【正文】 （即以標(biāo)示位對應(yīng)的第一腳開始，逆時針數(shù)腳）。它不僅在工、民用電子設(shè)備如收錄機、電視機、計算機等方面得到廣泛的應(yīng)用，同時在軍事、通訊、遙控等方面也得到廣泛的應(yīng)用。 第五節(jié) IC 一 什么叫集成電路 集成電路（ integrated circuit）是一種微型電子器件或部件。一般散熱片底部安裝有散熱風(fēng)扇，當(dāng)散熱風(fēng)扇損壞中散熱片散熱不良時將導(dǎo)致 IGBT模塊發(fā)熱，而發(fā)生故障。因此使用中要注意以下幾點： 在使用模塊時，盡量不要用手觸摸驅(qū)動端子部分，當(dāng)必須要觸摸模塊端子時，要先將人體或衣服上的靜電用大電阻接地進行放電后，再觸摸； 在用導(dǎo)電材料連接模塊驅(qū)動端子時，在配線未接好之前請先不要接上模塊； 盡量在底板良好接地的情況下操作 ? 在安裝或更換 IGBT模塊時，應(yīng)十分重視 IGBT模塊與散熱片的接觸面狀態(tài)和擰緊程度。由于此氧化膜很薄，其擊穿電壓一般達到 20～ 30V。應(yīng)用于交流電機、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動等領(lǐng)域?？煽毓韬推渌雽?dǎo)體器件一樣，其有體積小、效率高、穩(wěn)定性好、工作可靠等優(yōu)點。 ? (三 )常用三極管類型及介紹 (1)MOS管 場效應(yīng)管 ? 根據(jù)三極管的原理開發(fā)出的新一代放大元件，有 3個極性，柵極，漏極，源極，它的特點是柵極的內(nèi)阻極高，采用二氧化硅材料的可以達到幾百兆歐，屬于電壓控制型器件 : 場效應(yīng)晶體管（ Field Effect Transistor縮寫 (FET)）簡稱場效應(yīng)管 .由多數(shù)載流子參與導(dǎo)電 ,也稱為單極型晶體管 .它屬于電壓控制型半導(dǎo)體器件 . 特點 : 具有輸入電阻高（ 100000000～ 1000000000Ω）、噪聲小、功耗低、動態(tài)范圍大、易于集成、沒有 ? 二次擊穿現(xiàn)象、安全工作區(qū)域?qū)挼葍?yōu)點 ,現(xiàn)已成為雙極型晶體管和功率晶體管的強大競爭者 . ? 作用 : 場效應(yīng)管可應(yīng)用于放大 .由于場效應(yīng)管放大器的輸入阻抗很高 ,因此耦合電容可以容量較小 ,不必使用電解電容器 .場效應(yīng)管可以用作電子開關(guān) . 場效應(yīng)管很高的輸入阻抗非常適合作阻抗變換 .常用于多級放大器的輸入級作阻抗變換 .場效應(yīng)管可以用作可變電阻 .場效應(yīng)管可以方便地用作恒流源 . ? : ?場效應(yīng)管分結(jié)型、絕緣柵型 (MOS)兩大類 ? (2)絕緣柵場效應(yīng)管 ? :它是由金屬、氧化物和半導(dǎo)體所組成，所以又稱為金屬 氧化物 半導(dǎo)體場效應(yīng)管，簡稱 MOS場效應(yīng)管。這是三極管最基本的和最重要的特性。 硅晶體三極管和鍺晶體三極管都有 PNP型和NPN型兩種類型。廣泛應(yīng)用在半導(dǎo)體及敏感的電子零件過電壓、 ESD保護上 ? P6KE250A/DO15 VRRM=214V,TRR=1 pS ?特點 ? 特點是：響應(yīng)速度特別快（為 ps級）；耐浪涌沖擊能力較放電管和壓敏電阻差 (5)整流橋 ?整流橋的原理 整流橋就是將整流管封在一個殼內(nèi) .分全橋和半橋 .全橋是將連接好的橋式整流電路的四個二極管封在一起 .半橋是將兩個二極管橋式整流的一半封在一起 ,用兩個半橋可組成一個橋式整流電路 ,一個半橋也可以組成變壓器帶中心抽頭的全波整流電路 , ?整流橋的作用 ?就是能夠通過二極管的單向?qū)ǖ奶匦詫㈦娖皆诹泓c上下浮動的交流電轉(zhuǎn)換為單向的直流電，通常電源中采用的整流橋除了這種單顆集成式的還有采用四顆二極管實現(xiàn)的，它們的原理完全相同 第四節(jié) 三極管 ?(一 )晶體三極管的結(jié)構(gòu)和類型 晶體三極管，是半導(dǎo)體基本元器件之一，具有電流放大作用，是電子電路的核心元件。 ? (4)TVS(瞬態(tài)抑制二極管） ? 概述： TVS管是瞬態(tài)電壓抑制器（ Transient Voltage Suppressor）的簡稱。 ? 應(yīng)用 ? SBD的結(jié)構(gòu)及特點使其適合于在低壓、大電流輸出場合用作高頻整流，在非常高的頻率下（如 X波段、C波段、 S波段和 Ku波段）用于檢波和混頻，在高速邏輯電路中用作箝位。但是，由于 SBD的反向勢壘較薄，并且在其表面極易發(fā)生擊穿，所以反向擊穿電壓比較低。 SBD的反向恢復(fù)時間只是肖特基勢壘電容的充、放電時間，完全不同于 PN結(jié)二極管的反向恢復(fù)時間。 ? 30CTQ045 VRRM=45V TRR=10ns 特點 ? SBD的主要優(yōu)點包括兩個方面： 1）由于肖特基勢壘高度低于 PN結(jié)勢壘高度，故其正向?qū)ㄩT限電壓和正向壓降都比 PN結(jié)二極管低（約低 ）。 ? (3)肖特基二極管 ?肖特基（ Schottky）二極管又稱肖特基勢壘二極管（簡稱 SBD），它屬一種低功耗、超高速半導(dǎo)體器件。超快恢復(fù)二極管的反向恢復(fù)電荷進一步減小，使其 trr可低至幾十納秒。 快恢復(fù)、超快恢復(fù)二極管的結(jié)構(gòu)特點 由于基區(qū)很薄，反向恢復(fù)電荷很小，不僅大大減小了 trr值，還降低了瞬態(tài)正向壓降，使管子能承受很高的反向工作電壓。 5V 65～ 200 ?穩(wěn)壓二極管應(yīng)用 ? 浪涌保護電路 :穩(wěn)壓管在準(zhǔn)確的電壓下?lián)舸?,這就使得它可作為限制或保護之元件來使用 ,因為各種電壓的穩(wěn)壓二極管都可以得到 ,故對于這種應(yīng)用特別適宜 . ? 電視機里的過壓保護電路 ? 電弧抑制電路 ? 串聯(lián)型穩(wěn)壓電路 ? (2) 快恢復(fù)二極管 ?什么是快恢復(fù)二極管 ? 快恢復(fù)二極管的內(nèi)部結(jié)構(gòu)與普通 PN結(jié)二極管不同，它屬于 PIN結(jié)型二極管，即在 P型硅材料與 N型硅材料中間增加了基區(qū) I，構(gòu)成 PIN硅片。 5% 200 1N4733A/177。 5% 200 1N4751A/30V/1W VZ=30177。 型號 穩(wěn)壓范圍 工作結(jié)溫 1N4740A/10V/1W VZ=10177。穩(wěn)壓管反向電壓在一定范圍內(nèi)變化時，反向電流很小，當(dāng)反向電壓增高到擊穿電壓時，反向電流突然猛增，穩(wěn)壓管從而反向擊穿，此后，電流雖然在很大范圍內(nèi)變化，但穩(wěn)壓管兩端的電壓的變化卻相當(dāng)小，利于這一特性，穩(wěn)壓管就在電路到起到穩(wěn)壓的作用了。值得注意的是反向電流與溫度有著密切的關(guān)系，大約溫度每升高