第1章課后習(xí)題參考題答案-wenkub.com
2025-06-15 14:03 本頁面
【正文】 只有你自己才能把歲月描畫成一幅難以忘懷的人生畫卷。努力過后，才知道許多事情，堅持堅持，就過來了。在紛雜的塵世里，為自己留下一片純靜的心靈空間，不管是潮起潮落，也不管是陰晴圓缺，你都可以免去浮躁，義無反顧，勇往直前，輕松自如地走好人生路上的每一步3. 花一些時間，總會看清一些事。(4)晶體管電流由 C1 (；；C1兩種載流子)組成；而場效應(yīng)管的電流由 A2 (；；C2兩種載流子)組成。(2)對于共發(fā)射極NPN管開關(guān)電路，當(dāng)晶體管處于放大狀態(tài)時，則有( A )。 (4)PN結(jié)中擴散電流的方向是( )，漂移電流的方向是( )。夾斷管電阻，所以，u0=10V； 當(dāng)ui=10V時，ugsn=10V，NMOS管導(dǎo)通；ugsp=0V，PMOS管夾斷，由于ron171。20．某MOS場效應(yīng)管的漏極特性如圖所示，試分別畫出UDS=9V、6V、3V時的轉(zhuǎn)移特性曲線。（c）圖中，所以T3截止。1極為c極，2極為b極，3極為e極18．?dāng)鄨D中各晶體管的工作狀態(tài) (飽和、放大、截止)。因此可判斷：1）U1=，U2=，U3 = 12V因為 U2＜U1＜U3,且U12=所以 它是NPN型硅管。當(dāng)IC=ICM=40mA時，當(dāng)IC=30mA時，當(dāng)IC=20mA時，當(dāng)IC=10mA時，當(dāng)UCE=U(BR)CEO=50V時，由上述數(shù)據(jù)可繪制出臨界損耗線如圖，這條曲線的右上方為過損耗區(qū)。已知ICM = 40mA，U(BR)CEO=50V，PCM = 400mW。 （b）圖用于測量二極管的反向特性，因為二極管反向電阻大，而電壓表的內(nèi)阻大，電流表的內(nèi)阻小，為了減小測量誤差，應(yīng)將電流表與二極管串聯(lián)后再與電壓表并聯(lián)。14．圖中的(a)和(b)為兩種測量二極管伏安特性的電路。即使不損壞，管子也易發(fā)熱，不利于正常運行。11．計算圖電路中流過二極管的電流ID。( )7)PN結(jié)方程可以描述PN結(jié)的正向特性和反向特性，也可以描述PN結(jié)的反向擊穿特性。(√)3）P型半導(dǎo)體帶正電，N型半導(dǎo)體帶負(fù)電。如果IZ＞IZmax，則穩(wěn)壓管不能正常工作，這時應(yīng)適當(dāng)增大R1或減小R2，使IZ＜IZmax。穩(wěn)壓管DZ的穩(wěn)定電壓UZ =10V，最大穩(wěn)定電流IZmax=8mA。解：7．在圖所示，E=10V，u=30sinωt V。( 3 ) UA= UB = +3V。4． 在圖所示電路中，uI =10sinωt V，E = 5V，二極管的正向壓降可忽略不計，試分別畫出輸出電壓uo的波形。其電壓傳輸特性如圖所示。 （b）圖分析：，所以DD2均受反向電壓而截止，等效電路如圖所示，所以UO=UI=10V。解：（a）圖分析：1）若D1導(dǎo)通，忽略D1的正向壓降和正向電阻，得等效電路如圖所示，則UO=1V，UD2=14=3V。即D1導(dǎo)通，D2截止。2．圖所示電路中，EuI。3．選擇正確的答案填空在圖所示電路中，電阻R為6Ω，二極
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