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正文內(nèi)容

運(yùn)算放大器的頻率補(bǔ)償(參考版)

2025-05-14 15:32本頁(yè)面
  

【正文】 并驗(yàn)證Vout,min是否滿足要求; ? ? ,降低 I5和 I6或提高 M M6尺寸等措施,但重復(fù)以上步驟進(jìn)行驗(yàn)證。 ? 簡(jiǎn)化模型 ? 簡(jiǎn)化模型 ? 補(bǔ)償前后對(duì)比 ? 補(bǔ)償前 ? 補(bǔ)償后 右半平面零點(diǎn) ? PX靠近原點(diǎn) ? 90?相移 ? GX遠(yuǎn)離原點(diǎn) ? +20dB/dec ? 結(jié)果:不穩(wěn)定 消除右半平面零點(diǎn) ? 方法 1:消除零點(diǎn) ? 方法 2: ω Z為負(fù)零點(diǎn),與 ωp2抵消 2021/6/16 二級(jí)運(yùn)放設(shè)計(jì)實(shí)例 37 二級(jí)運(yùn)放設(shè)計(jì)實(shí)例( optional) ? 約束條件 ? 電源電壓 ? 工藝 ? 溫度 ? 設(shè)計(jì)描述 ? 小信號(hào)增益 ? 頻率響應(yīng),增益帶寬積 GB ? 相位裕度 PM ? 輸入共模范圍( ICMR) ? 輸出擺幅 ? 轉(zhuǎn)換速率 ? 功耗 ? 負(fù)載電容 CL 2021/6/16 二級(jí)運(yùn)放設(shè)計(jì)實(shí)例 38 )(2||4251111, ?? ??? IgRgA moutmstvcm CgGB /1?T H NGSDDin C M VVVV ??? 3m a x,11515m i n, T HNODODSSGSODSSi n C M VVVVVVVV ???????cCISR /5? to ta lSSDDd is s IVVP ??? )(? 關(guān)系方程 )(|| 7666262, ?? ??? IgRgA moutmndvLmp Cg /62 ???cmz Cg /61 ??60deg PM要求 ?p2 , ?else10GB LWCLWKIVOXDOD ??? ??? ,22021/6/16 二級(jí)運(yùn)放設(shè)計(jì)實(shí)例 39 ? 設(shè)計(jì)步驟 ? 0. 確定正確的電路偏置,保證所有晶體管處于飽和區(qū)。 補(bǔ)充材料:兩級(jí)運(yùn)放 三個(gè)極點(diǎn), E和 A是重要的, 極點(diǎn) X在高頻,可忽略。 ? 另一類為超前補(bǔ)償(也稱微分補(bǔ)償) 。 ?穩(wěn)定 CMOS多級(jí)運(yùn)放的補(bǔ)償 ? 實(shí)際應(yīng)用中運(yùn)算放大器往往是一個(gè)多級(jí)放大器,且常使用在閉環(huán)狀態(tài),為了使能穩(wěn)定地工作,必須進(jìn)行頻率補(bǔ)償,頻率補(bǔ)償?shù)碾娐肥鞘瓜到y(tǒng)的 GX小于 PX。CL的大小、和 第一主極點(diǎn) 的
點(diǎn)擊復(fù)制文檔內(nèi)容
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