數(shù)字射頻收發(fā)模塊原理與設(shè)計(jì)-有源電子元器件-wenkub.com
2024-12-30 15:49 本頁(yè)面
【正文】 88總結(jié)167。 用于微弱信號(hào)的測(cè)量與運(yùn)算、高精度設(shè)備。 用于測(cè)量放大器、信號(hào)發(fā)生器。SR(=duO/dt│max)fH13V167。UIcmax℃ 0167。IB2 輸入失調(diào)電流 ℃ ∞167。2MΩ∞167。理想值理想值167。 指標(biāo)參數(shù)指標(biāo)參數(shù) Uom大：其峰值接近電源電壓167。 Ad較大：放大差模信號(hào)的能力較強(qiáng)167。中間級(jí) 輸出級(jí)82輸出級(jí)的分析D1和 D2起過(guò)流保護(hù)作用，未過(guò)流時(shí)，兩只二極管均截止。作用？+++ ++ ++_放大差模信號(hào)+___特點(diǎn)：輸入電阻大、差模放大倍數(shù)大、共模放大倍數(shù)小、輸入端耐壓高，并完成電平轉(zhuǎn)換（即對(duì) “地 ”輸出）。找出偏置電路78雙端輸入、單端輸出差分放大電路以復(fù)合管為放大管、恒流源作負(fù)載的共射放大電路用 UBE倍增電路消除交越失真的 準(zhǔn)互補(bǔ)輸出級(jí)三級(jí)放大電路簡(jiǎn)化電路分解電路79輸入級(jí)的分析 T T4為橫向 PNP型管，輸入端耐壓高。（（ 4）統(tǒng)觀整體：）統(tǒng)觀整體： 電路相互連接關(guān)系以及連接后電路實(shí)現(xiàn)的功能和性能。 已知電路圖，分析其原理和功能、性能。電路特征：反饋網(wǎng)絡(luò)為無(wú)源網(wǎng)絡(luò)，如圖。703. 集成運(yùn)放的符號(hào)和電壓傳輸特性 uO=f(uPuN) 由于 Aod高達(dá)幾十萬(wàn)倍，所以集成運(yùn)放工作在線性區(qū)時(shí)的最大輸入電壓 (uP－ uN)的數(shù)值僅為幾十～一百多微伏。輸出級(jí)：輸出級(jí)： 功率級(jí)，多采用準(zhǔn)互補(bǔ)輸出級(jí)。69集成運(yùn)放電路四個(gè)組成部分的作用輸入級(jí)：輸入級(jí)： 前置級(jí)，多采用差分放大電路。（ 4）采用復(fù)合管。 主要構(gòu)成電路：? 放大器、濾波器、反饋電路、基準(zhǔn)源電路、開關(guān)電容電路等。輸出 UO=EDUO+EDRDRON輸入 UI= ED 時(shí)：UGS≥UT ， 處于導(dǎo)通狀態(tài)。62⑶ 極限參數(shù) 最大漏極電流 IDM、最大耗散功率 PDM 、漏源擊穿電壓 U（ BR） DS。① 可變電阻區(qū)（ Ⅰ 區(qū)）： UGS＞ UT， UDS很小場(chǎng)效應(yīng)管相當(dāng)于一個(gè)壓控電阻 UGD=UGS－ VDS＞ UT 時(shí)③ 截止區(qū)： UGS≤UT 電流 ID=0管子處于截止?fàn)顟B(tài)。54P溝道增強(qiáng)型 MOS管結(jié)構(gòu)圖GSD增強(qiáng)型 PMOS管柵極 漏極 源極 b襯底NP+ P+GS D55⑵ 工作原理 uGS增大，反型層（導(dǎo)電溝道）將變厚變長(zhǎng)。 50+10V 1kΩ IC2V 5kΩ IB+10V 1kΩ IC+2V 5kΩIB(c) (b) 作業(yè)51場(chǎng)效晶體管 (FET)（單極型晶體管）場(chǎng)效晶體管與雙極型晶體管不同，它是利用電場(chǎng)效應(yīng)來(lái)控制電流的一種半導(dǎo)體器件，輸出電流取決于輸入電壓，不需要信號(hào)源提供電流； 輸入電阻高 （可達(dá) 109Ω—10 15Ω ）， 溫度穩(wěn)定性好 。頻率較低時(shí)， ?值基本不變，頻率較高時(shí)， ?開始下降，降到 ,稱為截止頻率 f? 。所以集電極電流應(yīng)為： IC= ? IB+ICEO當(dāng)溫度上升時(shí)， ICEO增加， IC也相應(yīng)增加。共射 直流電流放大系數(shù) ：⑴ 電流放大系數(shù)共射 交流電流放大系數(shù)：常用的小功率晶體管， β 值一般為 20～ 200。此區(qū)域滿足IC=?IB稱為線性區(qū)（放大區(qū)）。3031半導(dǎo)體（晶體）三極管（雙極型晶體管） 一、 三極管結(jié)構(gòu)及其放大作用B基極E發(fā)射極C集電極NPN型 PNP型NNP發(fā)射結(jié)集電結(jié)BECIBIEICTBECIBIEICTB基極E發(fā)射極C集電極PPN32半導(dǎo)體 三 極管圖片33BECNNP基極發(fā)射極集電極基區(qū)：摻雜濃度最低并且很薄集電區(qū)：摻雜濃度較低發(fā)射區(qū)：摻雜濃度最高 （ 1）晶體管的電流放大條件 ① 內(nèi)部條件 三個(gè)區(qū)摻雜濃度不同，厚薄不同。 發(fā)光二極管是一種將電能轉(zhuǎn)換成光能的顯示器件。 C，穩(wěn)壓值變化的百分?jǐn)?shù)。已知 ui = 10sinωt （ V）， 試畫出輸出電壓 uo的波形。 IRM愈小愈好。193. 主要參數(shù)（ 1）最大整流電流 IDM二極管長(zhǎng)期使用時(shí)，允許流過(guò)二極管的最大正向平均電流。PN結(jié)變寬+P NE μ ++A14三、 半導(dǎo)體二極管1. 基本結(jié)構(gòu)及符號(hào)點(diǎn)接觸型：結(jié)面小、結(jié)電容小，適用高頻小電流場(chǎng)合。1. PN結(jié)2. PN結(jié)的形成P NPN結(jié)P區(qū)和 N區(qū)的載流子濃度不同由載流子的濃度差 → 多子擴(kuò)散－ － － －－ － － －P+ + + ++ + + +NN區(qū) P區(qū)P區(qū) N區(qū)電子空穴正負(fù)離子顯電性 → 建立空間電荷區(qū) → 形成內(nèi)電場(chǎng)－ － － －－ － － －+自建電場(chǎng)11 內(nèi)電場(chǎng) 反對(duì)多子擴(kuò)散有利少子漂移 擴(kuò)散 = 漂移動(dòng)平衡→ 空間電荷區(qū)寬度確定 → PN結(jié)形成PN結(jié) —— 空間電荷區(qū)PN結(jié)也稱為高阻區(qū)、耗盡層－－P++NPN結(jié)+自建電場(chǎng)12⑴ PN結(jié)正向?qū)ìF(xiàn)象：燈亮、 電流大（ mA級(jí)）原因： ，使 PN結(jié)變窄，由多數(shù)載流子形成較大的正向電流。6⑶ 常用的半導(dǎo)體材料鍺 Ge 硅 Si硅和鍺為四價(jià)元素，最外層有四個(gè)價(jià)電子32 1428184 284純凈的、具有晶體結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體sisi sisi最外層八個(gè)電子的穩(wěn)定結(jié)構(gòu)共價(jià)鍵內(nèi)的價(jià)電子對(duì)⑴ 共價(jià)鍵共價(jià)鍵結(jié)構(gòu)穩(wěn)定導(dǎo)電 能力很弱SiGe價(jià)電子7⑵ 本征激發(fā) （ 熱激發(fā)）sisisisi空穴 自由電子自由電子本征激發(fā)成對(duì)產(chǎn)生空穴⑶ 兩種載流子 半導(dǎo)體中有自由電子和空穴兩種載流子本征半導(dǎo)體兩端外加電壓時(shí)，將出現(xiàn)兩部分電流， 電子流 和 空穴流 。 一、半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性1. 概念
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