第1章半導(dǎo)體二極管、三極管和場(chǎng)效應(yīng)管-wenkub.com
2025-07-17 08:29 本頁面
【正文】 gm=?ID / ?UGS? UGS =常數(shù) 跨導(dǎo)是衡量場(chǎng)效應(yīng)管柵源電壓對(duì)漏極電流控制能力的一個(gè)重要參數(shù)。它是增強(qiáng)型 MOS管的參數(shù)， NMOS為正， PMOS為負(fù)。 P+ P+ 第 1章 UGS UDS ID 1. P溝道增強(qiáng)型絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管 開啟電壓 UGS(th)為 負(fù)值， UGS UGS(th) 時(shí)導(dǎo)通。 UDS 耗盡層 ID 柵極下 P型半導(dǎo) 體表面形成 N型導(dǎo)電 溝道，當(dāng) D、 S加上 正向電壓后可產(chǎn)生 漏極電流 ID 。 2. 工作原理 (1) UGS =0 第 1章 P型硅襯底 N + + B S G D 。A 40 181。A 。A 在輸出特性上求 ? , ? ? = IC IB = 40181。A 截止區(qū) 飽和區(qū) 60 181。A UCE 0 IC IB增加 IB 減小 IB = 20181。 對(duì)于 NPN型三極管應(yīng)滿足 : UBE 0 UBC 0 即 VC VB VE 對(duì)于 PNP型三極管應(yīng)滿足 : UEB 0 UCB 0 即 VC VB VE 輸出 回路 輸入 回路 公 共 端 第 1章 EB RB IB 發(fā)射區(qū)向基區(qū) 擴(kuò)散電子 IE IB 電子在基區(qū) 擴(kuò)散與復(fù)合 集電區(qū)收集電子 電子流向電源正極形成 IC IC N P N 電源負(fù)極向發(fā)射 區(qū)補(bǔ)充電子形成 發(fā)射極電流 IE 三極管的電流控制原理 EB正極拉走電 子，補(bǔ)充被復(fù) 合的空穴，形 成 IB 第 1章 VCC RC VBB RB 由于基區(qū)很薄 ,摻雜濃度又很小 ,電子在基區(qū)擴(kuò)散的數(shù)量 遠(yuǎn)遠(yuǎn)大于復(fù)合的數(shù)量。 DA –12V Y A B DB R 二極管的 應(yīng)用范圍很廣 ,它可用與整流、檢波、限幅、 元件保護(hù)以及在數(shù)字電路中作為開關(guān)元件。 載流子在擴(kuò)散過程中積累的電荷量隨外加電壓變化所形成的電容稱為擴(kuò)散電容，用 Cd 與來示。 +4 +4 硼原子 填補(bǔ)空位 +3負(fù)離子 第 1章 P 型半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)示意圖 電子是少數(shù)載流子 負(fù)離子 空穴是多數(shù)載流子 第 1章 P 區(qū) N 區(qū) PN 結(jié)的形成 用專門的制造工藝在同一塊半導(dǎo)體單晶上 ,形成 P型半導(dǎo)體區(qū)域 和 N型半導(dǎo)體區(qū)域 ,在這兩個(gè)區(qū)域的交界處就形成了一個(gè) PN 結(jié)。 空穴移動(dòng)方向 電子移動(dòng)方向 在外電場(chǎng)作用下， 電子和空穴均能 參與導(dǎo)電。 把純凈的沒有結(jié)構(gòu)缺陷的半導(dǎo)體單晶 稱為本征半導(dǎo)體。 它是共價(jià)鍵結(jié)構(gòu)。 價(jià)電子填補(bǔ)空穴 第 1章 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 P半導(dǎo)體和 N型半導(dǎo)體 1 . N 型半導(dǎo)體 在硅或鍺的晶體
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