寬為 64bit; 內(nèi)存帶寬 =1600MHz 64bit/8=12800MB/s= 內(nèi)存主要技術(shù)參數(shù) 內(nèi)存條 技術(shù) 規(guī)格 技術(shù)指標(biāo) 技 術(shù) 參 數(shù) 內(nèi)存類型 DDR31600 DDR31333 DDR31066 DDR3800 DDR2400 DDR200 核心頻率 (MHz) 400 333 266 200 100 100 I/O頻率 (MHz) 800 666 533 400 200 100 傳輸頻率 (MHz) 1600 1333 1066 800 400 200 總線位寬 (bit) 64 64 64 64 64 64 最高帶寬 (MB/s) 12800 10664 8528 6400 3200 800 插座類型 DIMM DIMM DIMM DIMM DIMM DIMM 信號引腳(個(gè)) 240 240 240 240 240 184 長 高( mm) 133 30 133 30 133 30 133 30 133 30 133 30 適應(yīng) CPU Core i系列 Core i系列 Core i系列 Core i系列 Core 2 Pentium4 工作電壓( V) 市場應(yīng)用 高端 主流 主流 主流 淘汰 淘汰 內(nèi)存主要技術(shù)參數(shù) 【 補(bǔ)充 】 實(shí)際 捕獲的 DDR2數(shù)據(jù)傳輸信號 注: DQ=數(shù)據(jù); DQS=數(shù)據(jù)選取脈沖 內(nèi)存主要技術(shù)參數(shù) 2. DDR內(nèi)存的主要技術(shù)參數(shù) 內(nèi)存數(shù)據(jù)讀寫延遲用 “CLtRCDtRP ” 參數(shù)形式表示。 內(nèi)存主要技術(shù)參數(shù) DDR3內(nèi)存數(shù)據(jù)傳輸 DDR內(nèi)存在時(shí)鐘脈沖的上升和下降沿都可以傳輸數(shù)據(jù) ; DDR3核心 時(shí)鐘頻率 在 200MHz以上; DDR3的 I/O傳輸頻率為 400MHz以上; 因此 DDR3的數(shù)據(jù)傳輸頻率達(dá)到了 800MHz以上 。 內(nèi)存條接口形式與信號 3. DDR3內(nèi)存條 主要 信號引腳 數(shù)據(jù) 總線( DQ0–DQ63): 64 地址總線 ( A0–A13 ): 14 Bank地址選擇 ( BA0–BA2 ) : 3 Rank地址選擇 ( S0–S1): 2 行地址選通( RAS) ; 1 列地址選通( CAS) : 1 寫允許( WE ) ; 1 數(shù)據(jù)掩碼( DM0–DM7) : 8 電源( VDD) : 24 地線 ( VSS) : 59 時(shí)鐘: 4 共計(jì) 240根信號線 。 177。 內(nèi)存條接口形式與信號 DDR內(nèi)存技術(shù)參數(shù) 技術(shù)指標(biāo) 技 術(shù) 參 數(shù)
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