晶體三極管的開關(guān)特性(參考版)
2025-05-16 19:00本頁面
【正文】 不過，在 CMOS電路中，由于充電電路和放電電路都是低電阻電路，因此，其充、放電過程都比較快，從而使CMOS電路有較高的開關(guān)速度。但因 rDS比 RD小的多，所以，由截止到導(dǎo)通的轉(zhuǎn)變時間比由導(dǎo)通到截止的轉(zhuǎn)變時間要短。 MOS管動態(tài)特性 Ⅰ ? 當(dāng)輸入電壓 ui由高變低， MOS管由導(dǎo)通狀態(tài)轉(zhuǎn)換為截止?fàn)顟B(tài)時，電源UDD通過 RDD向雜散電容 CL充電，充電時間常數(shù) τ1 = RDD CL 。 動態(tài)特性 MOS管在導(dǎo)通與截止?fàn)顟B(tài)發(fā)生轉(zhuǎn)換時同樣存在過渡過程但其動態(tài)特性主要取決于與電路有關(guān)的雜散電容充、放電所需的時間，而管子本身導(dǎo)通和截止時電荷積累和消散的時間是很小的。其中 rDS為 MOS管處于導(dǎo)通時的漏源電阻。 當(dāng) UGS小于 NMOS管的啟動電壓 UT時， MOS管工作在截止區(qū)， iDS基本為 0，輸出電壓 UDS ≈ UDD， MOS管處于“斷開”狀態(tài)，其等效電路為如右。由于 MOS管是電壓控制元件，所以主要由柵源電壓 UGS決定其工作狀態(tài)。 –開通時間和關(guān)閉時間總稱為開關(guān)時間，它隨管子類型不同而有很大差別，一般在幾十至幾百納秒的范圍，可以從器件手冊中查到。 –通常把 ton = td+tr稱為開通時間，它反映了三極管從截止到飽和所需的時間。 ? 下降時間 tf：在基區(qū)存儲的多余電荷全部消失后，基區(qū)中的電子在反向電壓的作用下越來越少，集電極電流 ic也不斷減少，并逐漸接近于 0。 當(dāng)輸入電壓 ui由 +U2跳變到 U1時，上述存儲電荷不能立即消失，而是在反向電壓作用下產(chǎn)生漂移運動而形成反向基極電流，促使超量存儲電荷泄放。隨著基區(qū)電子濃度的增加，ic不斷增大。這時發(fā)射區(qū)的電子進(jìn)入空間電荷
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