通信高頻開關(guān)電源的設(shè)計(參考版)
2025-06-11 09:57本頁面
【正文】 （2.），穩(wěn)壓管的選擇在穩(wěn)壓管電路中=選擇穩(wěn)壓管的一般原則為：=(3) ，限流電阻的選擇限流電阻得下限值為：限流電阻得上限值：本次課程設(shè)計中，穩(wěn)壓電路各參數(shù)計算如下：額定功率為限流電阻：,由此可得出：。在選擇元件時，應(yīng)首先知道負(fù)載所要求得輸出電壓，負(fù)載電流得最小值和最大值，輸入電壓得波動范圍。通常交流電網(wǎng)電壓容許變化，因而使輸出得直流電壓不穩(wěn)定，為了獲得穩(wěn)定性好得直流電壓，必須采取穩(wěn)壓措施。如： =(~)*=160~=200V。付邊電感電流仍然連續(xù)。，為濾波電路的輸出電壓，為高頻變壓器副邊整流電路的輸出。電路整流輸出=，脈動系數(shù)=。，副邊濾波電感電容的設(shè)計濾波電路，是將L和C兩種濾波元件組成的濾波電路。低電壓輸入時開關(guān)管電流比推挽型的大一倍，導(dǎo)通損耗增大。3），與推挽型變換器相比較，在輸入電壓相同的條件下，開關(guān)管耐壓小一半，變壓器一次繞組電壓低一半，故板橋型變換器適用于較高得直流輸入電壓。計算式：，板橋型直流變換器特點(diǎn)：1），由于電容不能通過問臺直流電流，所以隔斷了變壓器一次側(cè)的直流電流成分，使變壓器沒有直流偏磁，因此，變壓器磁路中不需要?dú)庀?，可采用環(huán)形磁心（無氣隙），電路的可靠性提高。工作原理電容器得容量相等，得阻值也相等，故每個電容上分得的電壓為。電容分壓 另外兩個橋臂是電容器，用來分壓，流通高頻開關(guān)工作的交流電流成分，也起到輸入電壓的濾波作用。則H 半橋型直流變換器：由構(gòu)成。（2）諧振電感的計算 諧振是在開關(guān)管得開通期間完成得，所以諧振半周期應(yīng)小于最小。：由構(gòu)成，能量恢復(fù)吸收電路又稱回能吸收電路，無損失吸收電路，能量恢復(fù)吸收電路由諧振原理將電容得能量轉(zhuǎn)移，繼而將能量輸給負(fù)載或電源得以利用，提高效率。確定高頻變壓器的變比：，取1.：額定功率為限流電阻：,由此可得出：，主電路圖各部分組成介紹：，抗干擾濾波和全橋整流：,組成對電網(wǎng)電壓相電壓220V的抗干擾濾波和全橋整流，整流輸出電壓，其中抗干擾濾波既用以抑制后級高頻開關(guān)變換器變換電路運(yùn)行時得高頻脈動電流成分對電網(wǎng)得干擾（防反灌），又用以抑制電網(wǎng)中出現(xiàn)得尖峰脈沖過電壓損壞開關(guān)整流器的器件，并抑制電網(wǎng)對直流輸出電壓的尖峰脈沖電壓干擾。.為高頻變壓器副邊電壓，高頻變壓器原邊電壓，為半橋直流變換器的輸入電壓。 M57962L型IGBT驅(qū)動器的原理和接線圖，設(shè)計中各參數(shù)的計算：H。 多采用專用的混合集成驅(qū)動器；專為驅(qū)動電力MOSFET而設(shè)計的混合集成電路有三菱公司的M57918L，其輸入信號電流幅值為16mA，輸出最大脈沖電流為+2A和3A，輸出驅(qū)動電壓+15V和10V。電路：為被驅(qū)動的IGBT，其中(5~10)用來限制峰值電流，減少尖峰干擾，為靜態(tài)電力MOSFET放電電阻（1~100k）。應(yīng)一般不大于20V，可用反向耐壓約20V的肖特基二極管鉗位限制過電壓。對驅(qū)動電路的要求1），柵—源驅(qū)動脈沖電壓幅值要足夠大； 為降低通態(tài)電阻或壓降，大功率高壓器件要有12~15V驅(qū)動電壓。驅(qū)動電路性能良好，可使器件工作在較理想的開關(guān)狀態(tài)，縮短開關(guān)時間、減小開關(guān)損耗，對設(shè)備的運(yùn)行效率、安全性和可靠性都有重要意義。根據(jù)經(jīng)驗(yàn)?。菏前霕蛐椭绷髯儞Q器中兩個橋臂上的電容器，得取值應(yīng)使為（5%~10%）或以下。是高頻變壓器二次側(cè)整流輸出后濾波電路里的濾波電感，它的值確定為：。另外，相對MOSFET，IGBT耐壓更高，電流容量更大，開通速度比MOSFET快但關(guān)斷速度比MOSFET稍小，,電感的選擇：是輸入整流用到的平波電感，取得足夠大就行，具體參數(shù)可根據(jù)需要靈活選取。 輸入阻抗高，輸入特性與MOSFET類似；(5) 與MOSFET和GTR相比，耐壓和通流能力還可以進(jìn)一步提高，同時保持開關(guān)頻率高的特點(diǎn) 。 通態(tài)壓降比VDMOSFET低，特別是在電流較大的區(qū)域；(4) 相同電壓和電流定額時，安全工作區(qū)比GTR大，且具有耐脈沖電流沖擊能力；(3)開關(guān)速度高，開關(guān)損耗小。 IGBT的特性和參數(shù)特點(diǎn)(1)因?yàn)楣β室驍?shù)校正電路部分里開關(guān)管所承受的最大電壓=，小于300V，故此時采用MOSFET比采用IGBT更有優(yōu)勢。（4），通態(tài)電阻：有正得電阻溫度系數(shù)，溫度升高時，略有增大，電流容易均勻分配，不易集中在某些局部而形成局部過熱點(diǎn)。不需要靜態(tài)驅(qū)動電流，但為了提高驅(qū)動脈沖的陡度，~?？捎糜陂_關(guān)頻率為50~500khz得開關(guān)整流器。肖特基二極管的優(yōu)點(diǎn)：反向恢復(fù)時間很短（10~40ns）；正向恢復(fù)過程中也不會有明顯的電壓過沖；在反向耐壓較低的情況下其正向壓降也很小，明顯低于快恢復(fù)二極管；其開關(guān)損
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