dsp課件第二章tms320lf240x硬件結(jié)構(gòu)(參考版)
2025-02-24 13:32本頁(yè)面
【正文】 IS。 ? 訪問(wèn) I/O空間的存儲(chǔ)器或片外 I/O端口只能用輸入指令 IN和輸出指令 OUT。 I/O存儲(chǔ)器 ? I/O存儲(chǔ)器空間為 64K字（ 0000h～ FFFFh） 。DSP可以以零等待狀態(tài)訪問(wèn)這兩個(gè)寄存器。因此，采用直接尋址方式時(shí)，用戶必須先由軟件設(shè)置 DP值，指定待訪問(wèn)的數(shù)據(jù)頁(yè)，并在直接尋址指令中指定 7位偏移量。使用直接尋址時(shí)，將數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器按 128字分塊，每一塊稱為一個(gè)數(shù)據(jù)頁(yè)， 64K字的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器可分為 512頁(yè)，標(biāo)號(hào)從 0到 511。 B B2只能用于數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器。 每個(gè)器件有 3個(gè) DARAM塊： B0、 B1和 B2。 =1，配置為微處理器方式，從外部程序存儲(chǔ)器讀取復(fù)位向量（起始程序） 。決定指令從片內(nèi)存儲(chǔ)器還是從外部存儲(chǔ)器讀入。 在復(fù)位狀態(tài)下， B0映射到數(shù)據(jù)空間。 CNF=0： B0為片外程序空間。 影響程序存儲(chǔ)器配置的兩個(gè)因素 ? CNF位。地址空間為 64K字，包括片內(nèi) DARAM和片內(nèi) ROM/Flash。 ? 閃速存儲(chǔ)器（ Flash） 是電可擦除的、可編程的、可長(zhǎng)期保存數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)器。 SARAM在一個(gè)機(jī)器周期內(nèi)只能訪問(wèn)一次。 ? 片內(nèi)單訪問(wèn)存儲(chǔ)器（ SARAM） SARAM的地址可以用于數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器和程序存儲(chǔ)器。例如，設(shè)有兩個(gè)指令 A和 B，將累加器的值寫(xiě)入 DARAM，又從 DARAM將一個(gè)新值裝入累加器。 在流水線操作中， CPU在第 3個(gè)周期讀數(shù)據(jù)，第四個(gè)周期寫(xiě)數(shù)據(jù)。由片內(nèi)B0（ 256字）、 B1 （ 256字）和 B2 （ 32字）三個(gè)模塊組成。 TMS320LF240x以改進(jìn)的哈佛結(jié)構(gòu)為基礎(chǔ)，存儲(chǔ)空間為 3組 16位的并行總線訪問(wèn)：程序地址總線（ PAB）、數(shù)據(jù)讀地址總線（ DRAB）、數(shù)據(jù)寫(xiě)地址總線（ DWAB）。 ? 64K字的 I/O空間：用于與外部的設(shè)備接口和片內(nèi)外設(shè)寄存器。 ? 64K字的局部數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器空間：存放指令使用的數(shù)據(jù)。 PM=00：乘法器的 32位乘積不經(jīng)移位送至 CALU或數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器； PM=01：乘位寄存器左移 1位，最低有效位填 0； PM=10：乘位寄存器左移 4位，最低有效位填 0； PM=11：乘位寄存器右移 6位，且進(jìn)行符號(hào)擴(kuò)展。 ? XF： XF引腳狀態(tài)位 SETC XF或 CLRC XF 可將該位置 1或清 0，通過(guò) LST指令可對(duì)修改 XF，復(fù)位時(shí) XF =1。累加器的值循環(huán)移動(dòng)：左移時(shí)，最高位進(jìn)入 C；右移時(shí)，最低位進(jìn)入 C。 SETC SXM或 CLRC SXM 可將該位置 1或清 0，通過(guò) LST指令可對(duì)其加載，復(fù)位時(shí) SXM =1。LST指令可改變 TC值。 ? CNF：片內(nèi) DARAM配置位 該位決定 DARAM映射到數(shù)據(jù)空間（ CNF=0）還是程序空間（ CNF=1）。 數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器地址 來(lái)自 DP 來(lái)自指令字的
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