單片機原理與應(yīng)用基于匯編、c51及混合編程第10章stc系列單片機片內(nèi)eeprom的應(yīng)用-閱讀頁
2025-05-22 00:16本頁面
【正文】 ROM進行操作 MOV IAP_CMD,03H；對 EEPROM進行扇區(qū)擦除命令 MOV IAP_ADDRL,DPL ；送入扇區(qū)首地址的低 8位 MOV IAP_ADDRH,DPH；送入扇區(qū)首地址的高 8位 MOV IAP_TRIG,5AH ；啟動擦除操作 MOV IAP_TRIG ,0A5H LCALL DELAY_21ms ；延時等待 RET BYTE_PROGRAM： ；寫 MOV A,R0 ；讀取片內(nèi) RAM單元 50H－ 5FH的內(nèi)容 MOV IAP_DATA,A ；將數(shù)據(jù)送至數(shù)據(jù)寄存器 MOV IAP_CONTR,82H ；允許對 EERPOM操作并設(shè)置等待時間 MOV IAP_CMD,02H ；對 EEPROM進行寫操作指令 MOV IAP_ADDRL,DPL；送地址的低 8位 MOV IAP_ADDRH,DPH；送地址的高 8位 MOV IAP_TRIG,5AH；啟動寫操作 MOV IAP_TRIG ,0A5H LCALL DELAY_55μs ；延時等待 RET BYTE_READ： ；讀 MOV IAP_CONTR,82H MOV IAP_CMD,01H ；讀 EEPROM命令 MOV IAP_ADDRL,DPL ；送入地址的低 8位 MOV IAP_ADDRH,DPH ；送入地址的高 8位 MOV IAP_TRIG,5AH。//定義指針 uchar Temp。 long y。 //扇區(qū)擦除函數(shù) void BYTE_PROGRAM(uint byte_addr )。//讀扇區(qū)內(nèi)容函數(shù) void Delay_μs( ) reentrant。 //定義扇區(qū)擦除失敗的標記位 dp=0x50。//對整個扇區(qū)進行擦除 for(i=0。i++) { flag=0xFF。 //指向片內(nèi) RAM單元的下一字節(jié) BYTE_PROGRAM (i+SECTION_ADDR)。 //寫失敗 break。 } void SECTION_ERASE (uint SECTION_ADDR) //扇區(qū)擦除 { dat=0x10。//設(shè)置等待時間且允許對 EEPROM進行操作 IAP_CMD=0x03。 //送入扇區(qū)地址的低 8位 IAP_ADDRH=(SECTION_ADDR8)。//啟動觸發(fā) IAP_TRIG=0xA5。i420。 } dat=(IAP_CONTRamp。 } } void BYTE_PROGRAM (uint byte_addr) { IAP_CONTR=0x82。//對 EEPROM進行寫操作 IAP_ADDRL= byte_addr。//送入扇區(qū)地址的高 8位 IAP_DATA=*dp。//啟動觸發(fā) IAP_TRIG=0xA5。//設(shè)置等待時間且允許對 EEPROM進行操作 IAP_CMD=0x01。//送入扇區(qū)地址的低 8位 IAP_ADDRH=( byte_addr 8)。//啟動觸發(fā) IAP_TRIG=0xA5。//讀出扇區(qū)單元的內(nèi)容 _nop_( )。 return (Te
試題試卷相關(guān)推薦
鄂ICP備17016276號-1