濕式蝕刻工藝提高led光萃取效率之產(chǎn)能與良率(參考版)
2025-01-16 22:03本頁面
【正文】 E. Fred Schubert, LightEmitting Diodes, Rensselaer Polytechnic Institute, Troy, New York, Cambridge University Press, ISBN13 9780521865388, page 121221, 2006.6. 郭浩中、賴芳儀、郭守義，LED原理與應(yīng)用，Page 177~180, 五南出版公司。 A. Zukauskas, M. S. Shur, and R. Gaska, Introduction to SolidState Light. Hoboken, NJ: WileyInterscience, 2002.3. 參考文獻：1.余智林(Frank Yu)：弘塑科技公司專案經(jīng)理。顏錫鴻(Clyde Yen )：弘塑科技公司副總經(jīng)理，半導(dǎo)體設(shè)備與材料之市場行銷規(guī)劃多年經(jīng)驗。連絡(luò)地址：新竹縣新竹工業(yè)區(qū)大同路13號 GPTC )計劃主持人，畢業(yè)于成功大學(xué)材料所。由于LED之藍寶石基板化學(xué)濕式蝕刻工藝，可藉由基板表面幾何圖形之變化，來改變LED的散射機制，或?qū)⑸⑸涔鈱?dǎo)引至LED內(nèi)部，進而由逃逸角錐中穿出，所以成為增加LED光萃取效率的有效技術(shù)。圖1弘塑科技設(shè)計制作之高溫磷酸濕式蝕刻自動化量產(chǎn)設(shè)備。VII.VI.V. 177。IV.III.II.系統(tǒng)在制作上有七大設(shè)計關(guān)鍵，分別詳述如下：I. 高溫磷酸濕式蝕刻工藝設(shè)備在制作上，必須考慮的設(shè)計項目圖12為弘塑科技(Grand Plastic Technology Corporation。對于現(xiàn)今HBLED對于亮度錙銖必較之情形，亦有業(yè)界于雷射切割后，接著使用高溫磷酸來進行藍寶石基板的側(cè)邊蝕刻(Sapphire Sidewall Etching。(a) 電流發(fā)光強度圖(b) 電流輸出功率圖圖有無形狀化之覆晶LED的(a)電流發(fā)光強度與(b)電流輸出功率比較圖[6]。圖元件形狀化之覆晶LED工藝流程圖[6]。藍寶石的蝕刻速率與磷酸和硫酸的比例，以及蝕刻液溫度有關(guān)，由于蝕刻結(jié)果取決于其晶格結(jié)構(gòu)，蝕刻會沿者藍寶石的晶格面進行，至于藍寶石基板的背面，因為其原本是一個粗糙面，所以無法在其表面鍍上一層均勻的二氧化硅保護層，在進行蝕刻時，覆蓋二氧化硅較薄區(qū)域的藍寶石基板則會先被蝕刻，進而形成粗糙化的表面。接著將已設(shè)計圖案化之藍寶石基板浸入高溫300℃的磷酸與硫酸的混合液中，進行藍寶石基板之側(cè)邊蝕刻，接者去除二氧化硅保護層。 SBR)，以此雙重方式來達到增加光萃取效果，其詳細工藝流程如圖8所示。 磊晶后藍寶石基板之蝕刻工藝元件形狀化之覆晶LED是使用高溫磷酸來蝕刻藍寶石基板
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