【摘要】考試試卷(1)卷一、填空題(本題共8小題,每空1分,共20分)1、電子技術(shù)包括__信息電子技術(shù)___和電力電子技術(shù)兩大分支,通常所說的模擬電子技術(shù)和數(shù)字電子技術(shù)就屬于前者。2、為減少自身損耗,提高效率,電力電子器件一般都工作在____開關(guān)_____狀態(tài)。當(dāng)器件的工作頻率較高時(shí),__開關(guān)_______損耗會(huì)成為主要的損耗。
2024-10-27 21:44
【摘要】電力電子技術(shù)試題第1章電力電子器件__開關(guān)__狀態(tài)。,電力電子器件功率損耗主要為__通態(tài)損耗__,而當(dāng)器件開關(guān)頻率較高時(shí),功率損耗主要為__開關(guān)損耗__。,一般由__控制電路__、_驅(qū)動(dòng)電路_、_主電路_三部分組成,由于電路中存在電壓和電流的過沖,往往需添加_保護(hù)電路__。,電力電子器件可分為_單極型器件_
2024-11-11 18:25
【摘要】1考試試卷(1)卷一、填空題(本題共8小題,每空1分,共20分)1、電子技術(shù)包括______________和電力電子技術(shù)兩大分支,通常所說的模擬電子技術(shù)和數(shù)字電子技術(shù)就屬于前者。2、為減少自身損耗,提高效率,電力電子器件一般都工作在_________狀態(tài)。當(dāng)器件的工作頻率較高時(shí),_________損耗會(huì)成為主要的損耗。3、在PWM控制電路中,載波頻率與調(diào)制信號(hào)頻
2025-06-10 03:22
【摘要】《模擬電子技術(shù)》復(fù)習(xí)題一一、填空題1、在N型半導(dǎo)體中,多數(shù)載流子是;在P型半導(dǎo)體中,多數(shù)載流子是。2、場效應(yīng)管從結(jié)構(gòu)上分為結(jié)型和兩大類,它屬于控制性器件。3、為了使高阻信號(hào)源與低阻負(fù)載能很好地配合,可以在信號(hào)源與負(fù)載之間接入(共射、共集、共基)組態(tài)放大電路。4、在多級(jí)
2025-06-27 23:32
【摘要】第一章復(fù)習(xí)題?答:當(dāng)晶閘管承受正向電壓時(shí),僅在門極有觸發(fā)電流的情況下晶閘管才能導(dǎo)通。2.維持晶閘管導(dǎo)通的條件是什么?怎樣才能使晶閘管由導(dǎo)通變?yōu)殛P(guān)斷?答:(1)維持晶閘管導(dǎo)通的條件是使晶閘管的電流大于能保持晶閘管導(dǎo)通的最小電流,即維持電流。(2)若要使已導(dǎo)通的晶閘管關(guān)斷,只能利用外加電壓和外電路的作用使流過晶閘管的電流降到接近于零的某一數(shù)值以下,即降到維持電流以下,便可使
2025-06-21 13:42
【摘要】電力電子技術(shù)復(fù)習(xí)2011一、選擇題(每小題10分,共20分)1、單相半控橋整流電路的兩只晶閘管的觸發(fā)脈沖依次應(yīng)相差?????A???度。A、180°,?B、60°,?c、360°,?D、120°2、α為?
2025-06-03 07:08
【摘要】《模擬電子技術(shù)》期末考試試卷1班級(jí)_______學(xué)號(hào)______姓名______分?jǐn)?shù)______一二三四五總分得分閱卷一.填空(25分)(1)本征硅中若摻入五價(jià)元素的原子,則多數(shù)載流子應(yīng)是電子,摻雜越多,則
2024-10-29 11:36
【摘要】1《電力電子技術(shù)》期末標(biāo)準(zhǔn)試卷(A)(2022—2022學(xué)年第上學(xué)期)題號(hào)一二三四五總分得分一、填空題(每小空1分,共13分)1.正弦脈寬調(diào)制(SPWM)技術(shù)運(yùn)用于電壓型逆變電路中,當(dāng)改變__
2025-01-10 23:16
【摘要】天津冶金職業(yè)技術(shù)學(xué)院2020——2020學(xué)年第(二)學(xué)期期末考試《電力電子技術(shù)》試卷B班級(jí):電氣,電子專業(yè)姓名--------------------------------------------------------------------------------------
2024-10-22 13:09
【摘要】....電力電子技術(shù)答案2-1與信息電子電路中的二極管相比,電力二極管具有怎樣的結(jié)構(gòu)特點(diǎn)才使得其具有耐受高壓和大電流的能力?答:,使得硅片中通過電流的有效面積增大,顯著提高了二極管的通流能力。,也稱漂移區(qū)。低摻雜N區(qū)由于摻雜濃度低而接近于無摻雜的純半導(dǎo)體材料即本征半導(dǎo)體,由于摻雜濃度低,低摻雜N區(qū)就可
2025-06-26 20:09
【摘要】第10章電力電子技術(shù)的應(yīng)用晶閘管直流電動(dòng)機(jī)系統(tǒng)變頻器和交流調(diào)速系統(tǒng)不間斷電源開關(guān)電源功率因數(shù)校正技術(shù)電力電子技術(shù)在電力系統(tǒng)中的應(yīng)用電力電子技術(shù)的其他應(yīng)用
2025-05-03 02:29
【摘要】《數(shù)字電子技術(shù)基礎(chǔ)》(第一套)一、填空題:(每空1分,共15分)1.邏輯函數(shù)的兩種標(biāo)準(zhǔn)形式分別為()、()。2.將2004個(gè)“1”異或起來得到的結(jié)果是()。3.半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的結(jié)構(gòu)主要包含三個(gè)部分,分別是()、()、()。4.8位D/A轉(zhuǎn)換器當(dāng)輸入數(shù)字量10000000為5v
2024-08-17 01:41
【摘要】電力電子技術(shù)試題1、請(qǐng)?jiān)诳崭駜?nèi)標(biāo)出下面元件的簡稱:電力晶體管GTR;可關(guān)斷晶閘管GTO;功率場效應(yīng)晶體管MOSFET;絕緣柵雙極型晶體管IGBT;IGBT是MOSFET和GTR的復(fù)合管。2、晶閘管對(duì)觸發(fā)脈沖的要求是要有足夠的驅(qū)動(dòng)功率
2024-11-11 18:17
【摘要】第1頁共71頁答案參見我的新浪博客:《數(shù)字電子技術(shù)》期末試卷1一、填空題(15%)1、在邏輯電路中,有個(gè)邏輯狀態(tài)。A、1個(gè)B、2個(gè)C、3個(gè)D不能確定2、電路符號(hào)如右所示,它為電路符號(hào)。=1A、或非門B、與門
2024-10-26 00:47
【摘要】1數(shù)字電子技術(shù)試卷一、選擇題:A組:,下列接收端收到的校驗(yàn)碼中,(A)是不正確的A、00100B、10100C、11011D、111102、某一邏輯函數(shù)真值表確定后,下面描述該函數(shù)功能的方法中,具有唯一性的是(B)A、邏輯函數(shù)的最簡與或式B、邏輯函數(shù)的
2024-10-22 17:03