微電子工藝課程總結(jié)(參考版)
2025-01-21 18:23本頁(yè)面
【正文】 一、光刻膠 （了解） （熟悉） 熟悉正、負(fù)膠的功能與優(yōu)缺點(diǎn) （了解） 二、光刻版（了解） 三、光刻機(jī)（曝光方式） （曝光方式）的特點(diǎn) — Stepper的特點(diǎn) ： 高壓汞燈： g line及 i line準(zhǔn)分子激光： KrFλ = 248nm， ArFλ = 193nm， F2 λ = 157nm， 四、光刻蝕工藝流程（熟悉、掌握） 第五章 刻蝕技術(shù)（圖形轉(zhuǎn)移） ? VLSI對(duì)圖形轉(zhuǎn)移的要求 ? ? Si、 光刻膠的刻蝕液（劑） ? 第六章 金屬化與多層互連技術(shù) 5. 熟悉 Al/Si接觸的現(xiàn)象及改善方法 、原理及方法 。 一、 SiO2的結(jié)構(gòu)與性質(zhì) 1. 結(jié)構(gòu) ① 結(jié)晶形結(jié)構(gòu)（了解） ② 無(wú)定形（非晶形）結(jié)構(gòu)：（掌握） 2 .性質(zhì)（了解） 二、 SiO2膜的制備（熟悉） ? 干氧、水汽、濕氧三類(lèi) 三、熱氧化生長(zhǎng)動(dòng)力學(xué)原理 （掌握） A2/4Bt+t*， 則 ZOX=B/A(t+t*)， 表面反應(yīng)控制， A2/4Bt+t*， 則 ，擴(kuò)散控制 2. 影響因素 (了解） ? 表 3－ 7 本征的 A、 B、 B/A和 t*值 ?????????????1B4/Att12AZ2OX BAZZtOX2OX ?????? ?????? ???? ttBZ OX四、實(shí)現(xiàn) SiO2的擴(kuò)散掩蔽作用的條件（了解 ) ? 最小掩膜厚度 ZOX,min的確定： 雙極器件， ZOX,min＝ MOS器件， ZOX,min＝ tDOXtDOX167。 其他外延技術(shù)（不考 ) 167。 N2(x,t) “+”: 同一導(dǎo)電類(lèi)型； “－” :相反導(dǎo)電類(lèi)型； 三、自摻雜（非故意摻雜）（了解） 四、缺陷及檢測(cè) （了解） ①位錯(cuò)；②層錯(cuò)（堆垛層錯(cuò)）。 hG， 是質(zhì)量轉(zhuǎn)移 控制。 ks， 是表面 反應(yīng)控制。 ? 五 .注
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