材料應(yīng)用現(xiàn)狀與新材料的發(fā)展趨勢-wenkub.com
2025-01-06 05:24 本頁面
【正文】 熱膨脹系數(shù)：單位長度物體的長度隨溫度的變化 率，單位為 K1。其磁化強度的強弱用磁化強度 M來表征： M=P/V P— 物體的磁矩。如 鐵、鈷、鎳等。如金、銀、銅以及周 期表前 18個元素。 （ 2）每個載流子的電荷數(shù)。鋼的循環(huán)基數(shù)為 107，有色金屬和某些高強度鋼的循環(huán)基數(shù)為 108。 沖擊韌性：材料受沖擊而斷裂的過程中所吸收的沖擊功的大小。 （ 4）當材料中加入某些微量元素時，那些能降低晶界能的元素，將優(yōu)先富集于晶界于晶界，這種現(xiàn)象叫內(nèi)吸附，以區(qū)別于外表面的吸附。 面 缺 陷 — 晶 界四、晶界的特性： （ 1）常溫下，晶界對位錯的運動起阻礙作用，使材料具有較高的塑性變形抗力。刃型位錯柏氏矢量的確定(a) 有位錯的晶體 (b) 完整晶體 MNOPQMNOPQ柏氏矢量螺型位錯柏氏矢量的確定(a) 有位錯的晶體 (b) 完整晶體 柏氏矢量位錯的特點： ① 易動性； ② 增殖性； ③ 纏結(jié)性。 螺型位錯的滑移過程示意圖螺型位錯的滑移 混合位錯示意圖4. 柏氏矢量（ 1）柏氏矢量的確定方法 先確定位錯的方向（一般規(guī)定位錯線垂直紙面時，由紙面向外為正），按 右手法則 做柏氏回路，右手大拇指指位錯正方向，回路方向按右手螺旋方向確定。通常稱晶體上半部多出原子面的位錯為 正刃型位錯 ，用符號 “┴” 表示，反之為 負刃型位錯 ，用 “┬” 表示。同理，間隙原子也可由一個間隙位置遷移到另一個間隙位置。 注：由間隙原子或置換原子融入基體晶格內(nèi)，可形成間隙固溶體或置換固溶體。 間隙原子產(chǎn)生的原因：金屬中存在著空隙。 空位產(chǎn)生的原因：晶體中的熱運動。 點缺陷影響材料的物理性能，線缺陷影響材料的力學性能，各種缺陷均影響材料的冶金性能。體心立方與面心立方晶體各主要晶面和晶向的原子密度如下圖：體心立方與面心立方晶體各 主要晶面的原子排列與密度體心立方與面心立方晶體各 主要晶向的原子排列與密度 假設(shè)原子同是半徑相等的剛性球，面心立方結(jié)構(gòu) 和密排六方結(jié)構(gòu)密排面上原子堆垛方式有很大的相似 之處。（ 3）將整數(shù)記在方括號內(nèi)，整數(shù)之間不用標點分開。 （ 4）把三正數(shù)寫在圓括號內(nèi)，并將其化為最小整數(shù)。 在晶體學中經(jīng)常用晶面指數(shù)和晶向指數(shù)來表示晶面和晶向。當 c/a＝ ，結(jié)構(gòu)最緊密。典型的有 α—Fe、 Cr、 Mo、 W 等。 晶胞中原子所占體積的百分數(shù)。晶格常數(shù)： a、 b、 c、 α、 β、 γ 晶 胞 晶體結(jié)構(gòu)的七種晶系十四種點陣晶體結(jié)構(gòu)的七種晶系十四種點陣 晶格尺寸是指晶胞的大小，用晶格常數(shù)表達。 三、晶體結(jié)構(gòu)的一些重要概念 晶體的剛性球模型 、晶格、晶胞及晶系 晶體中原子（離子或分子）在空間呈規(guī)則排列，規(guī)則排列的方式稱為晶體結(jié)構(gòu)。 分子晶體：依靠分子鍵結(jié)合的晶體。 共價晶體的特點：強度高，硬度大，熔點高，揮發(fā)性低，脆性大，是良好的絕緣體。 離子晶體的特點：硬度大、強度高。某些高分子材料也是晶體材料。 一、短程有序與長程有序 ： 原子僅在很小的范圍（幾個原子的尺度）內(nèi)呈一定的規(guī)則排列。四、復(fù)合材料 復(fù)合材料是由兩種或兩種以上不同材料組合的材料，其性能優(yōu)于它的組成材料。它一般包括無機玻璃（硅酸鹽玻璃）、玻璃陶瓷（或稱微晶玻璃）和陶瓷等三類。三、陶瓷材料 陶瓷是一種或多種金屬元素同一種非金屬（通常為氧）的化合物，其中尺寸較大的氧原子為陶瓷的基質(zhì)，較小的金屬（或半 ]金屬如硅等）原子處于氧原子之間的空隙中。 ⑵ 合成纖維：由單體聚合而成的、強度很高的聚合物，通過機械處理所獲得的纖維材料。② 有色金屬：黑色金屬金屬以外的所有金屬及其合金。 目前材料通常是按其組成和結(jié)構(gòu)特點，分為金屬材料、高分子材料、陶瓷材料和復(fù)合材料四大類。目前人們關(guān)注的是高溫結(jié)構(gòu)陶瓷在內(nèi)燃機上的應(yīng)用研究，它將使熱機效能大大提高，減少環(huán)境污染，擴大燃料使用范圍。例如，可以通過對合金成分的合理設(shè)計及微量元素的控制，研制出了高比強度與
教學課件相關(guān)推薦
鄂ICP備17016276號-1