數(shù)字射頻收發(fā)模塊原理與設(shè)計-有源電子元器件-文庫吧資料
2025-01-05 15:49本頁面
【正文】 使 ID急劇增加，會造成管子損壞。用跨導(dǎo) gm來表示 UGS對 ID的控制作用。當(dāng)反型層將兩個 N區(qū)相接時，形成導(dǎo)電溝道。應(yīng)管。耗盡型增強型（ PMOS管）（ NMOS管）P溝道N溝道絕緣柵型MOS管 結(jié)型JFET管P溝道N溝道（ PMOS管）（ NMOS管）分類 :（六種類型） P溝道N溝道52場效應(yīng)管有三個極：源極（ s） 、柵極（ g）、漏極（ d），對應(yīng)于晶體管的 e、 b、 c；有 三個工作區(qū)域：截止區(qū)、恒流區(qū)、可變電阻區(qū)，對應(yīng)于 晶體 管的截止區(qū)、放大區(qū)、飽和區(qū)。 例+10V 1kΩ IC+6V 5kΩIB(a)解： （ 1）因為基極偏置電源 +6V大于管子的導(dǎo)通電壓，故管子的發(fā)射結(jié)正偏，管子導(dǎo)通，電流：因為 ICICS，所以管子工作在飽和區(qū) 。0110010 0fTβ 0104 105 fB106 107 108 f(Hz)β② 特征頻率 fT ?值降到 1時所對應(yīng)的頻率。47ICUCEPCM = UCEICICMU(BR)CEO安全工作區(qū)o48⑷ 頻率參數(shù)① 共射截止頻率 f? 晶體管的 ?值隨頻率而發(fā)生變化。 所以三極管的溫度特性較差。IB≠0時 , IC= ?IB+ICEO,電流ICEO，受溫度變化的影響較大 。 44① 集 基極反向電流 ICBO（發(fā)射極開路）ICBO是集電結(jié)反偏由少子的漂移形成的反向電流，受溫度的變化影響。0⑶ 飽和區(qū) UCES433. 主要參數(shù)前述電路中，三極管的發(fā)射極是輸入輸出的公共點，稱為共射接法，相應(yīng)地還有共基、共集接法。41此區(qū)域中 : IB=0,IC=ICEO,UBE 死區(qū)電壓，稱為截止區(qū)。令 UCE=常數(shù)IB=f（ UBE）1. 輸入特性工作壓降： UBE?~,硅管UBE?~ 鍺管IB(?A)UBE(V)20406080 UCE?1V0402. 輸出特性1234IC(mA )UCE(V)3 6 9 12IB=020?A40?A60?A80?A100?A0⑴ 放大區(qū)當(dāng) UCE大于一定的數(shù)值時，IC只與 IB有關(guān)， IC=?IB。 34② 外部條件 發(fā)射結(jié)加上正向電壓，集電結(jié)加上反向電壓 NNPBEC++－－BECT++－－UBE UBC即： NPN型 或PPNBEC－－++BECT－－++UBE UBC PNP型為： 或35（ 2）放大原理（ NPN型） 擴散運動形成發(fā)射極電流 IE，復(fù)合運動（主要部分）形成基極電流 IB，漂移運動形成集電極電流 IC。符號+ 磷砷化鎵（ GaAsP）材料發(fā)紅光或黃光，磷化鎵（GaP）材料發(fā)紅光或綠光，氮化鎵（ GaN）材料發(fā)藍(lán)光，碳化硅（ SiC）材料發(fā)黃光，砷化鎵（ GaAs）材料發(fā)不可見的紅外線。 發(fā)光二極管的伏安特性和普通二極管相似，死區(qū)電壓為 ~，其正向工作電壓為 ~,工作電流為 5~15mA。發(fā)光二極管用于信號指示 、數(shù)碼管顯示器。④ 穩(wěn)定電流 IZ、最大穩(wěn)定電流 Izmax使用時穩(wěn)壓管的電流要大于 IZ，小于最大穩(wěn)定電流 Izmax⑤ 最大允許功耗 PZM穩(wěn)壓管不發(fā)生熱擊穿的最大功率損耗（ 3）穩(wěn)壓二極管的參數(shù)硅穩(wěn)壓管 ：28（ 1）符號和特性符號 特性uiO暗電流E = 200 lxE = 400 lx工作條件： 反向偏置（ 2）主要參數(shù)電學(xué)參數(shù)：暗電流，光電流，最高反向工作電壓光學(xué)參數(shù)：光譜范圍，靈敏度，峰值波長 實物照片光電二極管29發(fā)光二極管 當(dāng)管子接正向電壓 ,有電流通過時 ,會發(fā)出光線。解：244. 二極管門電路 F=A?B ⑴ 二極管與門 ① 分析規(guī)定 高電平 3V→ 邏輯 “1”低電平 0V→ 邏輯 “0”② 真值表 ③ 邏輯表達(dá)式 ④ 邏輯符號FAB＆FD1D2AB+12VR25FD1D2AB12VRF=A+B ⑵ 二極管或門① 分析規(guī)定 高電平 3V→ 邏輯 “1”低電平 0V→ 邏輯 “0”② 真值表 ③ 邏輯表達(dá)式 ④ 邏輯符號FAB≥1 26五、 特殊二極管（ 1）結(jié)構(gòu)和符號穩(wěn)壓二極管UIUZminIZminIZmax?UZ?IZoaUZmaxb+DZ符號面接觸型硅二極管（ 2）伏安特性正向特性與普通硅二極管相同① 未擊穿區(qū)（ o a段）I≈0，反向截止② 擊穿區(qū)（穩(wěn)壓區(qū) a b段）特性陡直，電壓基本不變，具有穩(wěn)定電壓作用動態(tài)電阻： 動態(tài)電阻愈小穩(wěn)壓效果愈好③ 熱擊穿區(qū)（ b 點以下線段） 過熱燒壞 PN結(jié)27③ 電壓溫度系數(shù) ?U ① 穩(wěn)定電壓 UZ 穩(wěn)壓管的穩(wěn)壓值② 動態(tài)電阻 越小，穩(wěn)壓越好 溫度變化 1176。解：⑴ 圖 (a) ui ＞ 0， D 導(dǎo)通， uo= 0， ui ＜ 0， D 截止， uo ~ ui ⑵ 圖 (b) ui ＞ 0， D導(dǎo)通， uo = ui ， ui ＜ 0， D截止， uo= 010Voωtui10Vo ωtui10Voωtui23UA UB， DA先導(dǎo)通， DA起 鉗 位作用，使 UF=3V。5V10Vo ωtui（ b）o5V ωtuo解：圖 (a)⑴ ui ＜ E， D 截止， uR= 0， ∴ 輸出 uo ~ ui Eui R D （ a）uo電路為正限幅電路⑵ ui ＞ E， D 導(dǎo)通， uD= 0， ∴ 輸出 uo = E22例2. 二極管整流作用ui R D （ a）uo ui RD （ b）uo 圖示兩個電路。20四、 二極管的應(yīng)用理
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