模電第五章場(chǎng)效應(yīng)管(參考版)
2025-05-02 12:04本頁(yè)面
【正文】 見(jiàn) P221表 ：密勒效應(yīng)使 CM1很小 ,=（ 1－ Av)Cgd 。 電路如圖題 ，設(shè)場(chǎng)效應(yīng)管的參數(shù)為 gm1=1 mS， gm2＝ mS， 且滿(mǎn)足 1／ gm1 rds1和 1／ gm2 rds2，試求 AV = VO / Vi 圖解 電路如圖題 ，設(shè)場(chǎng)效應(yīng)管的參數(shù)為 gm1=1 mS， gm2＝ mS， 且滿(mǎn)足 1／ gm1 rds1和 1／ gm2 rds2，試求 AV = VO / Vi 解：圖題 ，由圖可求出 21110111???????????RgRgvvAmdmiov21110111???????????RgRgvvAmdmiov（ 3） ???? kRRRR gggi 2 0 7 5// 213管子漏極對(duì)地的輸出電阻大為增加，可作電流源用。 It 對(duì) T2，從 S2看進(jìn)去的等效電阻設(shè)為 R， 求的電路為 2222222221//11mdsmdstttmdstgsmdsttgrgrIVRVgrVVgrVI?????????????????????????圖題 g2 d2 + gmVgs It 電路如圖題，設(shè)場(chǎng)效應(yīng)管的參數(shù)為 gm1=1 mS， gm2＝ mS， 且滿(mǎn)足 1／ gm1 rds1和 1／ gm2 rds2，試求 AV = VO / Vi 圖題 圖題 g2 d2 + gmVgs 試問(wèn)它們各是哪種類(lèi)型的FET? 4 5． 1． 1 圖題 5． 1． 1所示為 MOSFET的轉(zhuǎn)移特性，請(qǐng)分別說(shuō)明各屬于何種溝道。 SDGGGDDSDGGS RIRRRURIUU ????? 2122. 分壓式自偏壓電路 使漏源電壓為負(fù) 關(guān)鍵是記住 其余指標(biāo)求解與上例同 5． 3． 4 試在具有四象限的直角坐標(biāo)上分別畫(huà)出各種類(lèi)型 FET(包括 N溝道、 P溝道 MOS增強(qiáng)型和耗盡型， JFETP溝道、 N溝道耗盡型）轉(zhuǎn)移特性示意圖，并標(biāo)明各自的開(kāi)啟電壓或夾斷電壓。在漏極電源作用下 )(0SDDDDDSSDSDSGGSRRIUURIRIUUU????????? 這種電路不宜用增強(qiáng)型 MOS管 ， 因?yàn)殪o態(tài)時(shí)該電 路不能使管子開(kāi)啟 （ 即 ID=0） 。 場(chǎng)效應(yīng)管是電壓控制器件 ， 它沒(méi)有偏流 ， 關(guān)鍵是建立適當(dāng)?shù)臇旁雌珘?UGS。對(duì)場(chǎng)效應(yīng)管動(dòng)態(tài)工作情況的分析也可采用圖解法或微變等效電路法。 3．動(dòng)態(tài)分析 場(chǎng)效應(yīng)管放大電路中除偏置電路元件及電源外，還有隔直流電容和旁路電容等元件，它們的作用與雙極型三極管阻容耦合放大電路中的相同。 2．靜態(tài)分析 和雙極性三極管一樣，對(duì)場(chǎng)效應(yīng)管放大電路的靜態(tài)分析也可以采用圖解法或解析法，圖解法的步驟與雙極型三極管放大電路的圖解法相似。 場(chǎng)效應(yīng)管放大電路一章 習(xí)題選講 一般的問(wèn)題分析： 1，直流偏置電路 由于 FET是電壓控制器件，要求建立合適的直流偏置電壓 VGS。 。 作業(yè)： 。 6. MOS器件主要用于制成集成電路。 BiFET模擬集成電路是按這一特點(diǎn)發(fā)展起來(lái)的， 從而擴(kuò)展了 FET的應(yīng)用范圍。這為放大電路的綜合設(shè)計(jì)提供了有實(shí)用意義的思路。 ， 兩種器件 (BJT， JFET、 MESFET和 MOSFET)可以組成六種組態(tài)。雖然這兩種器件的控制原理有所不同，但通過(guò)類(lèi)比可發(fā)現(xiàn)，組成電路的形式極為相似，分析的方法仍然是圖解法 (亦可用公式計(jì)算 )和小信號(hào)模型分析法。而對(duì)輸出回路的密勒效應(yīng)較明顯，但比起 仍可忽略。39。39。39。39。bbbecbVrIII可忽略很小，小、和比???由圖 b得 ? ??????????????????????????????????????ebeebebeeebebmebebeCjrVCjrrVCjgrVI39。其次 ， 得 （ b） 圖 39。因此有 故 2112111 RgRgRVgVRVgVVAmCmgsmgsCgsmiOVM?????????????考慮到 即有Sg RR ??2111 RgRgAAmCmVMV S M ??????即整個(gè)電路的中頻區(qū)源電壓增益近似等于共源電路的電壓增益，后面看到，因無(wú)密勒效應(yīng)，電路上限頻率得以提高。 pFCpFCkrr Cbebebbb ??????其它電路元件參數(shù)如圖所示。39。 T2選用 BJT 3DG4,其工作點(diǎn)上的參數(shù)為： β=100, ,5,80,1,50 39。整個(gè)電路為共源 —共基串接組態(tài)，如圖 5． 5． 1所示。 (1)確定電路方案； (2)選用放大器件和電路元件參數(shù)； (3)導(dǎo)出其中頻區(qū)源電壓增益 AVSM、 Ri和 RO的表達(dá)式； (4)算出電路的上限截止頻率。 ④ 焊接 FET時(shí)，電烙鐵必須接地， MOS管最好斷電焊接。 ② FET的 s、 d可互換使用（若 S、 B已連，則不能換）。 解：由圖得 D DD GS R I V R R R V ? ? ? 2 1 2 21 ??????????PGSD S SD VVII把題目給定的電路參數(shù)代入得 ? ?? ? ? ?? ?VIVIVmAVIDDGSGSD472 0 0 0184712?????????????????????把以上 2式代入 1式得 ? ? DD II ????? ?? ?? ?? ? ? ?? ?? ? ? ?VRRIVVVIVmAmAIIImAImAIDDQDDD S QDQG S QDQD S SDD S SD,?????????????????所以，不應(yīng)大于而解出VVVVV PG S QD S Q ??? 大于計(jì)算結(jié)果表明，JFET的確工作在飽和區(qū)，與假設(shè)一致。 VDD + + RG RD iD R1 R2 R Ui UO rds g s d + + d I RD + R2 R1 RG i U ?? gs U ?? gmUgs ??O U ????R rds g s d + + d I RD + R2 R1 RG i U ?? gs U ?? gmUgs ??O U ????R ? ?? ?RgRgRgURUgUUARUgURgURUgUUmDmmgsDgsmiOuDgsmOmgsgsmgsi??????????????????????????111電壓增益 如有 RL 則 代替式中的 RD 39。 rds 忽略 ??L m gs L gs m i O u R’ g U R’ U g U U A ? ? ??? ? ? ????????D o
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