【正文】 。累加器出棧 RETI END PROCESS_01: MOV R1,040H。讀入 A/D 的值 MOV R1,030H 。累加器壓棧 PUSH PSW 。設置標志位，每 500ms 重新選擇方案 MOV R1,01H TIMER0_READY: SETB TR0 。定時器 T0中斷發(fā)生時間為 6 CLR TF0 。程序狀態(tài)字入棧 MOV PSW,18H 。定時器 T0中斷發(fā)生時間為 SETB TR0 。設置定時器 T1 為方式 2 ORL TMOD,10H MOV TMOD,21H 。采集通道首地址，只使用一路 A/D 就可以 MOV R0,40H MOV R0,00H 。電路如圖 所示： 0INT 8051 外部中斷請求信號 圖 電平觸發(fā)方式的外中斷請求撤銷 通過直接置位端 使中斷 請求信號強制從低電平變?yōu)楦唠娖剑獙崿F(xiàn)此功能需要在中斷入口地址處加入如下兩條指令： ORL P1, 01H ANL P1, 0FEH Q D sd CP 陜西理工學院畢業(yè)設計 第 24 頁 共 38 頁 START: MOV SP,050H 。 串行中斷請求的撤銷 需要軟件清零。 斷請求也就不能再被響應了。采樣到低電平時， IE0/IE1由硬件自動置“ 1”，表明有外 中斷請求發(fā)生。 注意： MCS51單片機對中斷查詢結果 不作記憶，當有新的查詢結果出現(xiàn)時，因為以上原因而被拖延的查詢結果將不復存在，其中 中斷響應過程為，中斷源發(fā)出中斷請求→對中斷請求進行響應→執(zhí)行中斷服務程序→返回主程序。 HERE： SJMP HERE 1NJERRVP： LCALL 指令的形式如下： LCALL addr16 ； addr16：中斷入口地址 入口地址已由系統(tǒng)設定，如下： 表 中斷允許控制寄存器 中斷源 入口地址 0003H T0 000BH 0013H T1 001BH S 0023H 從表中可以看出，每個中斷區(qū)只有 8 個單元，很難安排下一個中斷程序，一般是在中斷入口地址處加一條跳轉指令，跳轉到用戶的服務程序入口。允許總中斷和外中斷 ?? 。 中斷控制寄存器的狀態(tài)設置 在應用中，我們可以通過相應的控制寄存器來使用中斷 系統(tǒng)，因此從使用的角度上看，這些控制寄存器是面向用戶的?？刂莆?=1，優(yōu)先級為高。 PX1—— 外中斷 1(INT1)優(yōu)先級控制位。 值得一提的是：單片機中斷響應后不會自動關閉中斷，因此在轉入中斷服務程序后，應由軟件指令禁止中斷。從以上說明我們可看出， MCS51的中斷允許是通過兩級控制的，以 EA位作 為總中斷控制位，以各中斷控制位為分控制位。ET0(ET1)=1，允許定時 /計數(shù)中斷。 EA=1，中斷總允許，總允許位打開后，各中斷的允許或禁止由各中斷允許控制位設置 決定。 定時器控制寄存器 (TCON) 外中斷請求方式的控制位在定時控制寄存器 TCON（ 地址為 88H）中的位 88(IT0)和位 8A(IT1)兩個位，當 IT0(IT1)=0為電平方式， IT0(IT1)=1為脈沖方式?？赏ㄟ^有關控制位的定義進行規(guī)定。 陜西理工學院畢業(yè)設計 第 20 頁 共 38 頁 MCS51單片機有多個中斷源，以 8051為例，有 5個中斷源，兩個外中斷、兩個定時中斷和一個串行中斷，這一節(jié)我們討論外中斷軟件編程。發(fā)生溢出時，產生中斷請求；定時器∕計數(shù)器 1：定時功能時，計數(shù)脈沖來自片內；計數(shù)功能時，計數(shù)脈沖來自片外 引腳。中斷源發(fā)出中斷請求，單片機對中斷請求進行響應，當中斷響應完成后應進行中斷返 回，返回被中斷的地方繼續(xù)執(zhí)行原來被中斷的程序。這就是一個中斷過程。在編譯方面，它也支持 IAR、 Keil 和 MPLAB 等多種 編譯器 陜西理工學院畢業(yè)設計 第 19 頁 共 38 頁 4 軟件設計 在 CPU 與外設交換信息時，存在著一個快速的 CPU 與慢速的外設之間的矛盾。它是目前最好的仿真單片機及外圍器件的工具。 假設 PWM是單斜率，設定最高計數(shù)是 80，我們再設定一個比較值是 10，那么 T/C從 0計數(shù)到 10時 (這時計數(shù)器還是一直往上計數(shù)，直到計數(shù)到設定值 80)，單片機就會根據(jù)你的設定，控制某個 IO口在這個時候是輸出 1還是輸出 0還是端口取反，這樣，就是 PWM的最基 本的原理了。 頻率就是這樣的，如 16位的 PWM，它的分辨率達到了 1： 65535，要達到這個分辨率，T/C就必須從 0計數(shù)到 65535才能達到，如果計數(shù)從 0計到 80之后又從 0開始計到 80.......，那么它的分辨率最小就是 1： 80了，但是，它也快了，也就是說 PWM的輸出頻率高了。 PWM電流波： 電流型逆變電路進行 PWM控制，得到的就是 PWM電流波。用傅里葉級數(shù)分解后將可看出，各 i(t)在低頻段的特性將非常接近，僅在高頻段有所不同。其輸出電流 i(t)對不同窄脈沖時的響應波形如圖 2b所示。沖量指窄脈沖的面積。 在本次設計中由圖 可知： 入信號 C1為低電平時，光耦內部的發(fā)光二極管的電流近似為零，輸出端兩管腳間的電阻很大，相當于開關 “斷開 ”；當 C1為高電平時，光耦內部的發(fā)光 二極管發(fā)光，輸出端兩管腳間的電阻變小，相當于開關 “接通 ”，此時從 U5輸入的電壓經光耦流向接地端， K1 處的電壓接近為零， MOSEFT 的 Vgs0，當 S 極電壓達到一定值時， Q1 導通。根據(jù)受光源結構的不同，可以將光耦合器件分為晶體管輸出的光電耦合器件和晶閘管輸出的光電耦合器件兩大類 圖 為本次設計中所使用的晶體管光耦合器件 1 腳：正極 2 腳：負極 3 腳：發(fā)射極 4 腳：集電極 TLP521 是可控制的光電藕合器件，光電耦合器廣泛作用在電腦終端機，可控硅系統(tǒng)設備，測量儀器，影印機，自動售票，家用電器，如風扇，加熱器等 在 2 極之間加正向電壓 ，內部的 發(fā)光二極管 （ LED） 將會 發(fā)出一定波長的光，被光探測器接收而產生光電流， 4 極之間導通。設計中采用IRF9540N P 溝道 MOSFET管， P 溝道 MOSFET的導通電壓 Vth0，由下圖可以實現(xiàn) MOSFET的驅動。二極管 D1 是為了防反充 ，當陰天或晚上蓄電池的電壓高于太陽能電池的電壓時， D1 就生效。 VCC：電源 +5V輸入 VSS： GND接地。 RST 復位信號：當輸入的信號連續(xù) 2個機器周期以上高電平時即為有效 ,用以完成單片機的復位初始化操作。 l ~ P2口 8位雙向口線（在引腳的 21~28號端子）。 MCS51 系列單片機最早是由 intel公司推出的通用型單片機， MCS51系列單片機產品可分為兩大系列： 51 子系列和 52 子系列。 ADC0809 芯片內部邏輯與引腳圖 陜西理工學院畢業(yè)設計 第 10 頁 共 38 頁 IN7 . . . . DB7 IN0 . . . ADDA . ADDB . ADDC DB6 ALE (a) （ b） 圖 ADC0809 芯片的內部邏輯結構與引腳圖 （ a）內部邏輯圖 （ b）引腳圖 ADC0809 輸入通道地址選擇表 表 ADC0809 輸入通道地址選通表 ADDC ADDB ADDA 選通的通道 0 0 0 0 0 1 0 1 0 0 1 1 IN0 IN1 IN2 IN3 三態(tài)鎖存緩沖器 8路模擬開關 地址鎖存與譯碼 A/D 轉換 陜西理工學院畢業(yè)設計 第 11 頁 共 38 頁 1 0 0 1 0 1 1 1 0 1 1 1 IN4 IN5 IN6 IN7 ADC0809 工作轉換時序 START ALE IN OE EOC D0~D7 圖 ADC0809 工作時序圖 74LS373鎖存器 74LS373 是一種帶輸出三態(tài)門的 8D 鎖存器，其結構如下圖所示 8D 鎖存器 三態(tài)門 1D 1Q . . . . . . 8D 8Q G OE IN1~IN8 OUT1~OUT8 Date 陜西理工學院畢業(yè)設計 第 12 頁 共 38 頁 圖 74LS373 結構示意圖 1D~8D為 8個輸入端 1Q~8Q為 8個輸出端 G為數(shù)據(jù)鎖存控制端：當 G為“ 1”時，鎖存器輸出端同輸入端；當 G由“ 1”變 0時，數(shù)據(jù)輸入鎖存器中。累加器出棧 RETI END 陜西理工學院畢業(yè)設計 第 9 頁 共 38 頁 3 硬件設計 如圖 所示，電壓采 集電路使用兩個串聯(lián)的電阻，大小比例為 4:1，然后并聯(lián)在需要檢測的電壓兩端，從兩個電阻中間采集電壓。讀入 A/D 的值 MOV R1,030H 。累加器壓棧 PUSH PSW 。累加器出棧 RETI 。清除計數(shù)器的值 MOV R1,041H 。禁止定時器 T0 MOV TL0,00H MOV TH0,01FH 。累加器入棧 PUSH PSW 。 。禁止定時器 T1 SETB EA SETB ET1 SETB ET0 SETB PT0 。 停止放電 CLR MOV R1,040H MOV R1,04H ?？张?16*256*2*2 個周期 CLR