晶體硅電池制作過程(參考版)
2025-05-05 08:31本頁面
【正文】 。 （ 9） 燒結(jié)：將電池芯片燒結(jié)于鎳或銅的底板上。制作減反射膜的材料有 MgF2 ， SiO2 ， Al2O3 ， SiO ， Si3N4 ， TiO2 ， Ta2O5等。鋁漿印刷是大量采用的工藝方法。 （ 7） 制作上下電極：用真空蒸鍍、化學(xué)鍍鎳或鋁漿印刷燒結(jié)等工藝。 （ 6） 去除背面 PN＋結(jié)。 （ 4） 磷擴散：采用涂布源（或液態(tài)源，或固態(tài)氮化磷片狀源）進行擴散，制成 PN＋結(jié)，結(jié)深一般為 － 。 （ 2） 清洗：用常規(guī)的硅片清洗方法清洗，然后用酸（或堿）溶液將硅片表面切割損傷層除去 30－ 50um。因為一整層連續(xù)的背面電極會因為不同的熱膨脹系數(shù)，而使得晶片在高溫處理時發(fā)生彎曲變形。這是因為銀粉本身無法與 P型硅形成歐姆接觸，而鋁雖然可與 P型硅形成歐姆接觸，但焊接性差，必須兩者混合使用。 57 59 尼龍絲網(wǎng)印刷基本流程 61 不銹鋼絲網(wǎng)印刷基本流程 Close up of a screen used for printing the front contact of a solar cell. During printing, metal paste is forced through the wire mesh in unmasked areas. The size of the wire mesh determines the minimum width of the fingers. Finger widths are typically 100 to 200 181。 ?印刷板多用人造纖維或不銹鋼絲，線的直徑約 10μm左右，間距約 100μm。 原理：利用絲網(wǎng)圖形部分網(wǎng)孔透漿料，非圖形部分網(wǎng)孔不透漿料的基本原理進行印刷。 54 ?太陽電池對正面金屬電極的要求： 與硅接觸時電阻低；金屬線寬??；附著力強；可焊接性強；可大量生產(chǎn)及低制造成本。 ?鈍化的作用起因與抗反射層內(nèi)部的氫原子，因為氫原子可以與多晶硅內(nèi)部的雜質(zhì)及缺陷（如晶界）發(fā)生反應(yīng)，而大幅降低多晶硅內(nèi)部在電性上的活性，降低了少數(shù)載流子再結(jié)合的機會，此鈍化稱為 Bulk Passivation。 ?在此反射層內(nèi)，會含有將近 40%原子比例的氫原子，雖然非晶的氮化硅的化學(xué)式寫作 SiNx，但實際上應(yīng)該是 aSiNx: H。 51 (1) APCVD ? PECVD法一般被用來生產(chǎn)氮化硅（ SiNx）抗反射層。將鈦的有機化合物漿料利用噴嘴（ nozzle）噴濺在 200℃ 環(huán)境的硅晶片上，使得鈦有機化合物在晶片表面產(chǎn)生水解反應(yīng)，而將氧化鈦沉積蒸鍍在硅晶片的表面。 CVD法又可分為 APCVD（ Atmospheric Pressure CVD）、PECVD(Plasma Enhanced CVD)和 RPCVD (Reduced Pressure CVD)。 49 3 邊緣絕緣處理（ Edge Isolation） ?抗反射層的材料： 有氧化鈦、氮化硅、一氧化硅、氧化鋁、二氧化硅、氧化鈰等。 ?方法： 一般采用低溫的干蝕刻技術(shù)（ dry etching）。圖中直線陳列四根金屬探針（一般用鎢絲腐蝕而成）排列在彼此相距為 S一直線上，并且要求探針同時與樣品表面接觸良好，外面一對探針用來通電流、當(dāng)有電流注入時，樣品內(nèi)部各點將產(chǎn)生電位，里面一對探針用來測量 3點間的電位差。可見， （ ρ/t） 代表一個方塊的電阻，故稱為方塊電阻，特記為 R□ = ρ/t (Ω/□ ) 擴散層薄層電阻的測試 ? 目前生產(chǎn)中，測量擴散層薄層電阻廣泛采用四探針法。 46 擴散層薄層電阻及其測量 方塊電阻的定義 ?考慮一塊長為 l、寬為a、厚為 t的薄層如右圖。 ? 在太陽電池擴散工藝中，擴散層薄層電阻（方塊電阻）是反映擴散層質(zhì)量是否符合設(shè)計要求的重要工藝指標之一。 ????? ??? 25225 1 0 C lO2P5O4 P C l 2過 量O?在有氧氣的存在時， POCl3熱分解的反應(yīng)式為： ? POCl3分解產(chǎn)生的 P2O5淀積在硅片表面，P2O5與硅反應(yīng)生成 SiO2和磷原子，并在硅片表面形成一層磷 硅玻璃，然后磷原子再向硅中進行擴散 。 41 POCl3 簡介 POCl3磷擴散原理 ? POCl3在高溫下 （ 600℃ ） 分解生成五
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