實(shí)驗(yàn)二衰減器的仿真設(shè)計(jì)(參考版)
2025-01-11 14:26本頁(yè)面
【正文】 原理 結(jié)構(gòu) 頻率(MHz) 回 損(dbm) 駐波 插 損(dBm) 衰減器參數(shù)測(cè)量記錄表 實(shí)驗(yàn)報(bào)告要繪制曲線 。 電橋接上保護(hù)接頭后 , 精度下降 , 可以通過三項(xiàng)校正提高 , 在通過測(cè)試電纜或雙陽(yáng)后也可在其末端進(jìn)行三項(xiàng)校正。 七、思考題 一、三項(xiàng)校正 在測(cè)負(fù)載的反射特性時(shí)為了提高精度 , 可進(jìn)行三項(xiàng)校正 , 即校開路、校短路與校零反射 , 一般測(cè)試只校開路與短路即可 , 只有在測(cè) 30dB 以上回?fù)p或?qū)Ψ瓷潆姌蚨ㄏ蛐圆惶珴M意時(shí)才需要校零。 傳輸跟蹤 177?？煽焖?、精確地測(cè)量被測(cè)件 S參數(shù)的幅度、相位和群延遲特性。 （ 5）按 〖 菜單 〗 鍵，再將光標(biāo)移到 《 對(duì)數(shù) 》 下，再按 〖 執(zhí)行 〗 鍵；記錄測(cè)試結(jié)果（見附表）。 （ 4）待測(cè)衰減器陰頭接上陽(yáng)匹配負(fù)載 , 將待測(cè)衰減器陽(yáng)頭接到電橋測(cè)試端口上，屏幕上顯示的即待測(cè)衰減器陽(yáng)頭的輸入阻抗軌跡。 (9) 可測(cè)相移和群時(shí)延 (三 ). 衰減器的駐波和回?fù)p測(cè)量： （ 1）如圖按測(cè)回?fù)p連接。 （ 7）按 〖 →〗 或 〖 ← 〗 查看各個(gè)頻率下的測(cè)量數(shù)值，記錄測(cè)試結(jié)果（見附表）。 （ 5）使光標(biāo)停在 《 校 :直通 》 下 , 按 〖 執(zhí)行 〗 鍵，此時(shí)為直通狀態(tài) , 即校最大值 , 儀器會(huì)直接轉(zhuǎn)入測(cè)試 , 此時(shí)畫面應(yīng)為方格坐標(biāo) , 測(cè)試值為 0dB。 （ 3）設(shè)置使 A下為 《 插損 》 ,B下空白。 （ 1）按 《 菜單 》 按鈕，選擇掃頻方案 1。 , 即可用圓圖看變化趨勢(shì)（圓圖有四檔可選 , 可按 〖 ↓〗鍵來選擇）。 ，然后按 〖 執(zhí)行 〗 鍵 。 屏幕自動(dòng)出現(xiàn) 《 N=21》 。菜單如下 : 剛開機(jī)后 , 光標(biāo)在校 : 處閃動(dòng) , 便于在不改變頻率設(shè)置時(shí)立即進(jìn)行校正。 〖 菜單 〗 鍵 (暫停鍵 )：出現(xiàn)掃頻方案 (7種， 1～ 6為等頻距掃頻方案， 7為列表掃頻 ) 〖 執(zhí)行 〗 鍵：按此鍵即執(zhí)行所選功能，而在掃頻方案菜單中，按此鍵即確認(rèn)光標(biāo)所在處的方案，回到主菜單。在測(cè)試運(yùn)行中 , 按此鍵可依次改變畫面與量程。 ，精度 4% 。 ??????????????????112110021010?????ZRRZRppsAADS仿真： 10dB П型同阻式固定衰減器 實(shí)例二、設(shè)計(jì)一有源“ T”型衰減器，具體指標(biāo)： ? 工作頻帶： 1— 2GHz ? 低衰減時(shí)頻帶內(nèi)的衰減小于 ， ? 高衰減時(shí)頻帶內(nèi)的衰減大于 10dB， 12dB ADS仿真步驟 ? 在工具欄雙擊控件 ，在圖中插入“ VAR”控件，設(shè)置變量 Rj ? 執(zhí)行菜單命令 【 View】 ?【 Creat/Edit Schematic Symbol 】 ,彈出對(duì)話框，單擊“ OK”，出現(xiàn)默認(rèn)符號(hào) ? 執(zhí)行菜單命令 【 View】 ?【 Creat/Edit Schematic 】 ,返回原理圖 ? 執(zhí)行菜單命令 【 File】 ?【 Design Parameters】 ，修改后，單擊“ Paramrters”標(biāo)簽 D D ? I?100?”Add” ?“ Save AEL file”?Ok”， ? ?另存原理圖并命為 ”D”，完成模型創(chuàng)建 ? 單擊工具欄圖標(biāo)“ ”，向圖中拖入二極管，完成原理圖 ? D1和 D2的偏
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