單片機原理與應用基于匯編、c51及混合編程第10章stc系列單片機片內(nèi)eeprom的應用(參考版)
2025-05-06 00:16本頁面
【正文】 } void Delay_μs(uint x) reentrant//延時函數(shù)，利用 R6和 R7傳遞參數(shù) { pragma asm MOV A,R7 DL0： MOV R7, A DJNZ R7,$ DJNZ R6,DL0 pragma endasm } 。 _nop_( )。 Temp=IAP_DATA。//送入扇區(qū)地址的高 8位 IAP_TRIG=0x5A。//對 EEPROM進行讀操作 IAP_ADDRL= byte_addr。 Delay_μs（ 0x0445）；延時 55μs } uchar BYTE_READ (uint byte_addr) { IAP_CONTR=0x82。//將數(shù)據(jù)送至數(shù)據(jù)寄存器 IAP_TRIG=0x5A。//送入扇區(qū)地址的低 8位 IAP_ADDRH=( byte_addr 8)。//設置等待時間且允許對 EEPROM進行操作 IAP_CMD=0x02。0x10)。i++)//延時 21ms { Delay(0x01FA) 。 for(int i=0。//送入扇區(qū)地址的高 8位 IAP_TRIG=0x5A。//對 EEPROM進行扇區(qū)擦除 IAP_ADDRL=SECTION_ADDR。//先賦給 dat下一個不為 0的數(shù)據(jù) while(dat!=0) { IAP_CONTR=0x82。 } } } while(1)。 if（ BYTE_READ(i+SECTION_ADDR)！ =*dp） { flag=0。 //先預置擦除成功標記 dp=dp+i。i16。 //dp指針指向 50H while(flag= =0) //若扇區(qū)擦除失敗，則再次循環(huán)擦出 { SECTION_ERASE(SECTION_ADDR)。 //延時函數(shù) void main( ) { uchar flag=0。//扇區(qū)編程函數(shù) uchar BYTE_READ(uint byte_addr )。 void SECTION_ERASE( uint SECTION_ADDR)。 uint i,xdat。啟動讀操作 MOV IAP_TRIG,0A5H NOP NOP RET DELAY_55μs： ；略 DELAY_21ms： ；略 END C51程序： include include//聲明本征函數(shù)庫 define uchar unsigned char define uint unsigned int define SECTION_ADDR 0x0000 //定義扇區(qū)的首地址 uchar data *dp。設系統(tǒng)的時鐘頻率為20MHz，用 R0作為指針指向片內(nèi) RAM的 50H－ 5FH單元，DPTR指向 EEPROM的 0000H－ 000FH地址，要將數(shù)據(jù)寫入EEPROM，首先對整個扇區(qū)進行擦除。 ? 分析： 如果在讀、寫、擦除的過程中，沒有對 EEPROM相關(guān)的寄存器進行訪問，讀、寫、擦除一般是成功的。 （ 3）如果在某扇區(qū)中已向部分單元寫入了數(shù)據(jù)，要想再改寫數(shù)據(jù)，需對該扇區(qū)的所有單元進行全部擦除，即改寫數(shù)據(jù)前先對整個扇區(qū)進行擦除，對扇區(qū)擦除的程序如下（假設系統(tǒng)時鐘頻率為 20MHz）： MOV IAP_ADDRH,SECTOR _ADDR_HIG
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