大學(xué)物理學(xué)電子教案(參考版)
2025-01-16 19:34本頁面
【正文】 ? + B?+ + + – – – HE?dv?f? I ? – B?– – – + + + HE?dv?I f?*磁流體發(fā)電 氣體在 3000K高溫下將發(fā)生電離 ， 成為正 、 負(fù)離子 ，將高溫等離子氣體以1000m/s的速度進(jìn)入均勻磁場 B中 + + + – – – ? ? ? ? ? ? 高溫等離子氣 B?+ – + v?mf?－ mf?v?I 正電荷聚集在上板，負(fù)電荷聚集在下板，因而可向外供電。分?jǐn)?shù)量子霍耳效應(yīng)與分?jǐn)?shù)電荷的存在與否有關(guān)。為此克利青于 1985年獲得諾貝爾物理學(xué)獎。 dn q b d vI ?BqvqE dH ?dH BvE ＝ dH BvbU ＝n qbdIvd＝n qdBIUH＝nqR H1＝dBIRUHH＝霍耳系數(shù) ? – B?– – – + + + HE?dv?I f??霍耳效應(yīng)的經(jīng)典解釋 HUB?霍耳效應(yīng)的應(yīng)用 半導(dǎo)體的載流子濃度小于金屬電子的濃度，且容易受溫度、雜質(zhì)的影響，所以霍耳系數(shù)是研究半導(dǎo)體的重要方法之一。 ?現(xiàn)象 ?實驗規(guī)律 在磁場不太強時，霍耳電壓與電流 I和磁感應(yīng)強度 B成正比，而與導(dǎo)電板的厚度 d 成反比 dBIRUHH＝I + + + + + + + + + + + + + + + _ _ _ _ _ _ _ _ + + + + + + E B b d d b uH I B? HuB假設(shè)載流子是負(fù)電荷，定向 漂移速度為 vd與電流反向 ，磁場中的洛侖茲力使載流子運動，形成 霍耳電場 。 回旋頻率 mqBf?2?當(dāng)粒子到達(dá)半圓邊緣時，粒子的速率為（
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