【正文】 二級 EDI的三根電線中紅色線接正極，綠色線接負極，黃綠色線為地線。該電纜與膜堆配套。 。 圖 電源接線圖 二級 EDI膜堆接地要求 。 二級 EDI膜堆管件的連接 HJJ2 EDI 膜堆為產(chǎn)品水進出口提供了 1”內(nèi)牙，為濃水進出口提供了 1/2”內(nèi)牙。水流方向面下自上。 ，因為這樣會影響膜堆極板間距離的調(diào)整。 二級 EDI膜堆的安裝 ，請參考圖 、 。 注意：氫氣的爆炸極限是 4％（ v/v），因此安裝二級 EDI設(shè)備的房間必須安裝排氣扇，以便及時排放氣體。 cm的的純水系統(tǒng) 司 EDI 電去離子膜堆和設(shè)備用戶手冊 24 進水 電導(dǎo)率 400μ s/cm的 含二級 EDI設(shè)備的典型純水工藝流程設(shè)計方案 純化水工藝設(shè)計方案： （產(chǎn)水水質(zhì)標準達到：中國藥典 2020板純化水標準） 自來水 → 預(yù)處理 → 反滲透 → 電去離子 → 超濾除熱 原設(shè)備 → 用水點 注射用水工藝設(shè)計方案：（產(chǎn)水水質(zhì)標準達到：中國藥典 2020板注射用水標準） 自來水 → 預(yù)處理 → 反滲透 → 電去離子 → 多效蒸餾除熱原設(shè)備 → 用水點 電廠高壓鍋爐給水工藝設(shè)計方案（產(chǎn)水水質(zhì)標準達到：工業(yè)鍋爐水質(zhì) GB15762020） 自來水 → 預(yù)處理 → 反滲透 → 脫氣裝置 → 電去離子 → 混床 → 微濾 → 用水點 微電子 /半導(dǎo)體級超純水工藝設(shè)計方案（產(chǎn)水水質(zhì)標準達到：中國電子工業(yè)部高純水水質(zhì)試行標準） 自來水 → 預(yù)處理 → 反滲透 → 脫氣裝置 → 電去離子 → TOC分解 → 拋光混床 → UV殺菌裝 置 → 超濾 → 用水點 實驗室用分析級純水工藝設(shè)計方案（產(chǎn)水水質(zhì)標準達到：分析級實驗室用水標準 GB66822020） 自來水 → 預(yù)處理 → 反滲透 → 電去離子 → UV殺菌裝置 → 超濾 → 用水點 進水 電導(dǎo)率在 400～ 1000μ s/cm的 含二級 EDI設(shè)備的典型純水工藝流程設(shè)計方案 純化水工藝設(shè)計方案： （產(chǎn)水水質(zhì)標準達到：中國藥典 2020板純化水標準） 自來水 → 預(yù)處理 → 反滲透 → 電去離子 → 超濾除熱原設(shè)備 → 用水點 注射用水工藝設(shè)計方案：（產(chǎn)水水質(zhì)標準達到：中國藥典 2020板注射用水 標準） 自來水 → 預(yù)處理 → 反滲透 → 電去離子 → 多效蒸餾除熱原設(shè)備 → 用水點 電廠高壓鍋爐給水工藝設(shè)計方案（產(chǎn)水水質(zhì)標準達到：工業(yè)鍋爐水質(zhì) GB15762020） 自來水 → 預(yù)處理 → 二級反滲透 → 脫氣裝置 → 電去離子 → 混床 → 微濾 → 用水點 微電子 /半導(dǎo)體級超純水工藝設(shè)計方案（產(chǎn)水水質(zhì)標準達到：中國電子工業(yè)部高純水水質(zhì)試行標準） 自來水 → 預(yù)處理 → 二級反滲透 → 脫氣裝置 → 電去離子 → TOC 分解 → 拋光混床 → UV 殺菌裝置 → 超濾 → 用水點 實驗室用分析級純水工藝設(shè)計方案（產(chǎn)水水質(zhì)標準達到：分析級實 驗室用水標準 GB66822020） 自來水 → 預(yù)處理 → 二級反滲透 → 脫氣裝置 → 電去離子 → UV殺菌裝置 → 超濾 → 用水點 司 EDI 電去離子膜堆和設(shè)備用戶手冊 25 第七章 二級 EDI 膜堆的安裝說明 二級 EDI膜堆安裝的安全注意事項 請在安裝前讀懂本手冊的安全部分。 cm的純水系統(tǒng) 司 EDI 電去離子膜堆和設(shè)備用戶手冊 22 氮氣瓶 器電導(dǎo)率表電阻率表流量計壓力控制器壓力表止回閥球閥電磁閥CRFPcP符號說明:RC濃水純水不合格排放不合格排放取樣TOC分解 器紫外線殺菌燈 器風(fēng)機超純水泵拋光混床用水點機械過濾器 活性炭過濾器 軟水器 鹽箱自來水進水保安過濾器高壓泵純水泵反滲透裝置氮封超純水箱 EDI膜堆脫氣水箱CPFPPPcPPRPPFPcFPPCPcFIFI保安濾器循環(huán)泵加藥箱不合格排放濃水循環(huán)與化學(xué)清洗系統(tǒng) 圖 常用的二級 EDI全系統(tǒng)組成圖（出水） 適合于源水電導(dǎo)率 550～ 730μ s/cm,即 TDS 在 300～ 400ppm時，要求產(chǎn)水電阻率 15～ 18MΩ 司 EDI 電去離子膜堆和設(shè)備用戶手冊 19 濃水排放合格純水不合格純水回用 進 入濃水室 進 入淡水室進水模堆儀表、控制、供電不合格 進 水 排 放 圖例：電阻率傳感器 電導(dǎo)率顯示器流量顯示器電動球閥電阻率顯示器止回閥壓力顯示器電導(dǎo)率傳感器隔膜閥純水泵加藥箱循環(huán)泵保安濾器濃水循環(huán)與化學(xué)清洗系統(tǒng) 圖 二級 EDI單膜堆結(jié)構(gòu)圖 司 EDI 電去離子膜堆和設(shè)備用戶手冊 20 不合格 進水 排放 儀表、控制、供電模堆進水 進入淡水室 進入濃水室不合格純水回用合格純水濃水排放模堆 進入淡水室 進入濃水室純水泵壓力顯示器流量顯示器圖例：電阻率傳感器電動球閥電阻率顯示器電導(dǎo)率傳感器止回閥電導(dǎo)率顯示器隔膜閥濃水循環(huán)與化學(xué)清洗系統(tǒng)保安濾器加藥箱循環(huán)泵 圖 二級 EDI兩膜堆設(shè)備結(jié)構(gòu)圖 司 EDI 電去離子膜堆和設(shè)備用戶手冊 21 二級 EDI全系統(tǒng)的組成示意圖 圖 EDI全系統(tǒng)組成圖。 二級 EDI設(shè)備設(shè)置的控制閥門 ◇ 設(shè)置二級 EDI純水室進水口流量調(diào)節(jié)閥 司 EDI 電去離子膜堆和設(shè)備用戶手冊 18 ◇ 設(shè)置二級 EDI濃水室進水口流量調(diào)節(jié)閥 ◇ 設(shè)置二級 EDI進水水質(zhì)不合格自動排放閥 ◇ 設(shè)置二級 EDI進水水質(zhì)合格自動供水閥 ◇ 設(shè)置二級 EDI產(chǎn)品水水質(zhì)不合格自動排放閥 ◇ 設(shè)置二級 EDI產(chǎn)品水水質(zhì)合格自動供水閥 ◇ 設(shè)置二級 EDI膜堆化學(xué)清洗藥液進口閥 (可選 ) ◇ 設(shè)置二級 EDI膜堆化學(xué)清洗藥液排放閥 (可選 ) 二級 EDI設(shè)備和二級 EDI全系統(tǒng)的組成示意圖 二級 EDI設(shè)備的組成示意圖 二級 EDI 設(shè)備由如下主要部件組成：純水泵、二級 EDI 膜堆、二級 EDI 穩(wěn)壓穩(wěn)流電源、二級 EDI水質(zhì)檢測儀表、控制系統(tǒng)、二級 EDI設(shè)備淡水進出水管路系統(tǒng)、濃水進出水管路系統(tǒng)和各水路清洗旁通管路等組成。 二級 EDI膜堆、壓緊板均應(yīng)接地。 使用調(diào)節(jié)閥和轉(zhuǎn)子式流量計來控制和指示產(chǎn)品水、 濃水的流量。 二級 EDI濃水一部分循環(huán)（當進水硬度高、電導(dǎo)率高時，可以不循環(huán)），另外一部分可以返回到反滲透進水中，也可以回收作為他用或直接排至下水道。 當使用多個 二級 EDI 膜堆時，每個二級 EDI 膜堆均要配一個獨立的直流穩(wěn)壓穩(wěn)流電源，每個二級EDI膜堆獨立電源應(yīng)實現(xiàn)電流、電壓在規(guī)定范圍內(nèi)獨立可調(diào)，并配有電壓表和電流表。 直流電源的紋波系數(shù)不能超過 5％。 二級 EDI設(shè)備的組成 二級 EDI電源 直流電源應(yīng)在運行電壓范圍內(nèi)可調(diào)，并可以提供再生需要的電壓 /電流。 當產(chǎn)水電阻率達不到標準時，將出水控制閥關(guān)掉，旁路回流閥打開，將產(chǎn)水回流至前級水箱重新使用。 當進水電導(dǎo)率超出規(guī)定值時，將進水控制閥關(guān)掉，旁路閥開啟，將進水排掉；當進水合格，進水閥開，排水閥關(guān)。 當二級 EDI產(chǎn)品水出口水溫高出日常溫度 5～ 10oC時，可將二級 EDI電源斷電。 在高水位條件下，供水泵不能開動，二級 EDI電源斷電當后水箱水位低于中水位時，供水泵才可開，二級 EDI電源才可接通。 在低水位條件下，供水泵不能開動，二級 EDI電源斷電在水位高于中水位開關(guān)位時，供水泵才可開，二級 EDI電源電源 才可接通。 司 EDI 電去離子膜堆和設(shè)備用戶手冊 17 當供水泵供水過大時，致使高壓開關(guān)斷電，二級 EDI膜堆和供水泵都斷電。當供水泵不給二級 EDI供水時，外電源不向電源控制器供電。 二級 EDI電源與供水泵的控制要求 二級 EDI電源與供水泵聯(lián)鎖，后加流變開關(guān)控制， 可以防止膜堆過熱。為防止這一現(xiàn)象出現(xiàn)，二級 EDI電源必需要限制電流功能。該高壓開關(guān)應(yīng)與供水泵、二級EDI電源聯(lián)鎖。 二級 EDI純水室、濃水室進水口壓力過高的保護 二級 EDI 膜堆純水室、濃水室進水口壓力過高會造成二級 EDI 膜堆損壞，如超過出廠耐壓 試驗的情況下，可能造成二級 EDI 膜堆滲漏和膜片的破壞。我們建議：在二級 EDI膜堆進水調(diào)壓閥前設(shè)一低壓開關(guān)，可在二級 EDI 膜堆流量過低或斷流現(xiàn)象發(fā)生時切斷膜堆電源，保護膜堆。該流變開關(guān)應(yīng)和供水泵、二級 EDI電源聯(lián)鎖。流變開關(guān)接通條件為規(guī)定出水量的 50％。 二級 EDI裝置的安全保護要求 二級 EDI純水室、濃水室出水口流量過低或斷流時的保護 二級 EDI 膜堆純水室、濃水室出水口流量過低或斷流會造成膜堆發(fā)熱，甚至熔化膜堆部件，造成二級 EDI膜堆永久性損壞。 沉淀物過濾器 為防止二級 EDI被堵塞，需在二級 EDI前安裝精密過濾器。該裝置最好放置在反滲透之后。另外，當 CO2含量較低時二級 EDI膜堆的除硅效果會更好。為了得到高電阻率的產(chǎn)品水，必須重視 CO2的去除。 反滲透將進水分成滲透水和濃水，只有滲透水才能進入二級 EDI。正常情況下單級或雙級反滲透可以有效的去除高達 99％的離子和分子量在 200以上的有機物。因此，增加 PH調(diào)節(jié)系統(tǒng)，使 RO產(chǎn)水 PH值在 7～ 8的范圍，有利于二級 EDI產(chǎn)品水水質(zhì)的提高。 保安過濾器 司 EDI 電去離子膜堆和設(shè)備用戶手冊 16 保安過濾器是為了保護反滲透系統(tǒng)而設(shè)置的部件， 去除水中直徑 5μ m 以上殘余微粒，防止堵塞反滲透膜。 軟化使用強酸性陽離子交換樹脂，用于軟化除去 RO進水中的 Ca2+、 Mg2+等離子，降低進水的硬度，防止 RO膜結(jié)垢，保護 RO 膜，延長 RO膜的使用壽命，離子交換樹脂飽和后，用食鹽水再生。 使用上述方法，可保證 游離氯 ，并可防止有機物污染反滲透膜。我們建議每種藥物都有獨立的加藥系統(tǒng)，并帶有相應(yīng)的攪拌系統(tǒng)。加藥系統(tǒng)必須包括足夠的水質(zhì)檢測儀器和安全控制裝置。 活性炭除氯：確保系統(tǒng)中活性炭過濾器大小能夠完全消除進水中的余氯和有機物，設(shè)計時注意進水含氯濃度，進水至少在活性炭過濾器停留 6分鐘。 UV 法是除氯的新方法，它很難完全去除氯，特別是經(jīng)過氯處 理過的進水。 為滿足上述要求，主要有三種處理方法：顆?；钚蕴?、加硫酸氫鈉和硫酸鈉、 UV 法。使用該設(shè)備，可保證給水污染指數(shù) SDI5,給水濁度 1NTU。如：去除泥、沙等大顆粒雜質(zhì)。 反滲透的進水條件： 連續(xù)運行 PH的范圍： 2～ 11 最大給水污染指數(shù) SDI： 5 最大給水硬度： 最大給水濁度： 1NTU 游離氯容忍量： 要保證反滲透的進水條件，可選用如下設(shè)備。反滲透膜使用的好壞直接關(guān)系到二級 EDI的進水質(zhì)量。 二級 EDI系統(tǒng)進水的預(yù)處理 二級 EDI進水為反滲透產(chǎn)品水。應(yīng)根據(jù)原水水質(zhì)和第三章第 2節(jié)中二級 EDI對進水的要求設(shè)計二級 EDI進水預(yù)處理設(shè)施。 二級 EDI進水預(yù)處理原則 進水預(yù)處理對二級 EDI 極其重要。 表 4 不同溫度下產(chǎn)品水的電阻率 溫度（℃） 15 25 35 電阻率（ MΩ即使有較好的溫度補償系統(tǒng)，較熱純水的電阻率是很難準確測量的 。超純水的變化率約為 57％ /℃。對于超純水，較高溫度時，水分解出來的 H+、 OH－ 的量更多，電導(dǎo)率增高。在較高的溫度下，為了繼續(xù)有效地離解水，需要較高的電壓 電阻率儀表的溫度補償 電阻率 /電導(dǎo)率測量的標準溫度為 25℃。 167。其中有電阻率儀溫度補償誤差的原因，也有離子交換樹脂對離子選擇性增強的原因。當溫度增加到接近 35℃時，由于離子“泄漏”的增加，產(chǎn)品水水質(zhì)將降低。壓力損失和水的 粘度成比例關(guān)系。 重要警告：產(chǎn)品水出口壓力比濃水出口壓力略高！ 溫度的影響 溫度與壓力損失的關(guān)系 壓力損失與溫度有關(guān)，主要是由于水粘性的改變。設(shè)計系統(tǒng)時，應(yīng)當選用足夠粗的管子和盡量短的流程。因此，任何內(nèi)部泄漏只會稀釋濃水，而不會污染產(chǎn)品水。如果兩室之間的壓差在 ～ 之間，水透過二級EDI 膜片的量會增大，因此，要求二級 EDI 膜堆純水室、濃水室進口壓力保持一致