[工學(xué)]第五章感應(yīng)測井(參考版)
2025-02-20 07:13本頁面
【正文】 作業(yè)四 。 ，采用安置在線圈系中心的刻度環(huán)來代替具有一定視導(dǎo)電率的介質(zhì)，對儀器進(jìn)行刻度。求： L=lm的雙線圈系在地層中心處的視電阻率值和圍巖的貢獻(xiàn)。拉普拉斯公式： 圓形電流上電流元 dl在軸線上任一點 P處（離電流元距離為 R）的磁感應(yīng)強度 dB為： 339。 3 視電導(dǎo)率曲線及應(yīng)用 一、感應(yīng)測井儀的刻度 造一個 ?a已知的介質(zhì) ，用儀器對其測量，得到 VR VR 記錄儀 光點偏移 偏移量由橫向比例尺控制 造 ?a已知的介質(zhì)：用一個半徑為 r、電阻已知的圓環(huán) 用幾何因子理論 Prd r d Z 12???（ 1）把刻度環(huán)看成一個電導(dǎo)率為 σ ，截面積為 drdz的，半徑為 r的單元環(huán) . 環(huán)電導(dǎo)： Prd r d z??2?造 ?a已知的刻度環(huán)：用一個半徑為 r、 電阻為 P的圓環(huán) （ 2）將刻度環(huán)套在儀器某一位置 (g確定 ) （ 3）視電導(dǎo)率 σ a 幾何因子理論： ? ????? ??? 0 d r d zga ???? ??環(huán)環(huán)外d r d zgd r d zg ??dr dzg ??（ 4）給定刻度需要的 σ a ，固定刻度環(huán)位置，計算需要的 P Prd r d z ?? 2?Prga?? 2?argP??2?如 ，環(huán)位于線圈中點，環(huán)半徑 r= aP??（ 5）根據(jù)橫向比例尺，調(diào)節(jié)檢流計光點偏移量 常取 σ a=200、 100、 50ms/m 刻度環(huán)需接入的電阻分別為 、 、 9歐姆米 若記錄儀橫向比例尺為每厘米代表 50ms/m 檢流計光點依次偏轉(zhuǎn) 1厘米 z ? ??? ?z?d)(?zg ?zg?設(shè)大地縱坐標(biāo)為 Z（原點在井口），向下為正， 線圈系中點的坐標(biāo)為 Z； 儀器縱坐標(biāo)為 ξ ，向上為正 ,原點在線圈系的中點； 二、感應(yīng)測井視電導(dǎo)率曲線 儀器坐標(biāo)系中坐標(biāo)為 ξ 的點 ,縱向微分幾何因子為 gz(ξ),在大地坐標(biāo)系中的坐標(biāo)為 Zξ ,電導(dǎo)率 σ (Zξ ) ? ? ? ? drdZrgZa ? ?????? ?? ????? ,)(0? ????? ???? 0 ),()( drrgdZ ????? ???? ?? ???? dZg Z )()(?? ?? Za g ( ) σ t=100ms/m,σ s=500ms/m H=10m σ t=100ms/m,σ s=500ms/m H=5m H=2m H=3m H= H= 特點： （ 1）曲線形態(tài)對稱于地層中點 （ 2） H2米，半幅點對應(yīng)地層界面； H2米，半幅點厚度大于地層厚度 （ 3）地層視電導(dǎo)率的代表值為其極值 （ 4） H越小 ,視電導(dǎo)率與真電導(dǎo)率的差別越大 σ a的校正 ? ? trmra GG ??? ??? 1? ?rmrat GG ??? 1)( ???導(dǎo)率經(jīng)井眼校正后的地層電?t?(1).井眼校正 :(幾何因子理論） xR VVV ??? ?? ? )(c o ss in1 實部ppppeivV pmR ???? ?? ?? ? )(s inc o s1 虛部ppppevV pmx ??? ?3202 LIsnniv RTm ?????傳播系數(shù)?? ? ? ?2LP解麥克斯韋方程：得接收線圈中感應(yīng)電動勢 (2).均勻介質(zhì)傳播效應(yīng)校正 .... . .. .. .. .152321 ???? ppa??? ? ???????????????mlkj jkRkTjmlkjjkjkjkjkjkpjkRkTjaLnnpppppeLnn jk112c o ss in1??uLp jkjk??2?Pjk第 j個發(fā)射線圈與第 k個接收線圈間的傳播系數(shù) aaaa ????? 0 4 1 2 8 2 4 6 6 3 4 5 1 1 5 7 4 234 ????感應(yīng)測井傳播效應(yīng)校正圖版 感應(yīng)測井的應(yīng)用 (1).應(yīng)用條件： ssttiimma GGGG ????? ????淡水泥漿 ,砂泥巖剖面 ,儲層為中低阻 ,中厚層 (2).雙感應(yīng) 聚焦測井組合儀 包括： ILD（深感應(yīng)） ILM（中感應(yīng)） 淺聚焦（八側(cè)向或球形聚焦） a、劃分巖性剖面： H2m， 半幅點對應(yīng)地層界面 b、確定 Rt → Sw ?a Rt 井眼、侵入、圍巖 層厚校正 303 2c o s2c o sTTTRISnMH?????????? ?? ????S SSdHSdB??????返回 畢奧 2 1 4 3 h(m) Z(m) 1 1 2 3
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