數(shù)字射頻收發(fā)模塊原理與設(shè)計-有源電子元器件-wenkub.com
2024-12-30 15:49 本頁面
【正文】 88總結(jié)167。 用于微弱信號的測量與運算、高精度設(shè)備。 用于測量放大器、信號發(fā)生器。SR(=duO/dt│max)fH13V167。UIcmax℃ 0167。IB2 輸入失調(diào)電流 ℃ ∞167。2MΩ∞167。理想值理想值167。 指標(biāo)參數(shù)指標(biāo)參數(shù) Uom大：其峰值接近電源電壓167。 Ad較大：放大差模信號的能力較強167。中間級 輸出級82輸出級的分析D1和 D2起過流保護作用，未過流時，兩只二極管均截止。作用？+++ ++ ++_放大差模信號+___特點：輸入電阻大、差模放大倍數(shù)大、共模放大倍數(shù)小、輸入端耐壓高，并完成電平轉(zhuǎn)換（即對 “地 ”輸出）。找出偏置電路78雙端輸入、單端輸出差分放大電路以復(fù)合管為放大管、恒流源作負載的共射放大電路用 UBE倍增電路消除交越失真的 準(zhǔn)互補輸出級三級放大電路簡化電路分解電路79輸入級的分析 T T4為橫向 PNP型管，輸入端耐壓高。（（ 4）統(tǒng)觀整體：）統(tǒng)觀整體： 電路相互連接關(guān)系以及連接后電路實現(xiàn)的功能和性能。 已知電路圖，分析其原理和功能、性能。電路特征：反饋網(wǎng)絡(luò)為無源網(wǎng)絡(luò)，如圖。703. 集成運放的符號和電壓傳輸特性 uO=f(uPuN) 由于 Aod高達幾十萬倍，所以集成運放工作在線性區(qū)時的最大輸入電壓 (uP－ uN)的數(shù)值僅為幾十～一百多微伏。輸出級：輸出級： 功率級，多采用準(zhǔn)互補輸出級。69集成運放電路四個組成部分的作用輸入級：輸入級： 前置級，多采用差分放大電路。（ 4）采用復(fù)合管。 主要構(gòu)成電路：? 放大器、濾波器、反饋電路、基準(zhǔn)源電路、開關(guān)電容電路等。輸出 UO=EDUO+EDRDRON輸入 UI= ED 時：UGS≥UT ， 處于導(dǎo)通狀態(tài)。62⑶ 極限參數(shù) 最大漏極電流 IDM、最大耗散功率 PDM 、漏源擊穿電壓 U（ BR） DS。① 可變電阻區(qū)（ Ⅰ 區(qū)）： UGS＞ UT， UDS很小場效應(yīng)管相當(dāng)于一個壓控電阻 UGD=UGS－ VDS＞ UT 時③ 截止區(qū)： UGS≤UT 電流 ID=0管子處于截止?fàn)顟B(tài)。54P溝道增強型 MOS管結(jié)構(gòu)圖GSD增強型 PMOS管柵極 漏極 源極 b襯底NP+ P+GS D55⑵ 工作原理 uGS增大，反型層（導(dǎo)電溝道）將變厚變長。 50+10V 1kΩ IC2V 5kΩ IB+10V 1kΩ IC+2V 5kΩIB(c) (b) 作業(yè)51場效晶體管 (FET)（單極型晶體管）場效晶體管與雙極型晶體管不同，它是利用電場效應(yīng)來控制電流的一種半導(dǎo)體器件，輸出電流取決于輸入電壓，不需要信號源提供電流； 輸入電阻高 （可達 109Ω—10 15Ω ）， 溫度穩(wěn)定性好 。頻率較低時， ?值基本不變，頻率較高時， ?開始下降，降到 ,稱為截止頻率 f? 。所以集電極電流應(yīng)為： IC= ? IB+ICEO當(dāng)溫度上升時， ICEO增加， IC也相應(yīng)增加。共射 直流電流放大系數(shù) ：⑴ 電流放大系數(shù)共射 交流電流放大系數(shù)：常用的小功率晶體管， β 值一般為 20～ 200。此區(qū)域滿足IC=?IB稱為線性區(qū)（放大區(qū)）。3031半導(dǎo)體（晶體）三極管（雙極型晶體管） 一、 三極管結(jié)構(gòu)及其放大作用B基極E發(fā)射極C集電極NPN型 PNP型NNP發(fā)射結(jié)集電結(jié)BECIBIEICTBECIBIEICTB基極E發(fā)射極C集電極PPN32半導(dǎo)體 三 極管圖片33BECNNP基極發(fā)射極集電極基區(qū)：摻雜濃度最低并且很薄集電區(qū)：摻雜濃度較低發(fā)射區(qū)：摻雜濃度最高 （ 1）晶體管的電流放大條件 ① 內(nèi)部條件 三個區(qū)摻雜濃度不同，厚薄不同。 發(fā)光二極管是一種將電能轉(zhuǎn)換成光能的顯示器件。 C，穩(wěn)壓值變化的百分?jǐn)?shù)。已知 ui = 10sinωt （ V）， 試畫出輸出電壓 uo的波形。 IRM愈小愈好。193. 主要參數(shù)（ 1）最大整流電流 IDM二極管長期使用時，允許流過二極管的最大正向平均電流。PN結(jié)變寬+P NE μ ++A14三、 半導(dǎo)體二極管1. 基本結(jié)構(gòu)及符號點接觸型：結(jié)面小、結(jié)電容小，適用高頻小電流場合。1. PN結(jié)2. PN結(jié)的形成P NPN結(jié)P區(qū)和 N區(qū)的載流子濃度不同由載流子的濃度差 → 多子擴散－ － － －－ － － －P+ + + ++ + + +NN區(qū) P區(qū)P區(qū) N區(qū)電子空穴正負離子顯電性 → 建立空間電荷區(qū) → 形成內(nèi)電場－ － － －－ － － －+自建電場11 內(nèi)電場 反對多子擴散有利少子漂移 擴散 = 漂移動平衡→ 空間電荷區(qū)寬度確定 → PN結(jié)形成PN結(jié) —— 空間電荷區(qū)PN結(jié)也稱為高阻區(qū)、耗盡層－－P++NPN結(jié)+自建電場12⑴ PN結(jié)正向?qū)ìF(xiàn)象：燈亮、 電流大（ mA級）原因： ，使 PN結(jié)變窄，由多數(shù)載流子形成較大的正向電流。6⑶ 常用的半導(dǎo)體材料鍺 Ge 硅 Si硅和鍺為四價元素，最外層有四個價電子32 1428184 284純凈的、具有晶體結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體sisi sisi最外層八個電子的穩(wěn)定結(jié)構(gòu)共價鍵內(nèi)的價電子對⑴ 共價鍵共價鍵結(jié)構(gòu)穩(wěn)定導(dǎo)電 能力很弱SiGe價電子7⑵ 本征激發(fā) （ 熱激發(fā)）sisisisi空穴 自由電子自由電子本征激發(fā)成對產(chǎn)生空穴⑶ 兩種載流子 半導(dǎo)體中有自由電子和空穴兩種載流子本征半導(dǎo)體兩端外加電壓時，將出現(xiàn)兩部分電流， 電子流 和 空穴流 。 一、半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性1. 概念
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