【正文】 Uu +Uw Uv 同 步 電 壓 UsU UsW UsV UsU UsW UsV 電路與波形如圖所示。區(qū)域，使直流端電壓 Ud 的極性與整流狀態(tài)時(shí)相反，才能把直流功率逆變成交流功率返送回電網(wǎng)。（ 7 分） 晶閘管導(dǎo)通的條件是：陽極承受正向電壓，處于阻斷狀態(tài)的晶閘管，只有在門極加正向觸發(fā)電壓，才能使其導(dǎo)通。～ 150 B、 0176。在逆變電路的輸出頻率范圍劃分成若 干頻段，每個(gè)頻段內(nèi)載波頻率與調(diào)制信號(hào)頻率之比為桓定的調(diào)制方式稱為 _____分段同步 _______調(diào)制。 在 PWM 控制電路中，載波頻率與調(diào)制信號(hào)頻率之比稱為 ______載波比 _______，當(dāng)它為常數(shù)時(shí)的調(diào)制方式稱為 _____同步 ____調(diào)制。 A、 1 個(gè) B、 2 個(gè) C、 3 個(gè) D、 4 個(gè) 對(duì)于單相交交變頻電路如下圖，在 t1~t2 時(shí)間段內(nèi)， P 組晶閘管變流裝置與 N 組晶閘管變流裝置的工作狀態(tài)是（ ） A、 P 組阻斷， N 組整流 B、 P 組阻斷， N 組逆變 C、 N 組阻斷， P 組整流 D、 N 組阻斷， P 組逆變 電阻性負(fù)載三相半波可控整流電路中，控制角的范圍是（ ） A、 30176。 A、 AC/AC B、 DC/AC C、 DC/DC D、 AC/DC 為限制功率晶體管的飽和深度，減少存儲(chǔ)時(shí)間，桓流驅(qū)動(dòng)電路經(jīng)常采用（ ） A、 du/dt 抑制電路 B、抗飽和電路 C、 di/dt 抑制電路 D、吸收電路 已經(jīng)導(dǎo)通的晶閘管的可被關(guān)斷的條件是流過晶閘管的電流（ ） A、減小至維持電流以下 B、減小至擎住電流以下 C、減小至門極觸發(fā)電流以下 D、減小至 5A 以下 IGBT 是一個(gè)復(fù)合型的器件，它是（ ） A、 GTR 驅(qū) 動(dòng)的 MOSFET B、 MOSFET 驅(qū)動(dòng)的 GTR C、 MOSFET 驅(qū)動(dòng)的晶閘管 D、 MOSFET 驅(qū)動(dòng)的 GTO 三、簡(jiǎn)答題（共 3 小題， 22 分） 簡(jiǎn)述晶閘管導(dǎo)通的條件與關(guān)斷條件。 （ 3 分） 簡(jiǎn)述 實(shí)現(xiàn) 有源逆變的基本條件，并指出至少兩種引起有源 逆變失敗的原因 （ 7 分） （ 1）外部條件：要有一個(gè)能提供逆變能量的直流電源，且極性必須與直流電流方向一致，其電壓值要稍大于 Ud； （ 2 分） （ 2）內(nèi)部條件：變流電路必須工作于 β90176。同步變壓器的的接法為 Y/Y10， 4 接法，如下圖所示，選擇晶閘管的同步電壓。 (1) (a)Ud==220cos600=99V （ 1 分 ） Id=Ud/R=99/4=（ 1 分） I2=Id= （ 1 分） IdVT=1800/3600Id=（ 1 分） IVT= （ 2 分） （ b）波形如圖 1 所示 （ 3 分） （ 2）（ a） Ud=（ 1+cosα） /2=220（ 1+cos600） /2=（ 1 分） Id=Ud/R=（ 1800α ） /3600Id= （ 1800600 ）/3600=（ 1 分） （ 1 分） （ 2 分） IdVD=2α/3600Id=2600/3600=（ 1 分） （ 2 分） （ b）波形如圖 2 所示 （ 3 分） 試卷參考答案及評(píng)分標(biāo)準(zhǔn) ( 2 卷 ) 一、填空題：（本題 共 6 小題 ，每空 1 分，共 15 分） 空 1 GTR；空 2 IGBT 空 1 基波電流相移 ；空 2 電流波形畸變 空 1 均壓 空 1 2~4 空 1 交流變直流 ；空 2 直流變交流 ；空 3 直流變直流 ；空 4 交流變交流 空 1 V1；空 2 VD1；空 3 V2；空 4 VD2；空 5 第 2 二、選擇題：（本題 共 11 小題 ， 9， 10， 11 小題每題 2 分，其余每題 1 分，共 14分） （ D） （ A） （ B） （ C） （ D） （ B） （ C） （ C） （ D） （ B） 1（ C） 考試試卷 ( 2 )卷 一 、填空題（ 本題 共 6 小題 ，每空 1 分，共 15 分 ） _________存在二次擊穿現(xiàn)象， ____________存在擎住現(xiàn)象。 D、 比三相不控整流電路的自然換相點(diǎn)滯后 60176。（ 2 分） 四、作圖題（ 本題 共 3 小題 ，共 26 分 ） 畫出三相橋式全控整流電路帶阻感負(fù)載的原理圖，并給圖中 6 個(gè)晶閘管寫上正確的編號(hào)，編號(hào)寫在晶閘管的正上方或正下方。 （ 3 分） Ud==117V （ 3 分） Id=Ud/R=117A （ 3 分 ） I2= ＝ 。 控 制 電 路 驅(qū)動(dòng)電路 檢測(cè)電路 主 電 路 考試試卷 ( 3 )卷 一、填空題：（本題共 7 小題，每空 1 分，共 20 分） 請(qǐng) 在正確的空格內(nèi)標(biāo)出下面元件的簡(jiǎn)稱： 電力晶體管 ；可關(guān)斷晶閘管 ；功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管 ；絕緣柵雙極型晶體管 ； IGBT 是 和 的復(fù)合管。 B、 60176。35186。 C、 150176。（ ） 有源 逆變指的是把直流電能轉(zhuǎn)變成交流電能送給負(fù)載。其局限性是當(dāng)負(fù)載為交流電動(dòng)機(jī)，并且要求電動(dòng)機(jī)頻繁快速加減速時(shí)，電路中消耗的能量較多，能耗電阻 R0 也需要較大功率，反饋的能量都消耗在電阻上，不能得到利用 （ 5分） 。 （ 1）觸發(fā)角為 15186。每隔 換一次相，在電流連續(xù)時(shí)每只晶閘管導(dǎo)通 度。 （ ） 對(duì)三相橋式全控整流電路的晶閘管進(jìn)行觸發(fā)時(shí)，只有采用雙窄脈沖觸發(fā)，電路才能正常工作。A、 B、 C、 D、 變流裝置的功率因數(shù)總是（ ）。 D、 90176。 在晶閘管觸發(fā)電路中，改變 的大小，則輸出脈沖產(chǎn)生相位移動(dòng)，達(dá)到移相控制的目的。 電感性負(fù)載時(shí)，輸出電壓為正負(fù)矩形波，輸出電流近似為正弦波，相位滯后于輸出電壓，滯后的角度取決于負(fù)載中電 感的大?。?3 分）。（ 3 分） （ 2）如電壓，電流裕量取 2 倍，計(jì)算晶閘管額定電壓，電流值。180186。 可控整流電路，是三相可控整流電路最基本的組成形式。設(shè)正弦調(diào)制波的頻率為 fr，三角波的頻率為 fc，則載波比表達(dá)式為 K= 。 D、 90176。 （ 5 分） 答： 1）觸發(fā)電路輸出的脈沖應(yīng)具有足夠大的功率；（ 1 分） 2）觸發(fā)電路必須滿足主電路的移相要求；（ 2 分） 3）觸發(fā)電路必須與主電路保持同步。 解：∵ ????? ? 1 4 6L d? ＞＞ 4Ω ∴負(fù)載為大電感，流過負(fù)載的電流可看為直線（ 1 分） 1）當(dāng)α =0 時(shí)，輸出電壓平均值為 220V 由式 ?C O SUU d ? 知 VC O SUU d ??? ?（ 2 分） 2）由題知， VUU TMTn 46094622 ????? （ 1 分） 故取額定電壓 500V（ 1分） ∵ ARUI ddd 55?? （ 1 分） ∴ AII dT ?? （ 1 分） AII TavT )( ?? （ 1 分） 故取額定電流 50A（ 1 分） 因此，選取晶閘管的型號(hào)為 KP505（ 1 分） 3） AII d 1 ???? （ 1 分） AKVIUS . 222 ????? （ 1 分） 4）∵ WUIP d 1210055220 ???? ∴ ???? SPC O S d （ 1 分） 5）當(dāng)觸發(fā)脈沖距對(duì)應(yīng)二次相電壓波形原點(diǎn) 1200 電度角時(shí)， Ud 已為 0。 空 1 ～ 2。 空 1 900。 二、選擇題：（本題共 10 小題，每小題 1 分，共 10 分） （ C） （ B） （ D） （ A） （ D） （ A） （ A） （ B） （ C） （ C） 試卷參考答案及評(píng)分標(biāo)準(zhǔn) ( 1 卷 ) 一、填空題（共 8 小題，每空 1 分，共 20 分） 空 1 信息電子技術(shù) 空 1 開關(guān) ；空 2 開關(guān) 空 1 載波比 ；空 2 同步 ；空 3 分段同步 空 1 沖量 ；空 2 形狀 空 1 MOSFET；空 2 GTO；空 3 IGBT 空 1 ； 空 2 空 1 有源 ；空 2 無源 空 1 VD1；空 2 V1；空 3 VD2；空 4 V2；空 5 VD1 二、選擇題（共 10 小題，前 4 題每題 2 分，其余每題 1 分，共 14 分） （ B） （ D） （ C） （ C） （ D） （ A） （ C） （ B） （ A） （ B）