hdi微孔技術(shù)研究-程(參考版)
2025-05-14 15:54本頁面
【正文】 :Design for Manufacturability 可制造性設(shè)計 (photochemical ablation)有機物被除去 ,其中分子內(nèi)的鍵被高能量的光 子擊斷 . (photothermal ablation)由于受熱或氣化造成有機材料被除去的過程 . (Telecentric lens):一種特別設(shè)計的透鏡 ,其輸出光束永遠與工件表面垂直 . (Excimer laser):由氟化氬 ,氯化氙等二聚物氣體產(chǎn)生等離子體發(fā)出的紫 外激光 . :由一氧化碳 ,二氧化碳 ,氦氣 ,氮氣等混合氣體產(chǎn)生的等離子體發(fā)出的激光 , 首通訊輸出在紅外光譜段 ,波長位于 9300納米與 10600納米之間 . :YAG:頻率成倍 (兩倍或三倍 )增長的 YAG激光 ,波長為 355納米或 266納米 ,在紫 外光譜區(qū) . 20. YAG激光 (YAG laser):初級輸出在紅外光區(qū) ,波長為 1064納米 ,由 Nd:YAG固態(tài)晶體 產(chǎn)生 . 。 IPC4104 :high density interconnection,高密度互聯(lián) 專用名詞 : Interconnection Technology Research Institute : :padwithinpad :microvia :target pad : BallGrid Array : Chip Scale Packaging : Surface Laminar Circuit : Autorouters : Plasma Etched Redistribution Layers :Copper Vapor Laser :YAG(Neodymium doped yttriumaluminumgar)釹 :釔鋁石榴石 .YAG激光受激 光介質(zhì)晶體。控制電子遷移測試 開路的門檻值較低（ 1千歐）。 控制電子遷移（ Controlled Electron Migration） 控制電子遷移是利用光電效應(yīng)激發(fā)被測試基板線條上網(wǎng)格上的電子，在高頻激光 束的脈沖下電子被發(fā)射和測量。 等離子體放電測試設(shè)備（ Plasma Discharge Tester） 采用在一個基板上的兩個位置激發(fā)局部等離子體，使接觸兩個相應(yīng)的測試點。當不同電 子束在同一盤的電位轉(zhuǎn)換速度與電容的關(guān)系來確定開路及短路。 以上要求采用傳統(tǒng)的針床測試設(shè)備及移動探針測試設(shè)備都不能滿足要求，以下為 正在開發(fā)及新的電測試技術(shù)： 電子束（ Ebeam） 測試設(shè)備，開發(fā)中，衍生的兩種技術(shù)“電壓比較（ voltage contrast） 法”和“開關(guān)網(wǎng)格電位”（ switch grid potential） 法較好。 四、 HDI的電子測試技術(shù) HDI測試設(shè)備的 ET設(shè)備基本要求： 2~4mil（ 50100μm） 精細節(jié)距的能力（線或陣列）； 盤沒有損傷（非接觸或柔軟接觸）； 適用歐姆定律測試（ 100%電測試）或類似測試； ＜ 10歐姆的連通性測試，＞ 10兆歐絕緣性測試（ 250
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