運(yùn)算放大器的頻率補(bǔ)償(文件)
【正文】 的寄生電容 ?高頻應(yīng)用時(shí)， L↓ 主極點(diǎn)應(yīng)如何調(diào)整呢？ 單級(jí)運(yùn)放的頻率補(bǔ)償（續(xù)） ? 將相位裕度設(shè)定為 45?，主極點(diǎn)應(yīng)如何調(diào)整呢？ 圖 1 補(bǔ)償前幅頻特性曲線 圖 2 補(bǔ)償后幅頻特性曲線 ? 增加負(fù)載電容，即調(diào)整主極點(diǎn)，負(fù)載電容以因子 ωp,o/ω’p,o而增大 2021/6/16 頻率補(bǔ)償 22 ? 單級(jí)運(yùn)放的頻率補(bǔ)償（續(xù)） ? 特別注意一個(gè)結(jié)論，如下圖所示，單位增益帶寬即為第一非主極點(diǎn) ,此時(shí)的相位裕度為 45?。 ?穩(wěn)定 CMOS多級(jí)運(yùn)放的補(bǔ)償 ? 實(shí)際應(yīng)用中運(yùn)算放大器往往是一個(gè)多級(jí)放大器，且常使用在閉環(huán)狀態(tài)，為了使能穩(wěn)定地工作，必須進(jìn)行頻率補(bǔ)償，頻率補(bǔ)償?shù)碾娐肥鞘瓜到y(tǒng)的 GX小于 PX。 補(bǔ)充材料：兩級(jí)運(yùn)放 三個(gè)極點(diǎn)， E和 A是重要的， 極點(diǎn) X在高頻，可忽略。并驗(yàn)證Vout,min是否滿足要求； ? ? ，降低 I5和 I6或提高 M M6尺寸等措施，但重復(fù)以上步驟進(jìn)行驗(yàn)證。 ? 簡(jiǎn)化模型 ? 簡(jiǎn)化模型 ? 補(bǔ)償前后對(duì)比 ? 補(bǔ)償前 ? 補(bǔ)償后 右半平面零點(diǎn) ? PX靠近原點(diǎn) ? 90?相移 ? GX遠(yuǎn)離原點(diǎn) ? +20dB/dec ? 結(jié)果：不穩(wěn)定 消除右半平面零點(diǎn) ? 方法 1：消除零點(diǎn) ? 方法 2： ω Z為負(fù)零點(diǎn)，與 ωp2抵消 2021/6/16 二級(jí)運(yùn)放設(shè)計(jì)實(shí)例 37 二級(jí)運(yùn)放設(shè)計(jì)實(shí)例（ optional） ? 約束條件 ? 電源電壓 ? 工藝 ? 溫度 ? 設(shè)計(jì)描述 ? 小信號(hào)增益 ? 頻率響應(yīng)，增益帶寬積 GB ? 相位裕度 PM ? 輸入共模范圍（ ICMR） ? 輸出擺幅 ? 轉(zhuǎn)換速率 ? 功耗 ? 負(fù)載電容 CL 2021/6/16 二級(jí)運(yùn)放設(shè)計(jì)實(shí)例 38 )(2||4251111, ?? ??? IgRgA moutmstvcm CgGB /1?T H NGSDDin C M VVVV ??? 3m a x,11515m i n, T HNODODSSGSODSSi n C M VVVVVVVV ???????cCISR /5? to ta lSSDDd is s IVVP ??? )(? 關(guān)系方程
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