模擬電子技術(shù)第五章場(chǎng)效應(yīng)管及其放大電路-wenkub.com
2024-12-27 05:24 本頁(yè)面
【正文】 BJT放大電路的三種組態(tài)： 共發(fā)射極（ CE）、共集電極（ CC）、共基極（ CB）。試求中頻電壓增益、輸入電阻和輸出電阻。? JFET是電壓控制電流器件， iD受 vGS控制? 預(yù)夾斷前 iD與 vDS呈近似線性關(guān)系；預(yù)夾斷后， iD趨于飽和。當(dāng) VDS增加到使 VGD=VGSVDS =VP 時(shí)，在緊靠漏極處出現(xiàn)預(yù)夾斷點(diǎn)， 隨 VDS增大，這種不均勻性越明顯。共漏極放大電路（源極跟隨器）3. MOSFET 三種基本放大電路比較 ()共源極放大電路共漏極放大電路 (源極輸出器）共柵極放大電路 結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管 JFET的結(jié)構(gòu)和工作原理 JFET的特性曲線及參數(shù) JFET放大電路的小信號(hào)模型分析法 JFET的結(jié)構(gòu)和工作原理1. 結(jié)構(gòu) 符號(hào)中的箭頭方向表示什么？符號(hào)中的箭頭方向表示什么？① 柵源電壓 VGS對(duì) iD的控制作用 當(dāng) VGS＜ 0時(shí)， PN結(jié)反偏，耗盡層變厚，溝道變窄，溝道電阻變大；VGS更負(fù)，溝道更窄， 直至溝道被耗盡層全部覆蓋，溝道被夾斷。共源極放大電路例題 : 電路如圖所示，設(shè) Rg1=150kΩ， Rg2=47kΩ， VT=1V， Kn=500μA/V2， λ=0， VDD=5V， VSS=5V， Rd=10kΩ， R=， Rs=4kΩ。設(shè)NMOS管的參數(shù)為 Kn=160μA/V2， VT=1V， VDD=VSS=5V， IDQ=， VDQ=。試計(jì)算電路的靜態(tài)漏極電流IDQ和漏源電壓 VDSQ。2. 最大耗散功率 PDM 由 PDM= VDS ID決定，在管子內(nèi)部將變成熱能，使管子的溫度升高，為了使管子溫度不致升的太高，限制其耗散功率不能超過 PDM。三、極限參數(shù)3. 最大漏源電壓 V(BR)DS 指發(fā)生雪崩擊穿時(shí)，漏極電流 iD急劇上升時(shí)的 vDS。1. 開啟電壓 VT（增強(qiáng)型） vDS一定時(shí)，使漏極電流 iD等于微小電流的 vGS。 N溝道耗盡型 MOSFETP溝道 N溝道PNP NPN一、結(jié)構(gòu)與符號(hào)二、工作原理0，且 vGS=VP感應(yīng)電荷耗盡導(dǎo)電溝道消失漏極電流iD≈0N溝道耗盡型 MOSFET在正、負(fù)柵源電壓下均能工作。 當(dāng) VDS增加到使 VGD?VT時(shí)，預(yù)夾斷點(diǎn)向源極端延伸成小的夾斷區(qū)。若 VDS進(jìn)一步增大，直至 VGD=VT， 即 VGSVDS=VT或VDS=VGSVT 時(shí)，則漏端溝道消失，出現(xiàn)預(yù)夾斷。 形成 N源區(qū)到 N漏區(qū)的 N型溝道。這時(shí)，若在漏源間加電壓 VDS，就能產(chǎn)生漏極電流 I D， 即管子開啟。 當(dāng) 0＜ VGS＜ VT (開啟電壓 )時(shí) ， 通過柵極和襯底間的電容作用，將柵極下方 P型襯底表層的空穴向下排斥，同時(shí)，使兩個(gè) N區(qū)和襯底中的自由電子吸向襯底表層，并與空穴復(fù)合而消失，結(jié)果在襯底表面形成一薄層負(fù)離子的耗盡層。漏源間仍無(wú)載流子的通道。 VGS值越大，溝道內(nèi)自由電子越多，溝道電阻越小，在同樣 VDS 電壓作用下， I D 越大。I D② 漏源電壓 VDS對(duì)溝道導(dǎo)電能力的影響
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