助理認(rèn)證考試測(cè)試題(參考版)
2025-03-27 12:58本頁(yè)面
【正文】 8 / 8。41. 示波器的輸入電阻應(yīng)愈大愈好，以減輕它對(duì)被測(cè)電路的影響。39. （）10的BCD碼為（） 。 2. 畫(huà)出末級(jí)功放的電路圖，供電電壓至少為多少伏？ 3. 指明檢測(cè)負(fù)載上的功率與電路效率的方法。36. 基本比較器與滯回比較器相比： A、前者靈敏度高，后者抗干擾能力強(qiáng) B、前者靈敏度差，后者抗干擾能力強(qiáng) C、前者靈敏度高，后者抗干擾能力差 D、前者靈敏度差，后來(lái)抗干擾能力差37. （本題為綜合設(shè)計(jì)題，標(biāo)準(zhǔn)分9分）設(shè)計(jì)一低頻功率放大電路，單電源供電，能在10Ω負(fù)載上輸出2W以上功率。34. 51單片機(jī)中，堆棧存放數(shù)據(jù)的原則是先進(jìn)后出，后進(jìn)先出，數(shù)據(jù)進(jìn)棧后，棧頂向下移動(dòng)，棧指針SP值隨之減小。32. 負(fù)反饋雖使放大器的增益下降，但可加大放大器的頻帶寬度，即使fH、fL均增大。29已知音頻功率放大電路如圖示，輸入信號(hào)Vi為2伏，則負(fù)載RL上的電壓大致為（設(shè)C的容量足夠大） A、大于2伏 B、5伏左右 C、略小于2伏 D、30. 在數(shù)字電路系統(tǒng)中，信號(hào)波形產(chǎn)生毛刺（競(jìng)爭(zhēng)冒險(xiǎn)）的條件是在同一時(shí)刻有多個(gè)輸入信號(hào)發(fā)生突變。21. SRAM和DRAM均為RAM存儲(chǔ)器，二者的容量與讀寫(xiě)速度為： A、SRAM有極高的讀寫(xiě)速度及大容量 B、DRAM有極高的讀寫(xiě)速度及大容量 C、SRAM有極高的讀寫(xiě)速度，DR
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