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晶體合成的幾種方法(參考版)

2025-05-14 15:44本頁(yè)面
  

【正文】 燒結(jié)和晶體生長(zhǎng)是完全不同于固相反應(yīng)現(xiàn)象,燒結(jié)的粉體在低于其熔點(diǎn)的溫度以下的顆粒。 燒結(jié)法除了化學(xué)反應(yīng)進(jìn)行以外,有兩個(gè)步驟。利用這種方法可以合成粒徑小、分布窄,無(wú)團(tuán)簇的多種納米晶體。 控制閥 原料 載體氣體 氣流控制器 針閥 通往泵 工作室 冷或熱襯底 刮力 漏斗 收集器 爐子 氣體 粒子 CVC工作原理示意圖 六甲基二硅烷和惰性氣體充入鉬絲爐,爐溫為1100~1400℃ ,氣體壓力保持在 100~1000Pa的低壓狀態(tài)下,在此環(huán)境下原料熱解成團(tuán)簇,進(jìn)而凝聚成納米粒子。 該方法主要是通過(guò)金屬有機(jī)前驅(qū)物分子熱解獲得納米晶體。 水熱法的優(yōu)缺點(diǎn) 1994年 成技術(shù) —— 化學(xué)氣相凝聚法(簡(jiǎn)稱 CVC法),成功的合成了 SiC、 ZrO和 TiO等多種納米顆粒。 可生長(zhǎng)低溫固相單晶,高粘度材料 ;
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