等離子刻蝕工藝原理介紹(參考版)
2025-05-18 03:34本頁(yè)面
【正文】 A 問答 。 ??離子能量影響方向性 高離子能量意味著離子更少偏離原來運(yùn)動(dòng)方向。提高Bias 功率，提高腐蝕速率。 ?提高 Source/TCP 功率，就降低了離子能量。提高Source/TCP功率，提高腐蝕速率。 ???提高壓力也增加了離子的碰撞，導(dǎo)致離子能量的損失。 壓力作用 : 駐留時(shí)間 ???改變壓力就能改變 plasma離子 /中性粒子的分布。 Poly Etch平衡圖 氣體 Wafer溫度 Bias/TCP 功率 壓力 (磁場(chǎng) ) 物理 化學(xué) 離子轟擊 HBr+ 化學(xué)腐蝕 Cl* 化學(xué)淀積 SiBr/HBr(+PR) 腐蝕 淀積 Poly Etch各氣體作用 M a t e r i a l F e e d G a s e s C o m m e n t sP o l y s i l i c o n o r S i n g l e C r y s t a l S iB C l 3 / C l 2 C l e t c h e s S i ,B i m p r o v e s p a s s i v a t i o nH B r / C l 2 H B r p r o v i d e s p a s s i v i a t i o na n d s e l e c t i v i t y t o P R , C l 2p r o v i d d e s m a i n e t c h a n t sH B r / C l 2 / O 2 O 2 i m p r o v e s s e l e c t i v i t y t o S i O 2S F 6 H i g h e r e t c h r a t e ,g o o d o x i d e s e l e c t i v i t y , i s o t r o p i cN F 3 H i g h e t c h r a t e , b u t i s o t r o p i cH B r / N F 3 / O 2 G o o d p r o f i l e c o n t r o l f o r d e e p t r e n c hMetal Etch平衡圖 氣體 Wafer溫度 Bias/TCP 功率 壓力 (磁場(chǎng) ) 物理 化學(xué) 離子轟擊 BCl3+ 化學(xué)腐蝕 Cl* 化學(xué)淀積 BCl3(+PR) 腐蝕 淀積 Metal Etc
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