模塊一—常用電子元器(參考版)
2025-05-02 12:05本頁(yè)面
【正文】 三極管具有電流放大作用的外部條件是發(fā)射結(jié)必須正向偏置，集電結(jié)必須反向偏置。特殊二極管既有二極管的特性，又具有自身的特殊性能，如穩(wěn)壓二極管用來(lái)穩(wěn)壓，發(fā)光二極管用來(lái)發(fā)光、光電二極管用來(lái)進(jìn)行光電轉(zhuǎn)換等。 半導(dǎo)體二極管由一個(gè) PN結(jié)構(gòu)成，它具有單向?qū)щ娦浴? 雜質(zhì)半導(dǎo)體分為 N型和 P型半導(dǎo)體兩類(lèi)。 模塊一 常用電子元器件 本 章 小 結(jié) 光敏電阻、熱敏電阻和壓敏電阻是三種特殊的半導(dǎo)體器件。 α越大越好。 （ 2）電壓溫度系數(shù) αu 當(dāng)通過(guò)壓敏電阻的電流保持恒定時(shí)，溫度每變化 1℃ 電壓的相對(duì)變化百分比，稱(chēng)為壓敏電阻的電壓溫度系數(shù)αu。 （ 1）壓敏電壓 U1mA 壓敏電壓是指在直流工作電壓條件下，壓敏電阻中流過(guò)規(guī)定直流電流時(shí)，其兩端的端電壓。其大小與熱敏電阻的結(jié)構(gòu)、形狀以及所處介質(zhì)的種類(lèi)、狀態(tài)等有關(guān)。標(biāo)稱(chēng)電阻是阻值的大小由熱敏電阻材料和幾何尺寸決定。 模塊一 常用電子元器件 熱敏電阻 熱敏電阻的主要參數(shù)有標(biāo)稱(chēng)電阻值、電阻溫度系數(shù)和耗散系數(shù)等。此時(shí)流過(guò)的電流稱(chēng)為亮電流。此時(shí)流過(guò)的電流，稱(chēng)為暗電流。 MOS場(chǎng)效應(yīng)管的 RGS可達(dá)以上 模塊一 常用電子元器件 特種半導(dǎo)體器件簡(jiǎn)介 光敏電阻 光敏電阻有暗電阻、亮電阻和光電流等參數(shù)。 在一定的漏 –源電壓 UDS下，使管子由不導(dǎo)通變?yōu)閷?dǎo)通的臨界柵源電壓稱(chēng)為開(kāi)啟電壓 UＴ 。在一定的 UDS下漏極電流ID的大小與柵源電壓 UGS有關(guān)。UGS愈高，導(dǎo)電溝道愈寬。 S D 當(dāng) UGS 0 時(shí)， P型襯底中的電子受到電場(chǎng)力的吸引到達(dá)表層，填補(bǔ)空穴形成負(fù)離子的耗盡層； 模塊一 常用電子元器件 P型硅襯底 N+ N+ G S D + – UGS Ｕ DＤ + – N型導(dǎo)電溝道 在漏極電源的作用下將產(chǎn)生漏極電流 ID，管子導(dǎo)通。 模塊一 常用電子元器件 N溝道增強(qiáng)型ＭＯＳ管的工作原理 P型硅襯底 N+ N+ G S D + – UGS Ｕ DＳ + – 由結(jié)構(gòu)圖可見(jiàn) ， N+型漏區(qū)和 N+型源區(qū)之間被 P型襯底隔開(kāi)，漏極和源極之間是兩個(gè)背靠背的 PN結(jié) 。 模塊一 常用電子元器件 N溝道增強(qiáng)型 MOS管的結(jié)構(gòu) G S D 符號(hào) 由于柵極是絕緣的，柵極電流幾乎為零，輸入電阻很高，最高可達(dá) 109? 。 結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管 按結(jié)構(gòu)不同場(chǎng)效應(yīng)管有兩種 : 絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管 本節(jié)僅介紹絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管 MOS場(chǎng)效應(yīng)管及其基本放大電路 ?910絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管由稱(chēng)金屬 氧化物 半導(dǎo)體制成故又稱(chēng)為 MOS場(chǎng)效應(yīng)管。 模塊一 常用電子元器件 場(chǎng)效應(yīng)晶體管是利用電場(chǎng)效應(yīng)來(lái)控制電流的一種半導(dǎo)體器件，即是 電壓控制元件 。 應(yīng)用實(shí)例 (略 ) 晶體管作開(kāi)關(guān)使用的電路如右圖所示。 (3) 溫度對(duì) UBE的影響 UBE具有負(fù)的溫度系數(shù)。 (2) 溫度對(duì) ICBO的影響 實(shí)驗(yàn)證明， ICBO隨溫度按指數(shù)規(guī)律變化。下圖中標(biāo)示出了三極管的 安全工作區(qū)。 c. 集電極最大允許功耗 PCM 模塊一 常用電子元器件 集電極電流 IC 流過(guò)三極管， 所發(fā)出的功率為： PC =ICUCE ，必定導(dǎo)致結(jié)溫 上升，所以 PC有限制。 射極反向擊穿電壓 當(dāng)集 射極之間的電壓 UCE超過(guò)一定的數(shù)值時(shí)，三極管就會(huì)被擊穿。 指基極開(kāi)路 ,集電結(jié)反偏和發(fā)射結(jié)正偏時(shí)的集電極電流，習(xí)慣稱(chēng)穿透電流 。 模塊一 常用電子元器件 射極反向截止電流 ICEO ICEO= ? IBE+ICBO ICEO受溫度影響很大，當(dāng)溫度上升時(shí)， ICEO增加很快，所以 IC也相應(yīng)增加?；鶚O電流的變化量為 ?IB， 相應(yīng)的集電極電流變化為 ?IC， 則交流電流放大倍數(shù)為： BIIC????在以后的計(jì)算中，一般作近似處理 ： ? = ? 和 β雖然定義不同，但兩者數(shù)值較為接近。 即： UCE?UBE ， ?IBIC， UCE? 三極管的主要參數(shù)及溫度影響 1. 三極管的主要參數(shù)
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