氮化硅薄膜制備技術及其在太陽能電池中的應用(參考版)
2025-01-15 14:37本頁面
【正文】 結 束 ！ 。 感謝所有幫助、關心過我的人。 感謝大學四年來辛苦教育我的李德瑩老師、田毅紅老師、劉楊老師等，你們端正的工作態(tài)度和平易近人的生活方式深深的感染了我。做了退火溫度對氮化硅薄膜結構特性的影響實驗，發(fā)現高溫熱處理可以增強薄膜的穩(wěn)定性并改善薄膜的表面情況。氮化硅薄膜作為一種人工合成材料，有下列幾種氮化硅薄膜的制備方法，等離子體增強化學氣相沉積（ PECVD） 法、高溫熱化學氣相沉積 (HTCVD)法、常壓化學氣相沉積 (APCVD) 法、離子束增強沉積（ IBED）法等，文章中講述了這些制備方法的制備過程和優(yōu)缺點等。即發(fā)現高溫熱處理可以增強薄膜的穩(wěn)定性并改善薄膜的表面情況。 采用型號為 FP6500、以氙燈作為激發(fā)源且發(fā)波長為 325nm的熒光光譜儀（ Fluorescence spectrometer）測量薄膜樣品的光致發(fā)光光譜 （ PL），測量范圍為 350nm850nm。 利用 PECVD法制備氮化硅薄膜樣品； 氮化硅薄膜制備完成后，將所得樣品切割為七塊，除一塊作對比之外，其余六塊均作高溫退火處理，退火溫度分別為 350℃ ， 500℃ ， 650℃ ， 800℃ ， 950℃ ，1100℃ 。在本文的研究中，薄膜中缺陷態(tài)及完整性可通過 PL光譜檢測出來。 b、光致發(fā)光光譜 (PL)作用介紹 ? PL光譜是一種探測材料電子結構的常用方法，其優(yōu)點在于靈敏度高、數據采集簡單、與樣品無接觸且不損壞樣品。 退火溫度對太陽能電池中氮化硅薄膜的光致發(fā)光影響實驗 實驗過程主要有如下步驟： a、簡述實驗原因； b、光致發(fā)光光譜 (PL)作用介紹； c、氮化硅薄膜的制備及高溫退火處理實驗； d、實驗結論。 ? 鈍化太陽電池的受光面 ? 薄膜的主要作用是保護半導體器件表面不
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