電介質(zhì)的電導(dǎo)ppt課件-wenkub.com
2025-04-28 18:00 本頁面
【正文】 越過勢(shì)壘的方式有：高電場(chǎng)下的隧道效應(yīng)；溫度引起的熱激發(fā)。價(jià)帶上的空穴濃度為為濃度設(shè)晶體中導(dǎo)帶上的電子????? ?)()()(1m a xEfEDVdEEDEfVnpnnEEnCC為普朗克常數(shù)。） 圖、體積電流和表面電流的測(cè)量 影響表面電導(dǎo)的因素： ??親水介質(zhì)：浸潤(rùn)角 ?90 ?疏水介質(zhì)： 浸潤(rùn)角 ?90 ?六、固體介質(zhì)的電子電導(dǎo) ?主要為：禁帶寬度（ Eg）較小的電介質(zhì)和薄膜介質(zhì)。 可由實(shí)驗(yàn)來確定活化能 U=KB 四、無定形固體介質(zhì)的電導(dǎo) 玻璃為典型的無定形固體介質(zhì)，它沒有固定的活化能，活化能 U為平均值。和離子，如的缺陷電導(dǎo)離子主要為晶體內(nèi)子電導(dǎo)，完整的晶體不會(huì)產(chǎn)生離本征離子電導(dǎo)NNKTUNNnF r e nk e lKTUNn Sc ho t t k yD e f e c t s F r e nk e lD e f e c t s Sc ho t t k y FFSS???????2e x pe x p.1缺陷離子數(shù)—）（電導(dǎo)率為：缺陷離子所形成的離子所需克服的位壘高度。 167。 二、液體介質(zhì)的離子電導(dǎo) 電導(dǎo)率分別為：故離子電導(dǎo)電流密度和）（離子的遷移率為：）（為：離子宏觀平均漂移速度）（：將液體看成類固體，則由熱離子勢(shì)壘模型，可、電導(dǎo)率與溫度的關(guān)系、短程有序：接近固體、有流動(dòng)性、液體介質(zhì)的結(jié)構(gòu)特征KTUKTqEvEKTUKTqnnvEKTUKTqnn0202000e x p6e x p6e x p621?????????????????????)e x p (6)e x p (60220002200KTUKTqnqnEKTUKTqnEqnj??????????????）（項(xiàng)變化顯著溫度變化的指數(shù)項(xiàng)遠(yuǎn)比）（：電導(dǎo)率關(guān)系式可簡(jiǎn)化為TBA TaTBTa???????e x pe x p??lnT1本征 雜質(zhì) TBATBATBATBATBA2211212211lnlnlnlnlne x pe x plnln?????????????????）（）（雜質(zhì)離子，則：如液體介質(zhì)存在本征和三、液體介質(zhì)的電泳電導(dǎo) —— 膠粒 來源： 1）加樹脂（提高黏度、穩(wěn)定性） —— 懸浮離子； 2）過量的水 —— 細(xì)小水珠。 167。的電流，氣體介質(zhì)常數(shù)，因此在弱電場(chǎng)下這是一個(gè)與電場(chǎng)無關(guān)的）（，則：、分別為如正、負(fù)離子的遷移率?????????????NeSjq N ddnNdqjnqdj ????????常數(shù)）（，電場(chǎng)較強(qiáng)時(shí)，2 ??通常所說的電導(dǎo)率均是指飽和區(qū)的電導(dǎo)率。 二、氣體介質(zhì)的電流 電壓關(guān)系（伏 安特性曲線） )/( 2mAj)/( mVEI II III 1E 2ESj負(fù)離子的濃度。 167。 ?a ?b c ??導(dǎo)帶 價(jià)帶 a. 電子導(dǎo)電 b. 空穴導(dǎo)電 c. 受激激子：雜質(zhì)離子與價(jià)帶電子的復(fù)合（不參與導(dǎo)電） 物理性質(zhì) 半導(dǎo)體（ Si、 Ge） 電介質(zhì)（ NaCl等）
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