【總結(jié)】1一、單項選擇題:在下列各題中,將唯一正確的答案代碼填入括號內(nèi)1、在圖示電路中,已知US=2V,IS=-2A。A、B兩點間的電壓UAB為()。(a)-3V (b)-1V (c)-2V1題
2025-05-31 12:20
【總結(jié)】中南大學現(xiàn)代遠程教育課程考試(專科)復習題及參考答案電子技術(shù)基礎一、選擇題:1.在雜質(zhì)半導體中,少子濃度主要取決于()(A)摻入雜質(zhì)的濃度、(B)材料、(C)溫度2.測得某PNP型三極管各極點位為:UB=-3VUE=-4VUC=-6V,則該管工作于()(A)放大狀態(tài)、(B)飽和狀
【總結(jié)】數(shù)字電子技術(shù)基礎簡明教程復習題 一、填空 1、(238)10=(11101110)2=(EE)16。()2=()16=()10。 2、德?摩根定理表示為=(),=()。 3、數(shù)字信號只有(兩)種取值,分別表示為(0)和(1)。 4、異或門電路的表達式是();同或門的表達式是()。 5、組成邏輯函數(shù)的基本單元是(最小項
2024-08-03 21:28
【總結(jié)】現(xiàn)代電力電子技術(shù)第1次作業(yè)本次作業(yè)是本門課程本學期的第1次作業(yè),注釋如下:一、單項選擇題(只有一個選項正確,共3道小題)1.在晶閘管應用電路中,為了防止誤觸發(fā)應將幅值限制在不觸發(fā)區(qū)的信號是()(A)干擾信號(B)觸發(fā)電壓信號(C)觸發(fā)電流信號(D)干擾信號和觸發(fā)信號
2024-10-19 14:49
【總結(jié)】模擬電子技術(shù)基礎A第1次作業(yè)本次作業(yè)是本門課程本學期的第1次作業(yè),注釋如下:一、單項選擇題(只有一個選項正確,共10道小題)1.N型半導體的多數(shù)載流子是電子,因此它應()。??(A)?帶負電??(B)?帶正電??(C)?不
2025-06-28 21:29
【總結(jié)】1習題答案第一章數(shù)制和碼制1.數(shù)字信號和模擬信號各有什么特點?答:模擬信號——量值的大小隨時間變化是連續(xù)的。數(shù)字信號——量值的大小隨時間變化是離散的、突變的(存在一個最小數(shù)量單位△)。2.在數(shù)字系統(tǒng)中為什么要采用二進制?它有何優(yōu)點?答:簡單、狀態(tài)數(shù)少,可以用二極管、三極管的開關狀態(tài)來對應二進制的兩
2024-10-29 09:13
【總結(jié)】1第三章組合邏輯電路思考題與習題參考答案[題3-1]解:圖P3-1:21,FF真值表如表D3-1所示。表D3-1輸入輸出CBA21FF000001010
2024-11-09 16:46
【總結(jié)】2-1與信息電子電路中的二極管相比,電力二極管具有怎樣的結(jié)構(gòu)特點才使得其具有耐受高壓和大電流的能力?答:,使得硅片中通過電流的有效面積增大,顯著提高了二極管的通流能力。,也稱漂移區(qū)。低摻雜N區(qū)由于摻雜濃度低而接近于無摻雜的純半導體材料即本征半導體,由于摻雜濃度低,低摻雜N區(qū)就可以承受很高的電壓而不被擊穿。2-2.使晶閘管導通的條件是什么?答:使晶閘管導通的條件是:晶閘管承受正
2025-04-17 07:00
【總結(jié)】.....電路電子技術(shù)復習題一、計算題:1、計算圖1所示各電路,K打開時及閉合時的Ua、Ub及Uab。圖12、求圖2所示電路中的電壓U。3A36Ω36Ω12Ω12Ω12Ω+-U
2025-04-17 07:17
【總結(jié)】電工電子技術(shù)復習提綱一、直流電路1、負載、電源的有關概念,電流電壓及其參考方向及功率的計算。2、電流源與電壓源的等效變換、最大功率的傳輸。3、克希荷夫定律及支路電流法。(重點)4、疊加原理。(重點)5、節(jié)點電位法。(重點)6、戴維南定理。(重點)7、電路的化簡(與恒壓源并聯(lián)的電阻或恒流源可
2024-11-03 23:36
【總結(jié)】中南大學網(wǎng)絡教育課程考試(??疲土曨}及參考答案電子技術(shù)基礎一、選擇題:1.在雜質(zhì)半導體中,少子濃度主要取決于()(A)摻入雜質(zhì)的濃度、(B)材料、(C)溫度2.測得某PNP型三極管各極點位為:UB=-3VUE=-4VUC=-6V,則該管工作于()(
2024-11-07 19:42
【總結(jié)】電子技術(shù)復習題一、填空:1.PN結(jié)沒有外加電壓時,擴散電流漂移電流。2.半導體有和兩種載流子,對于N型半導體多數(shù)載流子是。 。,則輸出電壓的平均值為,則二極管截止時承受的反向電壓的最大值為5.本證半導體的主要特
2024-08-12 06:17
【總結(jié)】《模擬電子技術(shù)》復習題綜合(第1、2章)一、選擇題1、在本征半導體中摻入微量的D價元素,形成N型半導體。2、在N型半導體中摻入濃度更大的C價元素,變成為P型半導體。3、在本征半導體中,自由電子濃度B空穴濃度。4、在P型半導體中,自由電子濃度C空穴濃
2025-06-07 02:14
【總結(jié)】第一章復習題?答:當晶閘管承受正向電壓時,僅在門極有觸發(fā)電流的情況下晶閘管才能導通。2.維持晶閘管導通的條件是什么?怎樣才能使晶閘管由導通變?yōu)殛P斷?答:(1)維持晶閘管導通的條件是使晶閘管的電流大于能保持晶閘管導通的最小電流,即維持電流。(2)若要使已導通的晶閘管關斷,只能利用外加電壓和外電路的作用使流過晶閘管的電流降到接近于零的某一數(shù)值以下,即降到維持電流以下,便可使
2025-06-18 13:42
【總結(jié)】1、在本征半導體中摻入微量的D價元素,形成N型半導體。2、在N型半導體中摻入濃度更大的C價元素,變成為P型半導體。3、在本征半導體中,自由電子濃度B空穴濃度。4、在P型半導體中,自由電子濃度C空穴濃度。5、本征半導體溫度升高以后自
2025-06-24 23:32