【正文】 (2) 微電子專用設(shè)備成果及技術(shù)水平1) 米實(shí)用型分步重復(fù)投影光刻機(jī)(DSW):－1微米,實(shí)用型全自動(dòng),成功地作出了硅柵CMOS2000門門陣列電路芯片,成品率大于50%。為北京正負(fù)電子對(duì)撞機(jī)配套的同步輻射軟X射線光刻機(jī)等等。－1微米光刻機(jī)于97年在中科院微電子中心生產(chǎn)線上完成工藝考核,成品率大于80%。1997年以來，實(shí)驗(yàn)室瞄準(zhǔn)國(guó)家在該領(lǐng)域的戰(zhàn)略需求和高技術(shù)前沿研究，承擔(dān)了多項(xiàng)國(guó)家自然科學(xué)基金項(xiàng)目、國(guó)家863項(xiàng)目、部委以及中科院重大項(xiàng)目，取得了多項(xiàng)重要科研成果，形成了具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的微細(xì)加工光學(xué)技術(shù)平臺(tái)，開拓了星敏感器、微透鏡列陣與紅外焦平面探測(cè)器集成芯片、半導(dǎo)體激光器列陣微光學(xué)整形模塊、生物芯片儀器以及深刻蝕光刻曝光等一系列應(yīng)用領(lǐng)域。1993年12月經(jīng)國(guó)家計(jì)委和中科院批準(zhǔn)對(duì)外開放。九十年代相繼建立了“微細(xì)加工光學(xué)技術(shù)國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室”、“國(guó)家863計(jì)劃自適應(yīng)光學(xué)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室”、“國(guó)家863計(jì)劃光束控制重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室”，同時(shí)建立了“中國(guó)科學(xué)院成都幾何量及光電精密機(jī)械測(cè)試實(shí)驗(yàn)室”。全所科研和工程技術(shù)人員1100余人。2001年全所整體進(jìn)入中科院知識(shí)創(chuàng)新工程試點(diǎn)。是中國(guó)科學(xué)院首批定位于科研基地型研究所之一。近幾年，每年研發(fā)的新產(chǎn)品平均20個(gè)以上，新產(chǎn)品的銷售收入占全部銷售收入的比例達(dá)40%以上。(2) 主要產(chǎn)品1) ZZST－480型超高真空鍍膜機(jī)2) JCKL－700A半連續(xù)磁控濺射臺(tái)3) ZZSX系列電子束鍍膜機(jī)4) 多功能磁控濺射鍍膜機(jī)5) JTR－700型集熱管鍍膜機(jī)6) LDH系列多弧離子鍍膜機(jī)7) ZJF－400A型晶體壓封機(jī)8) XJPB－2200型磁控濺射平板玻璃生產(chǎn)線9) JDS－800型磁控濺射(3) 產(chǎn)品研發(fā)北京北儀創(chuàng)新真空技術(shù)有限責(zé)任公司(北京儀器廠)近幾年來不斷加大產(chǎn)品結(jié)構(gòu)調(diào)整的力度，增加技術(shù)投入。一號(hào)廠房的建筑面積為12321平方米，二號(hào)廠房的建筑面積為21420平方米，三號(hào)廠房的建筑面積為11340平方米。北儀真空集團(tuán)目前正在加緊建設(shè)新的廠房，廠房位于北京市大興區(qū)的電子城。北儀創(chuàng)新真空技術(shù)現(xiàn)有員工500余人。北京北儀創(chuàng)新真空技術(shù)有限責(zé)任公司(1) 企業(yè)概況北京儀器廠創(chuàng)建于1954年，于2002年1月完成有限責(zé)任公司的改制，正式更名為北京北儀創(chuàng)新真空技術(shù)有限責(zé)任公司。8英寸立式擴(kuò)散/氧化爐擁有完全自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)，在國(guó)內(nèi)處于領(lǐng)先水平。13) 雙人凈化臺(tái)：提供局部高潔凈度區(qū)域的雙人標(biāo)準(zhǔn)凈化工作臺(tái)。11) 顯影機(jī)：用于半導(dǎo)體工藝中對(duì)硅片進(jìn)行顯影和定影。8) 全自動(dòng)清洗機(jī)：設(shè)備用于6”硅片的半導(dǎo)體清洗過程中，去除工件表面的油污及其它有機(jī)物、除膠、去金屬離子等。6) 四探針測(cè)試儀(D41－11A)：主要用于測(cè)量硅片的薄層電阻和電阻率，也能測(cè)量其他半導(dǎo)體片、膜的薄層電阻和電阻率，且可對(duì)擴(kuò)散、外延、離子注入等工藝設(shè)置進(jìn)行監(jiān)測(cè)和評(píng)估。4) 低壓化學(xué)氣相淀積系統(tǒng)(LPCVD)L4380：用于4”硅片Poly－Si、SiOPSG、BPSG等薄膜生長(zhǎng)工藝。(2) 主要產(chǎn)品1) 微控?cái)U(kuò)散系統(tǒng)、程控?cái)U(kuò)散系統(tǒng)：應(yīng)用于大規(guī)模集成電路、分立器件、光電子器件、電力電子器件、太陽(yáng)能電池等領(lǐng)域，適用4”～6”硅片退火、氧化、擴(kuò)散、預(yù)沉積等工藝2) 臥式熱壁型等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相淀積系統(tǒng)(PECVD) ：供6”硅片淀積Poly－Si、Si3N4或SiO2薄膜用。多年來，微電子專用設(shè)備產(chǎn)品的質(zhì)量、種類、技術(shù)在國(guó)內(nèi)處于領(lǐng)先地位，在市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)中確立了重要地位。七星華創(chuàng)主導(dǎo)產(chǎn)品涉及微電子專用設(shè)備、微組裝、和微電子元器件等領(lǐng)域，包括片式元件、微電子器件、晶體器件等新型電子元器件，以及與現(xiàn)代微電子制造組裝技術(shù)密切相關(guān)的專用設(shè)備、儀器。北京七星華創(chuàng)電子股份公司微電子設(shè)備分公司(700廠)，由原北京建中機(jī)器廠微電子分公司改制而成，是一家集微電子專用設(shè)備的設(shè)計(jì)、開發(fā)、生產(chǎn)、銷售、服務(wù)為一體的實(shí)業(yè)公司。七星華創(chuàng)總部位于中關(guān)村高科技產(chǎn)業(yè)開發(fā)區(qū)的電子城科技園，占地面積50127平方米。四十八，在國(guó)內(nèi)首次實(shí)現(xiàn)直寫功能且生產(chǎn)效率可滿足實(shí)用化要求。為了完善擴(kuò)散技術(shù)需求，四十八所還研制出了磷、硼固態(tài)、液態(tài)源擴(kuò)散系統(tǒng)和鋅的雙溫區(qū)隱埋擴(kuò)散系列設(shè)備；為適應(yīng)氧化工藝上的技術(shù)進(jìn)步，四十八所研制的濕氧、氫氧合成氧化系統(tǒng)已成系列。2002年第四十八所研制的七項(xiàng)產(chǎn)品通過了信息產(chǎn)業(yè)部主持的設(shè)計(jì)定型鑒定會(huì)，鑒定委員會(huì)認(rèn)為，這七項(xiàng)產(chǎn)品均代表了目前國(guó)內(nèi)同類產(chǎn)品的先進(jìn)水平，其中鐘罩式氮?dú)夥毡Ｗo(hù)燒結(jié)爐屬國(guó)內(nèi)首創(chuàng)，性能上達(dá)到了國(guó)際先進(jìn)水平。全所現(xiàn)有職工900余人,科技人員占職工總數(shù)的50%以上，全所占地面積140000平方米,固定資產(chǎn)2000多萬。目前，45所正在開發(fā)集成電路后工序中用最大的設(shè)備——鍵合機(jī)，它將成為該所的另一經(jīng)濟(jì)增長(zhǎng)點(diǎn)。生產(chǎn)能力將達(dá)到光刻機(jī)配套的光學(xué)系統(tǒng)100套、微電子設(shè)備60臺(tái)、光電設(shè)備40臺(tái)。研制的SB－401A雙面曝光機(jī)、TZ－109B型自動(dòng)探針測(cè)試臺(tái)、HP－602精密自動(dòng)劃片機(jī)、QP－613型大直徑切片機(jī)、WY－155型絲網(wǎng)印刷機(jī)、集成電路切筋打彎?rùn)C(jī)等均為填補(bǔ)國(guó)內(nèi)空白的首創(chuàng)成果。第四十五所已形成以超大規(guī)模集成電路關(guān)鍵工藝設(shè)備和電子元件生產(chǎn)設(shè)備為主導(dǎo)的兩大產(chǎn)品門類。該所為中國(guó)國(guó)防工業(yè)電子元器件及其他行業(yè)研制各類設(shè)備300多項(xiàng)，為各行業(yè)提供大型關(guān)鍵高技術(shù)設(shè)備3000余臺(tái)，取得科研成果300多項(xiàng)，其中100多項(xiàng)分別是獲得國(guó)家和省部級(jí)科技進(jìn)步獎(jiǎng)。區(qū)熔硅單晶(FZ－Si)——TDR－FZ35型區(qū)熔單晶爐(3) 產(chǎn)品研發(fā)目前正進(jìn)行TDR－120大型單晶爐(CZ法，投料量150kg，晶體直徑12″)、TDR－GY60型高壓?jiǎn)尉t(LEC法、GaAs晶體直徑4″～6″)，具有上稱重等徑控制系統(tǒng)的大型激光晶體爐等具有世界先進(jìn)水平的新爐型研制、開發(fā)。磁場(chǎng)硅單晶(MCZ－Si)——TDR－50AC型單晶爐 3)產(chǎn)品的國(guó)內(nèi)覆蓋面積達(dá)95%以上，并有四個(gè)品種、二十余臺(tái)設(shè)備遠(yuǎn)銷歐、美等地。它涉及了半導(dǎo)體、光學(xué)、化合物、氧化物、氟化物等晶體材料、合金材料及高純金屬等高科技領(lǐng)域。西安理工大學(xué)晶體生長(zhǎng)設(shè)備研究所工廠以生產(chǎn)6英寸單晶爐設(shè)備為主，近年又投資1000萬元開發(fā)8″單晶爐設(shè)備，年產(chǎn)10—15臺(tái)，為國(guó)家節(jié)約外匯500萬美元以上，對(duì)中國(guó)半導(dǎo)體電子工業(yè)的發(fā)展起到強(qiáng)有力的推動(dòng)作用。四探針測(cè)試儀數(shù)據(jù)來源：CCID 2003，02表19 環(huán)境模擬及可靠性試驗(yàn)設(shè)備及生產(chǎn)廠產(chǎn)品型號(hào)和名稱生產(chǎn)廠K系列高低溫(交變濕熱)試驗(yàn)箱廣州愛斯佩克環(huán)境儀器有限公司GGV系列高低溫低氣壓試驗(yàn)箱高低溫濕熱試驗(yàn)箱無錫蘇南試驗(yàn)設(shè)備有限公司氙燈耐氣候試驗(yàn)箱Y5230／ZF3000g沖擊試驗(yàn)臺(tái)西北機(jī)器廠西安捷盛電子技術(shù)有限責(zé)任公司Y51300／ZF20000N電動(dòng)臺(tái)DC－2000－21電動(dòng)振動(dòng)系統(tǒng)蘇州試驗(yàn)儀器總廠DC－3000－26電動(dòng)振動(dòng)系統(tǒng)數(shù)據(jù)來源：CCID 2003，02表20 凈化設(shè)備及生產(chǎn)廠產(chǎn)品型號(hào)和名稱生產(chǎn)廠標(biāo)準(zhǔn)機(jī)械接口系統(tǒng)(SMIF)設(shè)備江蘇蘇凈集團(tuán)有限公司F23膜分離制氮機(jī)凈化工作臺(tái)北京七星華創(chuàng)電子股份有限公司潔凈烘箱石英管清洗機(jī)SK系列裝配式潔凈室上海金堰空氣凈化設(shè)備廠WJ—l無菌護(hù)理室數(shù)據(jù)來源：CCID 2003，02(三) 國(guó)內(nèi)主要半導(dǎo)體設(shè)備生產(chǎn)廠家西安理工大學(xué)晶體生長(zhǎng)設(shè)備研究所(1) 企業(yè)概況西安理工大學(xué)晶體生長(zhǎng)設(shè)備研究所研制生產(chǎn)單晶爐及其它晶體生長(zhǎng)設(shè)備已有四十余年的歷史，具有較強(qiáng)的科研實(shí)力，是國(guó)內(nèi)單晶爐生產(chǎn)的主導(dǎo)廠家及晶體生長(zhǎng)設(shè)備研制、開發(fā)重要科研基地。45所研制低溫探計(jì)測(cè)試系統(tǒng),特種器件用雙面曝光機(jī),全自動(dòng)探計(jì)中測(cè)臺(tái),自動(dòng)開槽劃片機(jī),自動(dòng)內(nèi)圓切片機(jī)等六個(gè)項(xiàng)目,已經(jīng)通過鑒定并達(dá)到90年代初國(guó)際技術(shù)水平。已經(jīng)裝備集成電路生產(chǎn)線的測(cè)試系統(tǒng)，主要是低檔的數(shù)字測(cè)試系統(tǒng)、模擬測(cè)試系統(tǒng)和數(shù)?；旌蠝y(cè)試系統(tǒng)。國(guó)內(nèi)市場(chǎng)基本為外國(guó)設(shè)備企業(yè)所占領(lǐng)?！OWA株式會(huì)社目前在中國(guó)市場(chǎng)已擁有摩托羅拉、樂山－菲尼克斯、南通富士通、東芝半導(dǎo)體(無錫)以及中國(guó)華晶集團(tuán)等。表17 主要的后工序設(shè)備及生產(chǎn)廠家設(shè)備名稱生產(chǎn)企業(yè)典型產(chǎn)品型號(hào)塑封機(jī)匯盛電子機(jī)械設(shè)備公司、銅陵富社三佳機(jī)械有限公司FSTM200－7TANM(200噸電腦型)、FSTM250－7TAN(250噸一般型)劃片機(jī)45所、大族激光公司、北京創(chuàng)科源光電技術(shù)有限公司、沈陽(yáng)儀器儀表工藝研究所S－50、鍵合機(jī)45所YJH－850、切筋打彎?rùn)C(jī)、打標(biāo)機(jī)、編帶機(jī)、45所、大族激光公司、蘇州眾和電子有限公司、北京德雷射科科技開發(fā)公司QD－1001切筋打彎?rùn)C(jī)532－D20/D20B、DP－R50/DP－R75打標(biāo)機(jī)、DY－1A/DY－2型打標(biāo)機(jī)BD－601/801/901編帶機(jī)、燒結(jié)爐48所、青島旭光儀表設(shè)備有限公司青島亞光儀表設(shè)備有限公司、青島旭升專用儀表設(shè)備有限公司ZLH12系列、L49系列鏈(帶)、L4619／XS、L49800－5數(shù)據(jù)來源：CCID 2003，022002年全球最大的半導(dǎo)體封裝設(shè)備制造商日本TOWA株式會(huì)社進(jìn)駐浦東張江高科技園區(qū)，由其投資設(shè)立的東和半導(dǎo)體設(shè)備(上海)有限公司正式投入運(yùn)營(yíng)。后工序設(shè)備主要是封裝設(shè)備，包括劃片機(jī)、鍵合機(jī)、塑封機(jī)、燒結(jié)爐、切筋打彎?rùn)C(jī)、打標(biāo)機(jī)、編帶機(jī)、電鍍?cè)O(shè)備、模具等。表15 前工序關(guān)鍵設(shè)備儀器技術(shù)水平產(chǎn)品大類技術(shù)水平生產(chǎn)廠家一、光刻機(jī)(DB－7)－,圓形套刻精度177。 目前國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體微細(xì)加工設(shè)備的研制已經(jīng)完成: －1mm分步重復(fù)投影光刻機(jī)、能量20－160Kev強(qiáng)束流離子注入機(jī)、圖形線寬1mm反應(yīng)離子刻蝕機(jī)、立式熱壁LPCVD、單片雙室PECVD、這些設(shè)備可用于4－6硅片加工。北京儀器廠、國(guó)營(yíng)七0八廠生產(chǎn)的多靶磁控濺射臺(tái),功率已達(dá)4Kw/個(gè)的水平。中國(guó)電子科技集團(tuán)四十八所離子注入機(jī),能夠達(dá)200Kew,束流強(qiáng)度1000uA。大面積自動(dòng)曝光機(jī)及雙面對(duì)準(zhǔn)曝光機(jī)的技術(shù)水平也有大的突破,－,圖形光刻精度達(dá)177。由于國(guó)外也剛剛起步，因此中國(guó)在NGL方面與國(guó)外的差距并不大，蘊(yùn)含著較大的發(fā)展機(jī)遇。45所自行研制的首條國(guó)產(chǎn)強(qiáng)力磨削大直徑金剛石超薄刃具自動(dòng)生產(chǎn)線,已于1998年在平?jīng)鼋ǔ赏懂a(chǎn),解決6英寸直徑以下的SI材料、GE材料等切割。西安理工大學(xué)晶體生長(zhǎng)設(shè)備研究所在半導(dǎo)體材料設(shè)備方面已能滿足10種以上的生產(chǎn)方法的設(shè)備，形成了直拉硅單晶、磁場(chǎng)硅單晶、直拉鍺單晶、區(qū)熔硅單晶4大類，近20個(gè)品種，90%以上的產(chǎn)品以國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體材料企業(yè)、科研院所為銷售對(duì)象，部分產(chǎn)品銷往國(guó)外。目前國(guó)際上以8″硅圓片晶體生長(zhǎng)設(shè)備為主，中國(guó)晶體生長(zhǎng)設(shè)備以生產(chǎn)6″硅單晶為主，已達(dá)到生的樣機(jī)的水平。(二) 國(guó)內(nèi)各主要半導(dǎo)體設(shè)備生產(chǎn)情況材料制備設(shè)備隨著中國(guó)半導(dǎo)體工業(yè)的迅猛發(fā)展，對(duì)半導(dǎo)體材料的要求越來越高。半導(dǎo)體設(shè)備制造企業(yè)不能及時(shí)供應(yīng)與全球同步的關(guān)鍵生產(chǎn)與實(shí)驗(yàn)設(shè)備給國(guó)家級(jí)的研究院、所、大學(xué)，半導(dǎo)體研究部門就不可能將領(lǐng)先技術(shù)注入給生產(chǎn)企業(yè)。(4) 半導(dǎo)體設(shè)備產(chǎn)業(yè)滯后于半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。根據(jù)國(guó)外設(shè)備制造公司的初步調(diào)查，在制造中國(guó)所需要的集成電路設(shè)備中，大約有80％左右的零部件可以利用中國(guó)的企業(yè)進(jìn)行加工。(3) 具備了相關(guān)產(chǎn)業(yè)的良好條件。目前中國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備企業(yè)已初步具備從材料、IC前道工序、封裝、測(cè)試的關(guān)鍵設(shè)備的生產(chǎn)能力。二十世紀(jì)九十年代以來，中國(guó)集成電路業(yè)的引進(jìn)項(xiàng)目中，整線生產(chǎn)工藝設(shè)備要從國(guó)外進(jìn)口，國(guó)內(nèi)集成電路生產(chǎn)設(shè)備市場(chǎng)幾乎全部被國(guó)外企業(yè)占領(lǐng)，中國(guó)半導(dǎo)體專用設(shè)備企業(yè)銷售所占國(guó)內(nèi)市場(chǎng)份額極小，但近年來中國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備產(chǎn)業(yè)發(fā)展呈快速增長(zhǎng)的勢(shì)頭，集成電路生產(chǎn)用關(guān)鍵設(shè)備年增長(zhǎng)率達(dá)到40%——50%，從事半導(dǎo)體設(shè)備生產(chǎn)的企業(yè)也在不斷加。表10 中國(guó)微電子設(shè)備水平與世界水平的比較世界微電子設(shè)備水平中國(guó)微電子設(shè)備水平研發(fā)12″6″生產(chǎn)水平8″－3~6″~數(shù)據(jù)來源：CCID 2003，02在新產(chǎn)品研制方面，中國(guó)電子科技集團(tuán)45所已于2001年反8”硅片自動(dòng)切片機(jī)、自動(dòng)劃片機(jī)、自動(dòng)探針測(cè)試臺(tái)和6”雙面光刻機(jī)列為重點(diǎn)開發(fā)項(xiàng)目，并正在進(jìn)行自動(dòng)鍵合機(jī)的技術(shù)調(diào)研；、6”生產(chǎn)線的大束流離子注入機(jī)和氧離子注入機(jī)已通過驗(yàn)收，用于LED生產(chǎn)的第二批GaP液相外延爐正在生產(chǎn)，以滿足用戶新的需要；中科院光電子所利用在分步重復(fù)光刻機(jī)、X射線光刻機(jī)等方面取得的進(jìn)展，開發(fā)用于MEMS等領(lǐng)域的I線深度曝光機(jī)，曝光膠厚可達(dá)1mm，已經(jīng)形成系列， 700廠(已進(jìn)入七星華創(chuàng)公司)推出了平坦化IMD設(shè)備、M－RIE設(shè)備、全自動(dòng)清洗機(jī)、超凈工作臺(tái)、新型質(zhì)量流量控制器等十幾項(xiàng)新產(chǎn)品；蘇凈集團(tuán)的“九五”國(guó)家重點(diǎn)科技攻關(guān)項(xiàng)目“亞微米級(jí)集成電路生產(chǎn)微環(huán)境系統(tǒng)設(shè)備”通過了國(guó)家驗(yàn)收，解決了18項(xiàng)關(guān)鍵技術(shù)；西北機(jī)器廠新開發(fā)的6”勻膠顯影設(shè)備去年已在展覽會(huì)亮相；南光機(jī)器廠和北京儀器廠在PVD和電子束蒸發(fā)設(shè)備方面也都有新產(chǎn)品推出；蘭新通信設(shè)備集團(tuán)公司研制的6”硅片研磨機(jī)、拋光機(jī)和倒角機(jī)等共十項(xiàng)新產(chǎn)品去年已陸續(xù)投放市場(chǎng)，并將開發(fā)8”產(chǎn)品；三佳公司研制的MGP(多注射頭)塑封模，適應(yīng)了SMT發(fā)展的需要，可以適應(yīng)SOT、QFP等集成電路封裝的要求；廣州愛斯佩克公司生產(chǎn)的高低溫試驗(yàn)設(shè)備近年來已在用戶中取得了良好的信譽(yù)。近幾年新技術(shù)、新工藝、新材料的陸續(xù)使用,使國(guó)產(chǎn)設(shè)備、儀器的設(shè)計(jì)制造水平有了長(zhǎng)足的進(jìn)步。%，其中材料制備設(shè)備、前工序設(shè)備、后工序核試驗(yàn)檢測(cè)設(shè)備增長(zhǎng)速度較快,分別為44%、53%、32%與41%。目前來看產(chǎn)業(yè)規(guī)模小、市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力弱。二、2002年中國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備產(chǎn)業(yè)現(xiàn)狀分析(一) 中國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備的現(xiàn)狀中國(guó)的半導(dǎo)體設(shè)備產(chǎn)業(yè)起步于20世紀(jì)60年代，經(jīng)過幾十年的發(fā)展(發(fā)展情況見下表)，到目前中國(guó)涉足半導(dǎo)體設(shè)備的企業(yè)事業(yè)單位有近40個(gè)左右，骨干企業(yè)有10多家，其研究方向和研發(fā)產(chǎn)品涉及材料制備、制版設(shè)備、前工序設(shè)備、后工序設(shè)備等領(lǐng)域，已形成一定層次的產(chǎn)品研發(fā)能力和相應(yīng)的技術(shù)積累。下圖是1999年以來中國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)規(guī)模情況。2001－2002年世界集成電