熔鹽法合成sm3摻雜的ceo2基發(fā)光材料(參考版)
2025-05-14 04:25本頁面
【正文】 ? 最后，向我的家人致以最衷心的感謝。 ? 感謝 **師姐無私耐心地指導(dǎo)和 **師姐熱心的幫助，感謝胡偉同學(xué)在實驗過程中的合作。在此謹向老師表示最衷心的感謝和深深的敬意。當(dāng)樣品發(fā)光強度最強時， Sm3+的摻雜濃度為 mol%。 青衣 ? CeO2:Sm3+在紫外波長 λex=358 nm的激發(fā)下發(fā)出強烈的橙紅光，樣品的發(fā)射光譜由 3組 Sm3+的特征光譜組成，各組發(fā)射峰在晶體場的作用下都有不同程度的劈裂峰，最強峰位于 572 nm和 615 nm處，分別與 Sm3+的 4G5/2→ 6H5/2和4G5/2→ 6H7/2電子躍遷相對應(yīng)。通過研究煅燒溫度、煅燒時間及離子摻雜濃度對其發(fā)光性質(zhì)的影響得出如下結(jié)論： 青衣 ? 實驗以 Ce(NO3)3此后再增加 Sm3+的摻雜濃度， Sm3+之間的能量傳遞速率超過了 Sm3+的光發(fā)射速率， Sm3+還未發(fā)生特征輻射能量就被傳遞到下一個 Sm3+上，產(chǎn)生濃度猝滅現(xiàn)象，故 CeO2:Sm3+的發(fā)光強度降低。 500 550 600 650 700 750 800 Wa velength/nm 1000150020212500λ e x =35 8 nm Intensity/a.u.Mole frac tion of Sm3+% 青衣 樣品的濃度猝滅 ? 在樣品 CeO2:Sm3+中， CeO2為基質(zhì)， Sm3+是激活劑，摻雜 Sm3+后基質(zhì)點陣中的晶格發(fā)生畸變，從而形成發(fā)光中心。 550 600 650 700 750 800 Wa velength/nm1 2 3 4 55001000150020212500λ e x =35 8 nm Intensity/a.u.Ti m e/h 青衣 Sm3+摻雜量對樣品發(fā)光強度的影響 ? 不同 Sm3+的摻雜濃度沒有改變樣品發(fā)射峰的位置，這說明在此摻雜濃度范圍內(nèi) CeO2:Sm3+的結(jié)構(gòu)沒有發(fā)生明顯的變化。這是因為隨著
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