數(shù)電cmos邏輯門(mén)ppt課件(參考版)
2025-05-03 18:24本頁(yè)面
【正文】 作業(yè)根據(jù)大學(xué)號(hào)分單雙號(hào)交，每周一次，周一上課前交。 CMOS器件的功耗低、扇出數(shù)大，噪聲容限大，靜態(tài)功耗小，動(dòng)態(tài)功耗隨頻率的增加而增加。n： 接入的輸入端數(shù)目 (TSL)輸出門(mén)電路10011截止導(dǎo)通111高阻 0 輸出 L輸入 A使能 EN001100截止導(dǎo)通01截止截止X1邏輯功能：高電平有效的同相邏輯三態(tài)門(mén)01 CMOS傳輸門(mén) (雙向模擬開(kāi)關(guān) ) 1. CMOS傳輸門(mén)電路電路 邏輯符號(hào)υI / υO(shè) υo/ υIC等效電路 CMOS傳輸門(mén)電路的工作原理 設(shè) TP:|VTP|=2V， TN:VTN=2V?I的變化范圍為－ 5V到 +5V。IIH(total) ： =nIIH?！?11IIH（ total)IOZ（total) 必須保證 VOH≥VOH(min)，所以 RP要足夠小，有一個(gè)最大值 RP(max)。n…amp。amp。n：負(fù)載門(mén)數(shù)目（與非門(mén)負(fù)載） 接入的輸入端數(shù)目（或非門(mén)負(fù)載）當(dāng) VO=VOH+V DDRPamp。…kIIL（ total)IOL（ max)IOL(max) ： OD門(mén)的輸出端為低電平時(shí)，允許的最大負(fù)載電流IIL(total) ： =nIIL。n…amp。amp。最不利的情況：只有一個(gè) OD門(mén)導(dǎo)通110+V DDIILRPamp。mamp。amp。amp。但負(fù)載電容的充電時(shí)間常數(shù)亦愈大，開(kāi)關(guān)速度因而愈慢 。但功耗大 ,且可能使輸出電流超過(guò)允許的最大值 IOL(max） 。+VDDVSSTP1TN1TP2TN2ABL電路 邏輯符號(hào)(b)與非邏輯不變漏極開(kāi)路門(mén)輸出連接(a)工作時(shí)必須外接電源和電阻 。增加了緩沖器后的邏輯功能為與非功能1） CMOS漏極開(kāi)路門(mén)的提出輸出短接，在一定情況下會(huì)產(chǎn)生低阻通路，大電流有可能導(dǎo)致器件的損毀，并且無(wú)法確定輸出是高電平還是低電平。(a)電路結(jié)構(gòu) (b)工作原理VTN = 2 V VTP = ? 2 V0V10VN輸入的與非門(mén)的電路 ?輸入端增加有什么問(wèn)題 ? CMOS 邏輯門(mén)或非門(mén) 或 非門(mén)+VDD +10VTP1TN1 TN2TP2ABLA B TN1
教學(xué)課件相關(guān)推薦
鄂ICP備17016276號(hào)-1