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電介質(zhì)的電導(dǎo)ppt課件(參考版)

2025-05-04 18:00本頁面
  

【正文】 a U KTU2eKTea ????6遷移率為:熱激發(fā)越過勢壘的電子KTU22eKTanene ??????63. 自由電子氣模型 在強(qiáng)電場下,出現(xiàn)場致冷發(fā)射,電子通過電極注入方式引起 —— 電荷注入型電流。 2. 跳躍模型 各分子的電子越過分子間的勢壘,形成導(dǎo)電。為電子有效質(zhì)量,為:導(dǎo)帶底附近的狀態(tài)密度hmEEhmVEDece*21323*)()2(4)( ???KTEEn FeEfE???11)(占據(jù)的幾率為:的量子態(tài)被一個(gè)電子能量為KTEEnFFCCFeEf KTEEKTEEEE??????)(,故:,即,而對電介質(zhì)量應(yīng)滿足導(dǎo)帶中電子所具有的能????導(dǎo)帶有效狀態(tài)密度??????CeCKTEECNhKTmNeNnFC323*)2(2價(jià)帶有效狀態(tài)密度??????ppVKTEEVNhKTmNeNpVF323*)2(2KTEVCgeNNpn pn2???? ,故:全由價(jià)帶激發(fā),即電介質(zhì)中,導(dǎo)帶電子完ECmax EC EV EVmin EF Eg 施主能級(jí) ECmax EC EV EVmin EF Eg 受主能級(jí) 當(dāng) Eg3ev時(shí),本征激發(fā)的電子和空穴濃度很低,故電子電導(dǎo)不明顯。能級(jí)上電子的占有幾率導(dǎo)帶的能級(jí)狀態(tài)密度;晶體的體積;)(。 ?來源:金屬電極、熱電子發(fā)射、場致冷發(fā)射和碰撞電離。 五、固體介質(zhì)的表面電導(dǎo) ?ddSVVVVVVVVVEESIjGmVGVdSI?????????????????)體積電導(dǎo)()體積電導(dǎo)率(/11SSSSSSSSSEEIjGVGVdI??????????????????)表面電導(dǎo)()表面電導(dǎo)率(/11絕緣電阻與體積、表面電阻的關(guān)系 注: 1測量電極 三電極系統(tǒng) 體積電流的測量 表面電流的測量 ( M—主電極; H—對電極; G—保護(hù)電極。 2 5 5 0 02 2 0 0 0e x 3221????????? ?BOBBS i Ocm10 TBA 17::)()(純玻璃:激活能大,電導(dǎo)率低 ????????????????????C cnnn b.BU aLiNaK 0雜質(zhì)離子的濃度結(jié)果:等的氧化物、在玻璃中加堿玻璃:)...2Li Na K R ?C651032210~%%~%42???????????????????常數(shù),)(常數(shù),系玻璃;系玻璃馬爾金經(jīng)驗(yàn)公式:繆列爾C CC CnOBnSi OC O N ST A N TCBnARKARNaARLi???::
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