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固態(tài)相變?cè)韈h2-2概論(參考版)

2025-03-25 04:59本頁面
  

【正文】 (2)離散格點(diǎn)模型 空間離散化 格點(diǎn)原子占位幾率 隨時(shí)間演化 整個(gè)相變過程 5s 14s 28s 459s 918s 1835s FeMo合金調(diào)幅分解及后期粗化過程 (CMo=) 。 固態(tài)相變 晶界不同位置形核功比較 位錯(cuò)可通過多種形式促進(jìn)形核: ① 位錯(cuò)線消失 ? 釋放能量 ? 有利形核 ② 位錯(cuò)不消失 , 位錯(cuò)依附于新相界面上補(bǔ)償錯(cuò)配 ? 降低應(yīng)變能 ③ 溶質(zhì)原子在位錯(cuò)線上偏聚 ? 有利形核的成分起伏 ? 有利形核 ④ 位錯(cuò)線作為擴(kuò)散的短路通道 ? 降低擴(kuò)散激活能 ? 加速形核 ⑤ 位錯(cuò)分解 ? 擴(kuò)展位錯(cuò) ? 層錯(cuò)部分作為新相的核胚 a/2[110] → a/6[211]+a/6[121] 全位錯(cuò) 肖克來不全位錯(cuò) (3)位錯(cuò)形核 (4)空位的作用 ① 加速擴(kuò)散過程 ②釋放自身能量提供形核驅(qū)動(dòng)力而促進(jìn)形核 ③空位聚集崩塌形成位錯(cuò)圈促進(jìn)形核 經(jīng)典形核理論思路:人為地將非勻相轉(zhuǎn)變劃分為形核 長大階段 優(yōu)點(diǎn):物理模型簡明清晰,確定了形核條件及形核率 不足:①不能準(zhǔn)確描述整個(gè)體系非勻相轉(zhuǎn)變過程; ② 新相核心尺寸小 (1~5nm),性質(zhì) 不同于 大塊材料; ② 數(shù)百個(gè)原子的晶核能量人為分為 “ 體積項(xiàng) ” 與 “ 界面項(xiàng) ” 亦不合理。 ( 4)一級(jí)配位結(jié)構(gòu)相變和二級(jí)配位結(jié)構(gòu)相變有何聯(lián)系與區(qū)別?為什么? ( 5)材料學(xué)和理論物理關(guān)于 “ 連續(xù) ” 與 “ 不連續(xù) ” 的概念有何區(qū)別? T?T0 , ?Gv0, ? ? T=T0, S24 固態(tài)相變形核理論 若相變潛熱為 Lv ,且 ?T不大 0VV TLS ??0V0VVV TTLTLTLG ?????相變驅(qū)動(dòng)力與形核驅(qū)動(dòng)力 2. 均勻形核 ? ? ? → ? (1) 系統(tǒng)總自由能變化 ? ? ??? 23 4
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