單相橋式整流電路設(shè)計(jì)-wenkub.com
2025-06-26 21:22 本頁(yè)面
【正文】 這次的課程設(shè)計(jì)是我收獲最大的一次，雖然中途遇到了不少困難，但還是被我逐步解決了。其中單相全控橋式整流電路其負(fù)載我們用的多的主要是電阻型、帶大電感型，接反電動(dòng)勢(shì)型。A。⑦ 通態(tài)電流臨界上升率di/dt。在常溫下，陽(yáng)極電壓為6V時(shí)，使晶閘管能完全導(dǎo)通所需的門極電流，一般為毫安級(jí)。④ 維持電流IH 。Ⅱ、 選擇時(shí)考慮（～2）倍的安全余量。要注意的是若晶閘管的導(dǎo)通時(shí)間遠(yuǎn)小于正弦波的半個(gè)周期，即使正向電流值沒(méi)超過(guò)額定值，但峰值電流將非常大，可能會(huì)超過(guò)管子所能提供的極限，使管子由于過(guò)熱而損壞。其定義是在室溫40176。 主要元器件的說(shuō)明由于單相橋式全控整流帶電感性負(fù)載主電路主要元件是晶閘管，所以選取元件時(shí)主要考慮晶閘管的參數(shù)及其選取原則。輸入的信號(hào)經(jīng)變壓器變壓后通過(guò)過(guò)電保護(hù)電路，保證電路出現(xiàn)過(guò)載或短路故障時(shí)，不至于傷害到晶閘管和負(fù)載。時(shí)，Ud=； 當(dāng)α=90176。兩組晶閘管輪流導(dǎo)電，一個(gè)周期中各導(dǎo)電180176。 單相全控橋式整流電路在生產(chǎn)實(shí)踐中，除了電阻性負(fù)載外， 最常見(jiàn)的負(fù)載還有電感性負(fù)載， 如電動(dòng)機(jī)的勵(lì)磁繞組，整流電路中串入的濾波電抗器等。輸出電壓的波形出現(xiàn)了負(fù)值部分。當(dāng)流過(guò)電感中的電流變化時(shí),在電感兩端將產(chǎn)生感應(yīng)電動(dòng)勢(shì),引起電壓降UL負(fù)載中電感量的大小不同，整流電路的工作情況及輸出Ud、id 的波形具有不同 的特點(diǎn)。 過(guò)電壓保護(hù)的第二種方法是采用電子電路進(jìn)行保護(hù)。B型熔斷器特點(diǎn)：能在交流、直流和元件短路時(shí)起保護(hù)作用，其可靠性稍有降低C型熔斷器特點(diǎn)：直流負(fù)載側(cè)有故障時(shí)動(dòng)作，元件內(nèi)部短路時(shí)不能起保護(hù)作用對(duì)于第二類過(guò)流，即整流橋負(fù)載外電路發(fā)生短路而引起的過(guò)電流，則應(yīng)當(dāng)采用電子電路進(jìn)行保護(hù)。當(dāng)電力電子變流裝置內(nèi)部某些器件被擊穿或短路；驅(qū)動(dòng)、觸發(fā)電路或控制電路發(fā)生故障；外部出現(xiàn)負(fù)載過(guò)載；直流側(cè)短路；可逆?zhèn)鲃?dòng)系統(tǒng)產(chǎn)生逆變失敗；以及交流電源電壓過(guò)高或過(guò)低；均能引起裝置或其他元件的電流超過(guò)正常工作電流，即出現(xiàn)過(guò)電流。 保護(hù)電路的論證與選擇電力電子系統(tǒng)在發(fā)生故障時(shí)可能會(huì)發(fā)生過(guò)流、過(guò)壓，造成開(kāi)關(guān)器件的永久性損壞。同步電壓經(jīng)橋式整流、穩(wěn)壓管DZ削波為梯形波uDZ,而削波后的最大值UZ既是同步信號(hào),電容C經(jīng)eb,每半周開(kāi)始,電容C都從零開(kāi)始充電,進(jìn)而保證每周期觸發(fā)電路送出第一個(gè)脈沖距離過(guò)零的時(shí)刻(即控制角α)一致,實(shí)現(xiàn)同步.當(dāng)Re增大時(shí)，單結(jié)晶體管發(fā)射極充電到峰點(diǎn)電壓Up的時(shí)間增大，第一個(gè)脈沖出現(xiàn)的時(shí)刻推遲，即控制角α增大，實(shí)現(xiàn)了移相。電容C開(kāi)始通過(guò)管子eb1迅速向R1放電，由于放電回路電阻很小，故放電時(shí)間很短。④觸發(fā)脈沖必須與晶閘管的陽(yáng)極電壓同步，脈沖移相范圍必須滿足電路要求。晶閘管觸發(fā)主要有移相觸發(fā)、過(guò)零觸發(fā)和脈沖列調(diào)制觸發(fā)等。③eb1間反向電壓Vcb1 b2開(kāi)路，在額定反向電壓Vcb2下，基極b1與發(fā)射極e之間的反向耐壓。（3）隨著發(fā)射極電流Ie的不斷上升，Ve不斷下降，降到V點(diǎn)后，Ve不再下降了，這點(diǎn)V稱為谷點(diǎn)，與其對(duì)應(yīng)的發(fā)射極電壓和電流，稱為谷點(diǎn)電壓Vv和谷點(diǎn)電流Iv。若在兩面三刀基極b2，b1間加上正電壓Vbb，則A點(diǎn)電壓為：VA=[rb1/（rb1+rb2）]vbb=（rb1/rbb）vbb=ηVbb式中：η——稱為分壓比，—，如果發(fā)射極電壓VE由零逐漸增加，就可測(cè)得單結(jié)晶體管的伏安特性，：（1）當(dāng)Ve〈ηVbb時(shí)，發(fā)射結(jié)處于反向偏置，管子截止，發(fā)射極只有很小的漏電流Iceo。在硅片中間略偏b2一側(cè)用合金法制作一個(gè)P區(qū)作為發(fā)射極e。方案2：?jiǎn)蜗鄻蚴饺卣麟娐冯娐泛?jiǎn)圖如下：圖 此電路對(duì)每個(gè)導(dǎo)電回路進(jìn)行控制，無(wú)須用續(xù)流二極管，也不會(huì)失控現(xiàn)象，負(fù)載形式多樣，整流效果好，波形平穩(wěn)，應(yīng)用廣泛。我們知道，單相整流器的電路形式是各種各樣的，整流的結(jié)構(gòu)也是比較多的。 晶閘管的派生器件在晶閘管的家族中，除了
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