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正文內(nèi)容

mcs-51單片機(jī)的結(jié)構(gòu)和原理(參考版)

2025-01-15 08:15本頁面
  

【正文】 硬件復(fù)位使所有的 SFR 重新設(shè)置但不改變片內(nèi) RAM 的值,外部中斷允許 SFR 和片內(nèi) RAM 都保持原值) 2022/2/9 53 思考題 ? 片內(nèi) RAM的容量? 8051最大可配置的 RAM/ROM容量? ? 單片機(jī)主要有哪些組成部分? ? 8051的 PSEN、 RD、 WR的作用? ? ALE線的作用?當(dāng) 8051不和 RAM/ROM相連時, ALE線的輸出頻率是多少? ? 堆棧的作用?堆棧指示器 SP有多少位? ? 時鐘周期、機(jī)器周期和指令周期的含義?一個機(jī)器周期包含有多少個時鐘周期? 。 ? 硬件復(fù)位或外部中斷均可結(jié)束空閑模式 ? 掉電模式 ? 振蕩器停振,并且在最后一條指令執(zhí)行(=1)進(jìn)入掉電模式,降到 時,片內(nèi)RAM 和 SFR 保持原值。正常操作模式的最后一條指令執(zhí)行( =1)進(jìn)入空閑模式。 復(fù)位電路 片內(nèi) RAM 施密特觸發(fā)器 RST/VPD VCC VSS 復(fù)位電路邏輯圖 2022/2/9 51 低功耗方式 待機(jī)方式:振蕩器工作 , CPU不工作; 掉電保護(hù)方式:單片機(jī)一切工作都停止 , 只有內(nèi)部 RAM單元的內(nèi)容被保存 。 2022/2/9 39 第四節(jié) 時鐘電路及時序 ? 時鐘電路: 內(nèi)部方式(需外接晶體) 外部方式(需外部提供時鐘源) 2022/2/9 40 XTAL2 XTAL1 MCS51 C1 C2 CYS XTAL2 XTAL1 MCS51 +5V VSS TTL 外部時鐘源 外部振蕩方式 內(nèi)部振蕩方式: MCS51單片機(jī)片內(nèi)有一個用于構(gòu)成振蕩器的高增益反相放大器,引腳 XTAL1和 XTAL2分別是此放大器的輸入端和輸出端。系統(tǒng)復(fù)位時,所有口鎖存器均置“ 1”。) ? P1:專供用戶使用的 I/O口 ? P2:系統(tǒng)擴(kuò)展;通用 I/O口 ? P3:功能口,每位獨立定義;通用 I/O口。12022/2/9 31 P0口 ? 輸出時接上拉電阻 ? P0口作輸入時,應(yīng)使輸出兩個驅(qū)動場效應(yīng)管截止而呈現(xiàn)懸浮的高阻態(tài), 所以需先向鎖存器寫“ 1” ? 可驅(qū)動 8個 LSTTL負(fù)載 ? 作 A/D總線時,分時輸出 A0~A7 和 D0~D7 2022/2/9 32 P1口組成結(jié)構(gòu) V C C鎖存器P 1 .XDCPP 1 .X引腳讀鎖存器寫鎖存器內(nèi)部總線讀引腳內(nèi)部上拉電阻2022/2/9 33 P2口組成結(jié)構(gòu) 鎖存器P 2 .XDCP讀鎖存器寫鎖存器內(nèi)部總線讀引腳V C CP 2 .X引腳內(nèi)部上拉電阻1地址 控制M U X2022/2/9 34 P3口組成結(jié)構(gòu) 鎖存器P 3 .XDCP讀鎖存器寫鎖存器內(nèi)部總線讀引腳V C CP 3 .X引腳內(nèi)部上拉電阻amp。每個 I/O既可作輸入又可作輸出,每一條口線可獨立用作輸入又可用作輸出,作輸出時可鎖存數(shù)據(jù),作輸入時可緩沖數(shù)據(jù)。 ? 可分 DPH和 DPL兩個獨立 8位寄存器使用 ,通常在壓棧時 將 DPTR分開用。 ? 通常初始化( sp= 07H)時,修改堆棧指針的值,將堆棧區(qū)設(shè)置在內(nèi)部 RAM的高端區(qū)域。遵循“先進(jìn)后出”的原則。訪問范圍: 0000~0FFFFH ? ACC:累加器, 8位,特殊用途的寄存器,專門存放操作數(shù)或運(yùn)算結(jié)果。2022/2/9 1 MCS51單片機(jī)的結(jié)構(gòu)和原理 2022/2/9 2 主要掌握 ? 基本組成(內(nèi)
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