無機合成化學(xué)5合成晶體(參考版)
2025-01-21 01:39本頁面
【正文】 水熱法 是一種在高溫高壓下從過飽和水溶液中進行結(jié)晶的方法。此時，用原料本身作為 “坩堝 ”進行生長 。與提拉法相反，這種生長方法中坩堝上部溫度高，下部溫度低。該法的創(chuàng)始人是美國人 Pfann，硅單晶生長初期的提純即采用此法。目前，使用最多的激光晶體 Nd:YAG就是采用此法生長的。 熔融法 焰熔法 ，又稱 Verneuil法，是在 1890年由法國科學(xué)家 Verneuil發(fā)明的，用于生長人工寶石。水溶液法在常壓下生長 晶體，溫度約為八、九十?dāng)z氏度；水熱法是在高溫高 壓下生長；而助熔劑法則是在常壓高溫下生長晶體。 熔融法 使晶體原料完全熔化，包含有提拉法、坩堝 相對移動法、區(qū)熔法、基座法、冷坩堝法與焰熔法等。按照晶 體組分解離手段的不同，人工晶體的制備有三大類。 晶體由小長大，許多晶面向外平行移動的軌跡 形成以晶體中心為頂點的錐狀體稱為生長錐或 砂鐘狀構(gòu)造。它表明晶面是平行向外 推移生長的。 生長 層生長理論 層生長理論 動態(tài)演示 層狀生長理論 晶體常生長成為面平、棱直的多面體形態(tài)。 介質(zhì)體系內(nèi)的質(zhì)點同時進入不穩(wěn)定狀態(tài)形成新相，稱為均勻成核作用。這時由于溫度或濃度的局部變化，外部撞擊，或一些雜質(zhì)粒子的影響，都會導(dǎo)致體系中出現(xiàn)局部過飽和度、過冷卻度較高的區(qū)域，使結(jié)晶粒子的大小達到臨界值以上。按照晶體中存在的周期性鍵鏈與晶體各個面族之間的關(guān)系，把晶體劃分為三種界面： F面、 K面和 S面 負離子配位多面體模型 1994年，仲維卓、華素坤 將晶體的生長形態(tài)、晶體內(nèi)部結(jié)構(gòu)和晶體生長條件及缺陷作為統(tǒng)一體加以研究，考慮的晶體生長影響因素全面，接近于生長實際 相變過程和結(jié)晶的驅(qū)動力 ? 氣相生長 ? 熔體生長 ? 溶液生長 氣相生長 熔體生長 Δ G =Δ H TΔ S 固液平衡時（ Te）： Δ G = Δ H TeΔ S = 0 Δ H = TeΔ S 溫度為 T時： Δ G =Δ H （ Te T） / Te 溶液生長 成核 在某種介質(zhì)體系中，過飽和、過冷卻狀態(tài)的出現(xiàn)，并不意味著整個體系的同時結(jié)晶。當(dāng)晶體趨向于平衡態(tài)時，它將調(diào)整自己的形態(tài)，使其總表面自由能最小 Frank運動學(xué)理論 1958年， F． C． Frank 運動學(xué)第一定律和第二定律，利用該定律能夠定量計算出晶體的生長形態(tài) 界面生長理論 完整光滑界面模型 1927年， W． Kossel 晶體是理想完整的，并且界面在原子層次上沒有凹凸不平的現(xiàn)象，固相與流體相之間是突變的 界面相理論模型 2022年，高大偉、李國華 認(rèn)為晶體在生長過程中，位于晶體相和環(huán)境相之間的界面相可劃分：界面層、吸附層和過渡層；界面
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